刘士文
- 作品数：11 被引量：11H指数：2
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- MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性
- 1996年
- 对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。
- 程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华
- 关键词：MOCVD多量子阱光致发光砷化镓ALGAAS
- 全文增补中
- MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性被引量：1
- 1994年
- 对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．
- 程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华
- 关键词：多量子阱子带红外辐射
- GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收
- 1997年
- 在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．
- 程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华
- 关键词：多量子阱结构红外吸收砷化镓铝镓砷
- MOCVD生长GaAs/AlGaAs量子阱研究被引量：1
- 1992年
- 利用常压MOCVD技术在较低生长速率下生长出多种GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,利用低温PL谱和TEM对材料结构进行了表征。所得势阱和势垒结构厚度均匀平整,最窄阱宽为1.8nm。本研究表明,低速率(γ≤0.5nm/s)连续生长工艺能够避免杂质在界面富集,优于间断生长工艺,且在掺si n^+-GaAs衬底上所得量子阱发光强度高于掺Cr SI-GaAs衬底上的结果。
- 任红文黄柏标刘士文刘立强徐现刚蒋民华
- 关键词：MOCVDGAAS/ALGAAS
- Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉被引量：2
- 2001年
- 由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致 .
- 程兴奎黄柏标徐现刚任红文刘士文蒋民华
- 关键词：多量子阱砷化镓ALGAAS
- MOCVD生长GaAs/AlGaAs清晰超薄异质外延材料
- 1992年
- 一、引言 GaAs/AlGaAs作为较理想的晶格匹配Ⅲ-V族半导体异质结构材料,具有较大的能带不连续性,因而其异质结及量子阱和超晶格已在许多新型微电子及光电子器件物理研究领域得到广泛的应用,如量子阱激光器(QWLD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、量子阱红外探测器(QWIRPD)等.MOCVD具有普适性、重复性、均匀性和大面积生产的特点,已成为制备高质量外延材料的重要手段.
- 刘士文任红文刘立强徐现刚黄柏标蒋民华
- 关键词：MOCVDGAAS异质结
- MOCVD法生长(Al,Ga)As碳掺杂机理研究被引量：1
- 1993年
- 分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3^-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。
- 黄柏标刘士文徐现刚任红文蒋民华
- 关键词：MOCVD法碳掺杂
- MOCVD法制备GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料被引量：3
- 1994年
- 本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来解决品格失配问题，利用ＳＥＭ和光学显微镜、Ｘ射线衍射仪、电子探针等测量、分析了外延层结构与组分、表面与断面形貌及其电学性质。测得ＧａＳｂ６／ＧａＡｓ结构中非有掺杂ＧａＳｂ层的Ｘ射线双晶摆曲线半峰小于１５０孤秒，霍尔迁移率μ＿ｐ（３００ｋ）＞６２０ｃｍ￣２／Ｖ·８，载流子浓度小于１×１０￣１６ｃｍ￣（－３），接近同质外延水平．
- 刘士文徐现刚黄柏标刘立强任红文蒋民华
- 关键词：锑MOCVD
- 全文增补中
- MOVPE生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格及其TEM表征
- 1992年
- 报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些用超晶格作缓冲层的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,观察到超晶格对生长面的平滑作用及间断生长造成的界面等.
- 徐现刚黄柏标任红文刘士文蒋民华
- 关键词：MOVPEXTEM
- MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价被引量：1
- 1993年
- 对常压 MOCVD 生长 GaAs/AIGaAs 掺杂多量子阱、超晶格及双极异质晶体管(HBT)和双势垒量子共振隧穿二极管(DBRTD)的生长工艺与结构性能的关系进行了研究。连续生长的量子阱材料载流子低温光荧光(PL)发光波长较间断生长结果蓝移,但强度为后者的10倍,且谱线也较窄。透射电镜(TEM)观察发现,间断生长界面间断处有一因组分波动和杂质吸附产生的亮条纹,且 AlGaAs/GaAs 和 GaAs/AlGaAs 两种异质界面不等同。利用连续生长工艺得到了间断生长未能实现的较高性能的 HBT、DBRTD 器件。
- 任红文刘士文徐现刚黄柏标蒋民华
- 关键词：化学汽相沉积砷化镓ALGAAS
