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刘明

作品数:5 被引量:12H指数:2
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇红外
  • 3篇探测器
  • 3篇刻蚀
  • 3篇焦平面
  • 2篇红外焦平面
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇HGCDTE
  • 1篇电极
  • 1篇电极接触
  • 1篇液相外延
  • 1篇偏振
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇碲镉汞红外探...
  • 1篇铟柱
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇集成式
  • 1篇焦平面探测器
  • 1篇光刻

机构

  • 5篇华北光电技术...

作者

  • 5篇刘明
  • 3篇宁提
  • 2篇王成刚
  • 2篇孙浩
  • 2篇朱西安
  • 2篇胡小燕
  • 1篇孟令伟
  • 1篇林国画
  • 1篇谢珩
  • 1篇谭振

传媒

  • 3篇激光与红外
  • 1篇红外
  • 1篇首届全国先进...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2019
  • 2篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 × 256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm.
朱西安孙浩王成刚胡小燕刘明
关键词:干法刻蚀液相外延
文献传递
10μm间距红外探测器铟柱制备研究被引量:1
2022年
小间距红外探测器目前已成为红外探测器技术发展的一个重要方向。用于连接探测器芯片与读出电路芯片的铟柱的制备工艺水平成为影响器件性能的一个重要因素。介绍了一种10μm间距红外探测器铟柱的制备工艺。新工艺采用多次铟柱生长结合离子刻蚀的手段,最终剥离和制备出高度为8μm、非均匀性小于5%的10μm间距红外探测器读出电路铟柱,解决了用传统工艺制备小间距铟柱时高度不够的问题。该工艺的优势是无需进行两芯片端的铟柱制备,简化了工艺流程,为以后更小间距红外探测器铟柱的制备提供了思路。
马涛谢珩刘明宁提谭振
关键词:铟柱离子刻蚀红外探测器
集成式偏振红外焦平面探测器的制备被引量:7
2019年
集成式偏振红外焦平面探测器是红外探测器应用的新的发展方向,国内近几年开展了相关的研究工作,本文围绕集成式长波320×256碲镉汞偏振红外焦平面探测器的研制,叙述了从技术路线选择到偏振结构的设计、制备等方面开展的工作及阶段测试结果,这些工作为后续的研制打下了良好的基础。
林国画张敏孟令伟宁提刘明
关键词:光刻
碲镉汞红外探测器电极接触研究
2022年
金属/碲镉汞电极接触是红外焦平面探测器的重要组成部分,对器件的性能与稳定性影响较大。然而在碲镉汞金属化过程中,金属离子能量较高将有可能对碲镉汞表面造成损伤。本文采用了离子束沉积系统生长金属电极,探究了束流、束压以及热处理等条件对碲镉汞红外探测器接触性能的影响。研究表明,碲镉汞在生长电极后表面会受到一定程度的损伤;随着离子能量的升高,对材料表面损伤加剧。在I-V曲线中,电极沉积损伤较大的器件表现出软击穿现象;在热处理后,在一定程度上可以修复电极沉积时能量过大造成的损伤,提高了电极接触性能。
何斌刘明宁提陈书真祁娇娇
关键词:碲镉汞电极接触
HgCdTe微台面红外焦平面技术研究被引量:4
2005年
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm。
朱西安孙浩王成刚胡小燕刘明
关键词:HGCDTE干法刻蚀
共1页<1>
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