您的位置： 专家智库 > >

刘钠

作品数：13 被引量：36H指数：2
供职机构：河北工业大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 5篇科技成果
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电路
  • 7篇集成电路
  • 4篇抛光
  • 4篇硅片
  • 4篇超大规模集成
  • 4篇超大规模集成...
  • 4篇大规模集成电...
  • 3篇CMP技术
  • 3篇衬底
  • 2篇溶胶
  • 2篇刷片
  • 2篇酸溶液
  • 2篇抛光表面
  • 2篇抛光硅片
  • 2篇抛光片
  • 2篇清洗液
  • 2篇离子
  • 2篇离子型
  • 2篇离子型表面活...
  • 2篇粒径

机构

  • 13篇河北工业大学
  • 1篇北京石油化工...

作者

  • 13篇刘玉岭
  • 13篇刘钠
  • 5篇张楷亮
  • 5篇檀柏梅
  • 4篇李薇薇
  • 3篇张建新
  • 2篇刘效岩
  • 2篇张西慧
  • 2篇牛新环
  • 2篇何彦刚
  • 1篇齐景爱
  • 1篇于桂兰
  • 1篇张志花
  • 1篇王胜利
  • 1篇张远祥
  • 1篇王娟
  • 1篇王新
  • 1篇高金雍
  • 1篇尹睿
  • 1篇袁育杰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法
一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法，属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗，工艺复杂，效率低，成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5...
刘玉岭刘钠张楷亮李薇薇
文献传递
ULSI铜材料抛光后表面清洗方法
本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH...
刘玉岭刘效岩刘钠何彦刚
文献传递
大粒径硅溶胶的制备方法
本发明涉及一种大粒径硅溶胶的制备方法。本方法根据二氧化硅微粒的双电层理论，运用其Zeta电位绝对值监控粒子生长，确定Zeta电位绝对值为28-30mv为生长临界电位，确定Zeta电位绝对值为50-70mv为成品长期稳定可...
刘玉岭张楷亮刘钠张建新檀柏梅
文献传递
固体表面高精密加工技术及专用纳米材料
刘玉岭檀柏梅李薇薇王娟牛新环张西慧张建新刘钠
主要内容：该项目在理论上确立了新CMP速率控制数学模型和动力学控制过程，利用控制Zeta电位和等液面控制技术制备了粒径可控的CMP专用纳米二氧化硅水溶胶，发明了新型碱性介质下超大规模集成电路多层布线、蓝宝石、计算机硬盘、...
关键词：
关键词：超大规模集成电路多层布线
集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法
一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法,属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗,工艺复杂,效率低,成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5...
刘玉岭刘钠张楷亮李薇薇
文献传递
硅片抛光雾的分析研究被引量：9
1998年
通过试验分析了抛光雾产生的机理和影响因素。在试验的基础上，优化选择了抛光工艺技术，有效地控制了抛光雾，取得较好的结果。
刘玉岭刘钠
关键词：硅片抛光抛光液集成电路
蓝宝石衬底纳米磨料CMP技术的研究
刘玉岭檀柏梅赵之雯张远祥刘钠于桂兰李薇薇张志花
通过对抛光机理的深入研究，实现了抛光无划伤的效果，与国外同类技术比较，这种抛光液及技术可远超过其1μm/h的速率，且产生划伤少，表面粗糙度低，并可有效避免金属离子的沾污。此成果完成后，适用于氮化镓基衬底材料蓝宝石晶体的全...
关键词：
关键词：CMP技术
微晶、石英、光学、电子玻璃纳米磨料CMP技术的研究
刘玉岭王胜利袁育杰刘钠赵卫平尹睿郭志涛吴涛
成功实现了分散度小的粒径可控生长，有效控制了金属杂质含量；解决了纯度及稳定性问题，提高了适用性。制得可用于不同材质抛光的不同粒径范围，具有较小分散度的硅溶胶，为CMP工艺提供了合格的精抛磨料。此成果完成后，用于微电子用抛...
关键词：
关键词：CMP技术
计算机硬盘盘基片纳米磨料CMP技术的研究
刘玉岭牛新环刘钠郝子宇张西慧赵卫平高金雍齐景爱
纳米级CMP抛光液是唯一的计算机硬盘基片最终抛光用料，每年全球有相当大的用量。目前国内研制、生产、销售计算机硬盘盘基片CMP抛光液的厂家寥寥无几。国内生产硬盘厂家所需抛光液基本靠进口。这就存在着较大的生产和采购风险，一旦...
关键词：
关键词：计算机硬盘
超大规模集成电路纳米磨料化学机械全局平面化新技术
刘玉岭王新檀柏梅刘钠张楷亮曹阳于广张德臣
主要内容：对国际上微电子技术发展的亟待解决的关键技术、衬底与立体结构多层布线的高平整、低损伤、高光洁、低沾污要求进行了理论及试验研究，并分别获得关键理论与技术突破。实现了铜抛光的低损伤(＜10nm)，高速率600nm/m...
关键词：
关键词：超大规模集成电路集成电路工艺化学抛光磨料
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0