俞根才
- 作品数：16 被引量：36H指数：4
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 宽禁带Ⅱ－Ⅵ族四元合金Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）成分的定量俄
- 1996年
- 用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和喇曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各元素的相对灵敏度因子进行修正，然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）的组分．
- 靳彩霞凌震诸长生俞根才王杰赵国珍
- 关键词：四元合金ZNMGSSE化合物半导体
- ZnCdSe/ZnSe量子阱中的反斯托克斯发光
- 王兴军魏彦锋盛传祥俞根才黄大鸣
- 关键词：反斯托克斯发光
- 分子束外延ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)超晶格光学特性
- 2003年
- 用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,主发光峰对应于阱层 Zn Se的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁 ,而且其峰位相对于 Zn Se薄膜的自由激子峰有明显蓝移 .从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动 。
- 史向华王兴军俞根才侯晓远
- 关键词：分子束外延超晶格光学特性X射线衍射谱光致发光性质
- GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性被引量：1
- 1998年
- 在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．通过比较２Ｋ下ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ和Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｔｅ／ＺｎＴｅ的低温光致发光谱和反射谱，发现ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ的由应力造成的红移更大，半宽也增大。
- 凌震靳彩霞俞根才王杰沈孝良张保平
- 关键词：砷化镓
- 分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究被引量：6
- 2003年
- 用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系 ,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的 ,这是由于界面失配位错引入外延层所致 ,理论分析与实验结果相吻合。
- 史向华王兴军俞根才侯晓远
- 关键词：分子束外延硒化锌相干长度薄膜生长化合物半导体
- ZnMgSSe／GaAs薄膜的分子束外延生长及其特性研究
- 1995年
- 我们用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长一种新型的Ⅱ－Ⅳ族宽禁带化合物薄膜Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ．改变生长条件，可以控制Ｍｇ和Ｓ的组分在０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１．Ｍｇ和Ｓ的组分用俄歇电子能谱测定．用Ｘ－射线衍射技术对样品结构进行的研究发现，对任意Ｍｇ和Ｓ的组分，ＺｎＭｇＳＳｅ均为闪锌矿结构．用椭圆偏振光谱仪对材料的能隙和折射率进行的研究表明，加入Ｍｇ以后ＺｎＭｇＳＳｅ样品的折射率比ＺｎＳＳｅ样品的折射率要小，并且ＺｎＭｇＳＳｅ样品的折射率随民的增大而变小．合理选择ｘ、ｙ，在２．８ｅＶ＜Ｅｇ＜３．６ｅＶ均能得到与ＧａＡｓ晶格匹配的Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ．
- 诸长生俞根才陈良尧王杰王迅
- 关键词：ZNMGSSE砷化镓分子束外延生长
- 分子束外延生长ZnO薄膜及性能研究被引量：3
- 2003年
- 用分子束外延 (MBE)和氧气氛方法 ,并改变束源炉和衬底生长温度 ,在Si(10 0 )衬底上 ,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题 ,生长得到ZnO薄膜。在ZnO Zn Si(10 0 )薄膜样品的X射线衍射 (XRD)谱中 ,观测到ZnO的 (10 0 )、(0 0 2 )、(10 1)、(10 2 )和 (10 3)等衍射峰 ;用原子力显微镜 (AFM)观测ZnO薄膜的表面形貌 ,为直径约 80— 90nm的量子点 ,表明已得到具有纳米结构的ZnO薄膜。用同步辐射EXAFS技术研究了ZnO薄膜的局域结构 。
- 周映雪史向华俞根才张新夷阎文胜韦世强谢亚宁
- 关键词：分子束外延ZNO薄膜扩展X射线吸收精细结构X射线衍射氧化锌
- ZnO薄膜的分子束外延生长及性能被引量：10
- 2004年
- 利用分子束外延 (MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(1 0 0 )、GaAs(1 0 0 )和蓝宝石Al2 O3(0 0 0 1 )衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn O化学计量比作缓冲层 ,改变衬底生长温度和氧压 ,并在氧气氛下 ,进行原位退火处理 ,得到ZnO薄膜。依据X射线衍射 (XRD)图 ,表明样品的结晶性能尚好 ,且呈c轴择优取向 ;实验结果表明在不同衬底上生长的ZnO薄膜 ,由于晶格失配度不同 ,其衍射峰也有区别。用原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌 ,为晶粒尺寸约几十纳米的ZnO纳米晶 ,且ZnO晶粒呈六边形柱状垂直于衬底的表面。采用掠入射X射线反射率法测膜厚。在 36 0nm激发下 ,样品的发光光谱是峰值为 4 1 0 ,5 1 0nm的双峰谱 。
- 周映雪俞根才吴志浩张新夷
- 关键词：氧化锌分子束外延X射线衍射纳米晶
- S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究被引量：3
- 1998年
- 用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的晶体质量，因此Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的效果明显优于（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液．
- 史向华靳彩霞凌震俞根才王杰侯晓远
- 关键词：硒化锌砷化镓衬底
- GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究被引量：1
- 1997年
- 用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性．其中，ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化．用改进了的随机元等位移（MREI）模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系，并与测量结果作了比较，理论和实验符合很好．
- 靳彩霞王东红凌震俞根才王杰黄大鸣侯晓远沈孝良姚文华
- 关键词：砷化镓衬底分子束外延合金
