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唐旸

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇修饰
  • 1篇势垒
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇肖特基势垒二...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇硅纳米线
  • 1篇二极管
  • 1篇伏安特性
  • 1篇AG
  • 1篇I-V
  • 1篇表面修饰

机构

  • 1篇华东师范大学

作者

  • 1篇张健
  • 1篇马殿飞
  • 1篇唐旸

传媒

  • 1篇鲁东大学学报...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于Ag/SiNWs肖特基势垒二极管的I-V温度特性研究
2010年
主要讨论了Ag/SiNWs肖特基势垒二极管(SBD)的I-V-T特性.常温(T=300 K)下,Ag/SiNWs SBD的理想因子为3.9,零偏压下的势垒高度ΦB为0.957 eV.在一定反向偏压(-0.1—-9 V)下,通过Ag/SiNWsSBD的反向电流(Js)随着温度(T)的升高明显增大,ln|Js|与-1000/T呈线性关系,当反向偏压为2.1 V左右时,其斜率最大为5.433.
马殿飞张健唐旸
关键词：硅纳米线表面修饰肖特基势垒二极管伏安特性
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共1页<1>
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