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党冀萍

作品数：15 被引量：38H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 7篇专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 7篇半导体
  • 5篇熔体
  • 5篇坩埚
  • 4篇金属
  • 3篇单晶
  • 3篇碳化硅
  • 3篇金属熔体
  • 3篇化合物半导体
  • 2篇单晶生长
  • 2篇原子
  • 2篇砷化镓
  • 2篇迁移
  • 2篇微波功率器件
  • 2篇功率器件
  • 2篇半导体器件
  • 2篇SIC
  • 2篇铟
  • 2篇垂直温度梯度
  • 1篇单晶制备
  • 1篇电路

机构

  • 10篇中国电子科技...
  • 3篇电子工业部
  • 2篇河北半导体研...

作者

  • 15篇党冀萍
  • 7篇邵会民
  • 7篇孙聂枫
  • 7篇李晓岚
  • 7篇王阳
  • 1篇卜爱民
  • 1篇刘忠山
  • 1篇王敬轩
  • 1篇钱静
  • 1篇王勇
  • 1篇马春雷
  • 1篇王永维
  • 1篇闫伟

传媒

  • 4篇半导体情报
  • 4篇半导体技术

年份

  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2017
  • 2篇1999
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法
一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法，涉及半导体材料的制备。装置包括炉体、坩埚、离心电机、注入系统，方法的关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上；将气泡注入金属熔体靠近坩...
党冀萍孙聂枫王书杰徐森锋史艳磊刘峥邵会民姜剑李晓岚王阳张晓丹康永刘惠生
微波功率器件及其电路被引量：4
1994年
简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。
党冀萍
关键词：微波功率器件电路
一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置
一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置，属于半导体材料制备领域，特别是在静态磁场作用下，采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的装置。包括主炉体、主炉体内的坩埚、坩埚外围的加热器和保温层，所述合成及生长装置还包...
党冀萍孙聂枫王书杰徐森锋史艳磊邵会民付莉杰卜爱民李晓岚王阳
n型GaAs上的欧姆接触被引量：9
1994年
本文介绍了欧姆接触的原理及测试方法，着重概述了近几年来在ｎ型ＧａＡｓ上制备欧姆接触所做的研究工作，介绍了改善欧姆接触特性的途径和方法。
党冀萍
关键词：半导体器件欧姆接触砷化镓N型
一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置
一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，涉及半导体制备领域，包括离心旋转电机、连接离心旋转电机的离心主轴、连接离心主轴水平设置的连接杆以及连接在连接杆上的晶体生长设备。所述晶体生长设备水平方向放置，包括炉侧盘、与炉...
王书杰孙聂枫怀俊彦徐森锋史艳磊邵会民刘峥党冀萍李晓岚王阳刘惠生
一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法
一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法，涉及半导体制备领域，所述方法包括：将分子式为AxBy的化合物半导体多晶、A元素的单质、籽晶依次紧密接触放置于坩埚中，并将坩埚水平放置在离心旋转设备上，加热坩埚至T<Sub>0...
王书杰孙聂枫怀俊彦徐森锋史艳磊邵会民刘峥党冀萍李晓岚王阳刘惠生
一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法
一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，首先将铟元素置于坩埚中，将磷元素置于辅助坩埚区域中心，然后加热并施加离心力，在离心力作用下，铟熔体围绕主坩埚区域形成筒状，铟元素与磷元素处于表面接触的分...
王书杰孙聂枫史艳磊刘峥邵会民党冀萍徐森锋姜剑李晓岚王阳张晓丹刘惠生
改善GaAs MESFET性能的新途径被引量：1
1996年
尽管ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ研制工艺已经成熟，但随着电子系统性能不断提高，对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ特性的几种新途径。
党冀萍
关键词：半导体器件砷化镓MESFET
纳米卫星发展现状及纳米卫星中的微电子技术被引量：15
1999年
介绍了用于地球观测、空间科学和技术演示的下一代超小型纳米卫星以及微电子技术和ＭＥＭＳ技术在纳米卫星中的应用。
党冀萍钱静
关键词：纳米卫星微电子技术微机械系统
半导体柔性制造工厂
1995年
半导体柔性制造工厂电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）党冀萍１半导体柔性制造随着微电子技术、计算机技术等高科技的飞速发展和军事武器装备更新换代周期的缩短，半导体产品制造面临着短周期、低成本、高质量的挑战。再加上我国市场经济逐步建立，市场竞争日...
党冀萍
关键词：半导体
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