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陆锦兰

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇抛光
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇隔离层
  • 1篇隔离区
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀

机构

  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇吴佛春
  • 1篇徐元森
  • 1篇严金龙
  • 1篇陈明琪
  • 1篇陆锦兰

年份

  • 1篇1987
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
抛光法U形槽隔离技术
本发明是抛光法U形槽隔离技术，属于集成电路元件间隔离层制造技术的改进。它采用反应离子刻蚀腐蚀隔离槽，然后用多晶硅填槽。本发明用化学或化学机械抛光法代替反应离子刻蚀来抛光削平表面多晶硅。使隔离工艺简单，便于控制，成本低，隔...
徐元森陈明琪吴佛春曹树洪严金龙陆锦兰何德淇谢明纲周弼芸
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