- 基于Ag/SiNWs肖特基势垒二极管的I-V温度特性研究
- 2010年
- 主要讨论了Ag/SiNWs肖特基势垒二极管(SBD)的I-V-T特性.常温(T=300 K)下,Ag/SiNWs SBD的理想因子为3.9,零偏压下的势垒高度ΦB为0.957 eV.在一定反向偏压(-0.1—-9 V)下,通过Ag/SiNWsSBD的反向电流(Js)随着温度(T)的升高明显增大,ln|Js|与-1000/T呈线性关系,当反向偏压为2.1 V左右时,其斜率最大为5.433.
- 马殿飞张健唐旸
- 关键词：硅纳米线表面修饰肖特基势垒二极管伏安特性
- 一种控制硅纳米线生长长度的方法
- 本发明公开了一种控制硅纳米线生长长度的方法，该方法使用水浴锅加热控制硅纳米线生长温度，通过控制温度来控制纳米线生长的长度。以解决现有湿法腐蚀制备硅纳米线中所存在的不易生成大长宽比硅纳米线的问题。且工艺简单可靠、成本低、可...
- 刘艳丽王志亮陈云马殿飞刘春冉侯慧娜于江江郑小东张健
- 文献传递
- Ag//SiNWs肖特基二极管温敏特性的研究
- 当半导体材料尺度至少在空间某一维度缩小到纳米尺度范围内/(1～100nm/)后,将派生出很多新颖的纳米效应—表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应,以此为基础可以衍生出各类具有应用潜力的纳米器件。21世纪初...
- 马殿飞
- 关键词：硅纳米线肖特基势垒二极管I-V特性温度敏感
- 文献传递
- 结构为Pt/SiNWs/n-Si/Al肖特基二极管的电子特性(英文)被引量：1
- 2011年
- 采用湿化学刻蚀法直接在n-Si衬底上制备了硅纳米线(Si NWs),用无电镀法在制备好的硅纳米线上修饰Pt纳米粒子作为上电极以形成结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管。研究了无电镀参数(如氯铂酸钾K2PtCl6浓度,无电镀时间)对结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管电流-电压的影响。从所得的电流-电压特性曲线中提取了肖特基二极管的三个特征参数(理想因子、势垒高度以及串联电阻),并分析了这三个特征参数与无电镀参数的关系,从而确定了一个制备结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al肖特基二极管的理想条件。研究还发现所制备的肖特基二极管理想因子大于1,势垒高度～0.67eV,与金属铂(Pt)的功函数无关,这些特性可以用巴丁模型来解释。
- 朱美光张健王志亮马殿飞
- 关键词：硅纳米线肖特基二极管
