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凌震

作品数：12 被引量：9H指数：2
供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 8篇晶格
  • 8篇超晶格
  • 6篇半导体
  • 5篇ZN
  • 5篇MN
  • 4篇导体
  • 4篇稀磁半导体
  • 4篇光谱
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇X
  • 3篇砷化镓
  • 3篇ZNTE
  • 3篇衬底
  • 3篇CD
  • 2篇散射
  • 2篇喇曼
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇光谱研究
  • 2篇光致

机构

  • 12篇复旦大学
  • 5篇北京大学
  • 4篇中国科学院长...
  • 2篇长沙电力学院
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇理化学研究所

作者

  • 12篇凌震
  • 8篇王杰
  • 7篇靳彩霞
  • 6篇俞根才
  • 5篇陈辰嘉
  • 5篇王迅
  • 5篇王学忠
  • 4篇刘继周
  • 3篇侯晓远
  • 3篇陈唏
  • 3篇王东红
  • 3篇李晓莅
  • 3篇沈孝良
  • 3篇黄大鸣
  • 3篇李海涛
  • 2篇史向华
  • 2篇吕少哲
  • 2篇孔祥贵
  • 1篇孙允希
  • 1篇柯练

传媒

  • 6篇Journa...
  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇光散射学报

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1999
  • 4篇1998
  • 4篇1997
  • 2篇1996
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究被引量：1
1999年
在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响，还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）。
李海涛陈辰嘉王学忠王学忠孙允希刘继周王迅孙允希孔祥贵
关键词：稀磁半导体超晶格光学性质
S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究被引量：3
1998年
用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的晶体质量，因此Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的效果明显优于（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液．
史向华靳彩霞凌震俞根才王杰侯晓远
关键词：硒化锌砷化镓衬底
ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格的喇曼散射被引量：2
1997年
在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引起的声子频移，与实验结果一致．
陈唏李晓莅刘继周刘继周周赫田王晶晶周赫田王学忠陈辰嘉凌震王杰
关键词：超晶格喇曼散射碲化锌
高组分稀磁半导体Cd_(1 -x)Mn_xTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究被引量：1
2002年
报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ,对子能级结构进行了计算 ,除x =0 8样品的 33H能量计算值与实验值有较大偏差外 ,实验结果与理论符合得很好 .还与光致发光谱实验结果进行了比较 .
陈辰嘉王学忠梁晓甘李海涛凌震王迅V BellaniM GeddoA StellaS TavazziA BorghesiA Sassella
关键词：超晶格
宽禁带Ⅱ－Ⅵ族四元合金Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）成分的定量俄
1996年
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和喇曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各元素的相对灵敏度因子进行修正，然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）的组分．
靳彩霞凌震诸长生俞根才王杰赵国珍
关键词：四元合金ZNMGSSE化合物半导体
GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究被引量：1
1997年
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性．其中，ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化．用改进了的随机元等位移（MREI）模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系，并与测量结果作了比较，理论和实验符合很好．
靳彩霞王东红凌震俞根才王杰黄大鸣侯晓远沈孝良姚文华
关键词：砷化镓衬底分子束外延合金
GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性被引量：1
1998年
在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．通过比较２Ｋ下ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ和Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｔｅ／ＺｎＴｅ的低温光致发光谱和反射谱，发现ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ的由应力造成的红移更大，半宽也增大。
凌震靳彩霞俞根才王杰沈孝良张保平
关键词：砷化镓
应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱
1998年
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．
史向华柯练靳彩霞魏彦峰魏彦峰俞根才凌震
关键词：应变层超晶格光致发光谱
Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究
1996年
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。
王东红黄大鸣靳彩霞刘晓晗凌震王杰
关键词：拉曼散射光谱ZNMGSSE分子束外延
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应
1997年
本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量，实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度的变化主要由其阱中ＺｎＳｅ能隙的变化所决定。
李晓莅陈唏刘继周刘继周王学忠陈辰嘉王学忠凌震
关键词：超晶格光致发光谱稀磁半导体
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