杨国华
- 作品数：11 被引量：11H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
- 相关领域：理学核科学技术金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 一个低能原子和分子离子与固体表面相互作用的实验装置
- 1990年
- 低能原子和分子离子与固体表面的相互作用是表面物理和表面化学研究的重要手段。低能离子放射(LETS)已逐渐成为一种表面成分和表面晶格结构的分析工具。近几年发展起来的分子表面散射已在表面科学领域开拓了很多令人兴趣的重要研究课题。目前国内还尚未开展这类工作。本文将介绍我们建立的国内第一个低能原子和分子离子与固体表面相互作用的实验装置,该装置包括一个低能离子源系统和一个超高真空靶室系统。
- 潘浩昌朱德彰杨国华陈寿面曹建清徐洪杰
- 关键词：分子离子表面散射晶格结构表面物理电子碰撞靶室
- 用RBS和RNR研究表面涂覆CeO_2对Fe-25Cr合金高温氧化的影响被引量：1
- 1991年
- 一、引言许多研究结果表明,将微量 Ce、Y、Hf 和 Th 或其氧化物添加于形成 Cr_2O_3保护层的 Fe～Cr 系合金中可以大大提高抗氧化性能。一些结果还表明,把这些活性元素的氧化物用涂覆方法或溅射方法作用合金表面,合金的抗氧化性能也同样可以得到改善。尽管已有许多模型试图解释这种活性元素的作用,但迄今为止,还没有一个为人们所普遍接受。
- 俞方华潘浩昌沈嘉年杨国华李铁藩朱德彰陈寿面曹建清曹德新
- 关键词：高温氧化CEO2
- 低能氮离子注入形成氮化硅,氮氧化硅的研究
- 1997年
- 柴剑维杨国华
- 关键词：氮化硅离子注入硅氮氧化硅
- 超高真空离子束分析靶室系统
- 我所已建成我国自行设计制造的第一台超高真空(UHV)离子束分析靶室系统。靶室主体是Φ500×500mm 的圆柱体,基础真空度为2．7×10Pa。靶室顶部装有可三维转动,三维平动的定角器,靶子可加热到1200℃。一耐烘烤半...
- 朱德彰潘浩昌杨国华陈寿面徐洪杰
- 文献传递
- He离子激发Ce、Nd、Sm、Gd和DyL次壳层电离截面
- 在过去十年中,许多研究工作都涉及了 He 离子激发稀土元素原子 L 次壳层电离截面稠量。为了满足进一步研究的需要,在本工作中我们测量了0．5MeV—3．3MeV He 离子激发 Ce,Nd,Sm,Gd 和 Dy L 次壳...
- 徐洪杰杨国华朱德彰潘浩昌陈寿面
- 文献传递
- 质子弹性散射测量材料中的轻元素
- 质子弹性散射(PES)不仅保留了常规 He 离子卢瑟夫背散射(RBS)的特点,而且还克服了常规 RBS 对轻元素不灵敏的缺点。由于质子散射截面与散射角度有强烈的依赣关系,本工作首先铡量了1．0—3．8NeV P 在散射角...
- 杨国华朱德彰潘浩昌徐洪杰陈寿面
- 文献传递
- MeV质子和^+He离子产生的^(60)Nd、^(62)Sm、^(63)Eu和^(70)YbL L次壳层电离
- 1990年
- 过去几年中,MeV的质子和+He离子等轻离子轰击中、高Z元素产生L次壳层电离截面的测量研究仍然吸引了国际上许多实验室的注意。这是由于L次壳层电离截面的知识不仅对于发展托克马克、等离子体物理、离子注入和PIXE技术等有重要意义,而且精确的L次壳层电离截面的数据可以用来检验各种电离现象理论模型的正确性,这样的检验可以加深人们对内壳层电离物理机理的理解。
- 徐洪杰陈寿面杨国华潘浩昌朱德彰
- 关键词：壳层EUMEVNDSM等离子体物理
- 荷能团簇离子冲击表面非线性效应和低损伤层研究及应用
- 朱德彰曹德新杨国华曹建清谢东珠紫剑维潘冀生
- 进行了Mo、Ti等荷能团簇成膜研究，RBS和AFM等探测手段对薄膜质量和沉积参数的关系进行了初步探讨；制备了金黄色色泽的TiN硬质薄膜，具有较高的硬度、较低的摩擦系数及较好的耐磨损性能；研究表明发光薄膜中C以游离的形式存...
- 关键词：
- 离子束分析Mylar薄膜引起的损伤研究
- 离子束分析(IBA)技术已广泛应用于半导体、金属材料的分析研究中。但是 IBA 技术用于分析聚合物材料可能会引起材料本身性质和成分的变化。本文用卢瑟夫背散射(RBS)和质子前向反冲(PFR)测量了由分析束引起的1．5um...
- 杨国华朱德彰潘浩昌徐洪杰陈寿面
- 文献传递
- 活性元素Y和Ce对Fe-25Cr-40Ni合金高温氧化的影响被引量：10
- 1992年
- 用离子背散射和慢正电子束研究了活性元素Y和Ce对Fe-25Cr—40Ni合金在高温初期氧化动力学、氧化膜表层成份和微观缺陷结构的影响,实验结果表明了微量活性元素(≥0.05%)在高温氧化初期显著减少了合金的氧化速率,有效地促进了Cr_2O_3的生长,抑制了Fe和Ni氧化物的形成,改善了氧化膜的微观结构,活性元素结合进入氧化膜并在外层膜中(约几十nm)富集,活性元素Ce抗氧化机理不同于Y,Ce使合金氧化膜的空位缺陷显著降低,主要控制了阳离子沿晶格空位向外扩散,而含Y合金由氧化初期主要控制阳离子沿晶格扩散转变为主要控制阳离子沿晶界向外扩散。
- 俞方华杨国华韩荣典翁惠民沈嘉年
- 关键词：高温活性元素
