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陈昌明

作品数：9 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇材料芯片
  • 3篇离子注入
  • 2篇荧光谱
  • 2篇砷化镓
  • 2篇离子束
  • 2篇光谱
  • 2篇光荧光
  • 2篇光荧光谱
  • 2篇硅基
  • 2篇发光
  • 2篇半导体
  • 1篇掩膜
  • 1篇质子
  • 1篇离子
  • 1篇离子束合成
  • 1篇量子
  • 1篇纳米
  • 1篇精确控制
  • 1篇光材料
  • 1篇发光材料

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇陈昌明
  • 8篇朱德彰
  • 6篇潘浩昌
  • 5篇陆卫
  • 5篇李志锋
  • 5篇李明乾
  • 4篇缪中林
  • 4篇胡钧
  • 4篇李民乾
  • 4篇蔡炜颖
  • 4篇沈学础
  • 3篇徐文兰
  • 3篇袁先漳
  • 3篇陈平平
  • 3篇刘平
  • 1篇史国良
  • 1篇曹建清
  • 1篇刘兴权
  • 1篇陈贵宾
  • 1篇胡军

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇Journa...
  • 1篇核技术
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 2篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
硅基材料芯片的组合离子束合成及分析
1999年
用组合技术和离子束技术相结合的方法进行了硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元－材料芯片，并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）、质子弹性散射（ＰＥＳ）和扫描阴极射线发光（ＣＬ）特性分析。组合离子束技术的应用将大大提高材料研究的效率。
陈昌明潘浩昌朱德彰胡钧李民乾
关键词：材料芯片硅基发光材料
离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究被引量：8
2002年
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 .
陈贵宾陆卫缪中林李志锋蔡炜颖沈学础陈昌明朱德彰胡钧李明乾
关键词：离子注入半导体
GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究
2001年
用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。
缪中林陆卫陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡均李明乾
关键词：光荧光谱GAASALGAAS
一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法
本发明提供了一种快速合成材料芯片的离子注入方法,是将所需结构的掩膜逐次组合定位掩盖在基底材料上,顺序注入所需种类的离子,经热处理而快速合成大量具有不同成分材料单元的芯片,其单元和成分的分布可精确控制。该工艺与硅平面工艺相...
李民乾陈昌明朱德彰潘浩昌胡钧
文献传递
组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究被引量：1
2001年
用分子束外延系统 (MBE)生长了GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱 (ACDQW ) ,采用组合注入质子的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入剂量的GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱单元 ,没有经过快速热退火的过程 ,在常温下测量了不同注入剂量量子阱单元的显微光荧光谱和光调制反射光谱 ,发现了各区域子带间跃迁能量最大变化范围达到 81meV .由于样品未作高温热退火处理 ,为此由Al组分误差函数模型推导的扩散长度要大大高于扩散系数公式 .耦合量子阱的界面混合效应对于质子注入非常敏感 .
缪中林陈平平蔡炜颖李志锋袁先漳刘平史国良徐文兰陆卫陈昌明朱德彰潘浩昌胡军李明乾
关键词：半导体砷化镓
平行组合离子束技术及其在材料芯片研究中的应用
陈昌明潘浩昌李民乾陈长春
该项目的研究内容主要集中在平行组合离子注入技术及其应用研究。应用平行组合技术，结合离子束注入和微米束分析技术，并结合Mask技术和Mark技术进行自对准的离子注入，利用离子激发X射线分析（PIXE）对材料进行微区的二维成...
关键词：
关键词：材料芯片
组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用
1999年
将组合技术和离子束技术结合起来，用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅 基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元──材料芯片，并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐 背散射、质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。
陈昌明潘浩昌黄建鸣朱德彰曹建清叶伯年胡钧李民乾
关键词：离子束材料芯片硅基离子注入
组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱被引量：1
2001年
用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .
缪中林陆卫陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡军李明乾
离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片被引量：2
2000年
报道了用离子注入方法和组合技术制备的 Al Ga As/Ga As单量子阱多波长发光集成芯片 ,利用量子阱界面混合原理在同一块 Ga As衬底片上获得了 2 0多个发光波长从 787～ 72 4nm的 Ga As量子阱发光单元 ,研究了不同剂量的 As和 H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响 ,采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程 ,这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义 .
李志锋刘兴权陈昌明陈昌明陆卫沈学础朱德彰潘浩昌李明乾
关键词：砷化镓离子注入
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