王阳
- 作品数：122 被引量：21H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺化学工程更多>>
- 熔体温度对InP合成的影响
- 2016年
- 熔体温度的精准测量和合理控制是快速合成化学配比磷化铟(InP)的关键,并直接影响晶体质量。由于单晶炉内温度梯度较大并且熔体表面有一层三氧化二硼覆盖层,测量高温高压单晶炉内熔体温度精度不高,针对这一难题,通过分析热偶位置对其测量结果的影响,修正热偶测量温度与实际熔体温度的偏差,使测控精度由±30℃提高至±5℃。基于熔体温度测量准确度的提高,实验结果表明,在合成过程中随着磷注入量的增加,控制熔体温度从1 110℃逐步降低到接近InP熔点的1 070℃时,合成效果最佳,成功实现2 h可重复合成4.7 kg化学配比的InP。
- 杨建业王阳李帅李晓岚孙聂枫
- 关键词：磷化铟熔体温度原位合成
- 一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置
- 本发明提供一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，涉及半导体晶体制备技术领域。该半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：S1.首先将坩埚盖焊接或烧结至坩埚上，然后向坩埚内部放置固体氧化硼和固体磷化铟，然后将坩埚放...
- 王书杰孙聂枫邵会民徐森锋顾占彪张文雅史艳磊李晓岚王阳
- 一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法
- 一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法，涉及半导体制备领域，所述方法包括：将分子式为AxBy的化合物半导体多晶、A元素的单质、籽晶依次紧密接触放置于坩埚中，并将坩埚水平放置在离心旋转设备上，加热坩埚至T<Sub>0...
- 王书杰孙聂枫怀俊彦徐森锋史艳磊邵会民刘峥党冀萍李晓岚王阳刘惠生
- 一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统
- 本实用新型一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，本实用新型属于半导体技术领域，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，关...
- 孙聂枫王书杰史艳磊邵会民付莉杰李晓岚王阳徐森锋刘惠生孙同年
- 文献传递
- 一种液态磷注入法合成磷化铟的系统
- 本实用新型一种液态磷注入法合成磷化铟的系统，属于半导体技术领域，包括基于原位合成法的InP单晶炉、设置在单晶炉内的提拉式籽晶杆、石英磷泡、磷源炉及坩埚，关键在于：所述单晶炉内还设置有冷凝器，冷凝器包括充有冷却液的冷却箱和...
- 付莉杰孙聂枫王书杰李晓岚张鑫张晓丹史艳磊邵会民王阳
- 文献传递
- 一种合成半导体化合物的方法
- 一种合成半导体化合物的方法，涉及化合物半导体的制备领域，用于合成磷化铟、磷化镓等半导体材料，关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上，形成筒状；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置。在...
- 王书杰孙聂枫史艳磊刘峥邵会民姜剑李晓岚王阳邹学锋马春雷张晓丹康永刘惠生张鑫
- 一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置
- 本发明提供一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，属于半导体晶体合成与生长装置领域，采用的技术方案是一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，包括炉体、定位在炉腔内的合成与晶体生长系统及其配套的加热系统...
- 王书杰孙聂枫刘惠生孙同年史艳磊邵会民李晓岚王阳付莉杰
- 注入原位合成连续VGF/VB生长化合物半导体单晶的制备方法
- 本发明公开了一种注入原位合成连续VGF/VB生长化合物半导体单晶的制备方法，涉及半导体材料制造技术领域。本发明包括以下步骤：将籽晶、一种相对不易挥发的纯金属、多晶原料、氧化硼保护剂放入坩埚中；对坩埚进行分区升温加热，使原...
- 孙聂枫王书杰王阳刘惠生孙同年
- 文献传递
- 磷化铟单晶炉磷泡升降装置
- 本发明公开了一种磷化铟单晶炉磷泡升降装置，涉及单晶炉技术领域。所述升降装置包括：升降电机、旋转电机、支座、丝杠、升降座、密封组件、磷泡杆、磷泡、磷泡管。固定于支座上的升降电机用于实现磷泡杆升降，固定在升降座上的旋转电机用...
- 孙聂枫孙同年王阳李晓岚刘惠生邵会民史艳磊
- 文献传递
- 一种用于化合物半导体单晶的低位错生长方法
- 本发明提出了一种用于化合物半导体单晶的低位错生长方法，属于晶体制备技术领域，基于晶体生长装置实现，所述晶体生长装置包括密闭的炉体、炉体的坩埚、籽晶杆、观察窗、多段加热器和覆盖剂回收装置，所述覆盖剂回收装置包括回收器、回收...
- 史艳磊孙聂枫徐成彦秦敬凯王书杰岳琳清邵会民王阳李晓岚付莉杰张鑫
