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潘浩昌

作品数:28 被引量:34H指数:3
供职机构:中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金上海市博士后基金更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术化学工程更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇理学
  • 6篇电子电信
  • 4篇核科学技术
  • 3篇化学工程
  • 2篇医药卫生
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇离子注入
  • 4篇材料芯片
  • 3篇乙烯
  • 3篇聚乙烯
  • 3篇硅基
  • 2篇单晶
  • 2篇质谱
  • 2篇砷化镓
  • 2篇生物相容
  • 2篇生物相容性
  • 2篇团簇
  • 2篇离子
  • 2篇离子束
  • 2篇壳层
  • 2篇光谱
  • 2篇发光
  • 2篇改性
  • 2篇靶室
  • 2篇ND
  • 2篇SM

机构

  • 28篇中国科学院
  • 3篇上海第二医科...
  • 2篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 28篇潘浩昌
  • 24篇朱德彰
  • 17篇徐洪杰
  • 8篇曹建清
  • 8篇陈寿面
  • 8篇杨国华
  • 7篇陈景升
  • 6篇陈昌明
  • 5篇俞国庆
  • 5篇朱福英
  • 4篇李民乾
  • 4篇曹德新
  • 3篇何正瑞
  • 3篇胡钧
  • 3篇谢东珠
  • 3篇沈金根
  • 3篇陈黎华
  • 2篇张志滨
  • 2篇阎逢元
  • 2篇陆卫

传媒

  • 10篇核技术
  • 3篇物理学报
  • 3篇第八届全国核...
  • 2篇原子与分子物...
  • 1篇上海生物医学...
  • 1篇金属学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇解剖学杂志
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇中国腐蚀与防...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 4篇2000
  • 7篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 6篇1991
  • 3篇1990
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅基材料芯片的组合离子束合成及分析
1999年
用组合技术和离子束技术相结合的方法进行了硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了64个直径为2mm的单元-材料芯片,并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射(RBS)、质子弹性散射(PES)和扫描阴极射线发光(CL)特性分析。组合离子束技术的应用将大大提高材料研究的效率。
陈昌明潘浩昌朱德彰胡钧李民乾
关键词:材料芯片硅基发光材料
离子注入对超高分子聚乙烯磨损性能的影响被引量:11
1999年
用80keV不同剂量的C3H8+、N2+对超高分子聚乙烯样品进行离子注入,通过弹性反冲探测分析表面注入层H含量的变化,对样品表面在离子注入前后的磨损性能进行了测试。实验结果显示,离子注入以后样品表面氢含量减少,磨损性能增强。
朱福英陈景升潘浩昌曹建清朱德彰徐洪杰蔡青沈金根陈黎华何正瑞
关键词:离子注入聚乙烯磨损
团簇沉积C-N薄膜的研究被引量:2
2001年
利用荷能团簇沉积装置在高阻硅 ( 111)衬底上沉积了碳氮薄膜。通过红外光谱、拉曼谱和X光电子能谱对薄膜的结构和化学组分进行了分析。结果表明 ,薄膜中存在N -sp3C( β -C3N4 的键合方式 ) ,但以N -sp2 C和C =C双键的结合方式为主。
陈景升俞国庆张志滨潘浩昌朱德彰徐洪杰郑志豪阎逢元
关键词:碳氮薄膜硅基底光谱
一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法
本发明提供了一种快速合成材料芯片的离子注入方法,是将所需结构的掩膜逐次组合定位掩盖在基底材料上,顺序注入所需种类的离子,经热处理而快速合成大量具有不同成分材料单元的芯片,其单元和成分的分布可精确控制。该工艺与硅平面工艺相...
李民乾陈昌明朱德彰潘浩昌胡钧
文献传递
高剂量铂和钇离子注入Al_2O_3单晶的表面改性
1999年
研究了<0001>和<1210>晶向α-Al2O3单晶在高剂量的Y、Pt离子注入后产生的损伤,注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明,在室温,171keV、1×1017/cm2Y离子注入的<1210>α-Al2O3单晶的表面层约有139nm厚被无定形化。而158keV、9×1017/cm2Pt离子注入的<0001>α-Al2O3单晶的表面层不产生无定形,且实际离子注入进衬底的剂量只有2.65×1016/cm2,绝大部分在注入过程中被溅射掉。注入后其表面层的硬度提高了大约50%。表面层的电阻率降低了12个数量级。在空气中退火后形成了随机取向的纳米量级大小的Pt微晶,表面层的硬度也有所降低,但仍稍高于未注入的单晶硬度。
谢东珠朱德彰潘浩昌曹德新徐洪杰
关键词:离子注入表面改性
用RBS和RNR研究表面涂覆CeO_2对Fe-25Cr合金高温氧化的影响被引量:1
1991年
一、引言许多研究结果表明,将微量 Ce、Y、Hf 和 Th 或其氧化物添加于形成 Cr_2O_3保护层的 Fe~Cr 系合金中可以大大提高抗氧化性能。一些结果还表明,把这些活性元素的氧化物用涂覆方法或溅射方法作用合金表面,合金的抗氧化性能也同样可以得到改善。尽管已有许多模型试图解释这种活性元素的作用,但迄今为止,还没有一个为人们所普遍接受。
俞方华潘浩昌沈嘉年杨国华李铁藩朱德彰陈寿面曹建清曹德新
关键词:高温氧化CEO2
硫对注入YSZ单晶的金属铂在退火过程中结晶的影响
1998年
用卢瑟福背散射-沟道技术(RBS-C)和X射线衍射技术(XRD)研究了Pt和S注入YSZ(Y2O3稳定的ZrO2)后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Pt的晶化。RBS-C分析表明YSZ在室温下注入存在较强自退火效应;XRD分析结果示出硫对铂的晶化产生很大影响。
谢东珠朱德彰曹德新潘浩昌徐洪杰
关键词:离子注入氧化钇YSZ氧化锆
超高分子聚乙烯经离子注入后生物相容性研究被引量:5
1999年
目的:研究经离子注入后的高分子聚乙烯的生物相容性。方法:按照美国材料协会ASTM标准,进行了全身急性毒性试验,热原试验,细胞毒性试验,微核试验和肌肉长期植入试验。结果:经离子注入的超高分子聚乙烯样品符合各项试验标准,并与对照样品在试验过程中出现的情况一致。结论:经离子注入的超高分子聚乙烯样品与末经离子注入的已在临床上使用的超高分子聚乙烯具有相同的生物相容性,为临床上作为人工材料应用提供了试验依据。
陈黎华陈明峰沈金根蔡青顾秀君何正瑞朱福英陈景升潘浩昌曹建清
关键词:离子注入聚乙烯生物相容性生物材料
Ar^+离子束轰击在石墨表面形成六方金刚石纳米晶的研究被引量:5
2000年
在 0 .6keVAr+高剂量 (~ 10 2 2 /cm2 )辐照石墨表面 ,借助于高分辨透射电子显微镜 (HRTEM ) ,发现有六方金刚石纳米晶产生 .它们的平均直径介于 1— 5 0nm之间 ,而且晶粒个数约随其直径的增大而直线减少 .有趣的是 ,晶粒具有两种结构模式 :直径小于 10nm的晶粒为单晶结构 ,而直径大于 10nm的为多晶结构 .基于受离子轰击过程特点制约的六方金刚石晶粒成核和成长观点 。
王震遐俞国庆阮美龄朱福英朱德彰潘浩昌徐洪杰
关键词:离子轰击氩离子石墨
超高真空离子束分析靶室系统
我所已建成我国自行设计制造的第一台超高真空(UHV)离子束分析靶室系统。靶室主体是Φ500×500mm 的圆柱体,基础真空度为2.7×10Pa。靶室顶部装有可三维转动,三维平动的定角器,靶子可加热到1200℃。一耐烘烤半...
朱德彰潘浩昌杨国华陈寿面徐洪杰
文献传递
共3页<123>
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