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阎桂珍

作品数:19 被引量:20H指数:3
供职机构:北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
相关领域:电子电信动力工程及工程热物理机械工程更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 9篇电路
  • 8篇集成电路
  • 5篇电路工艺
  • 5篇微电子
  • 5篇集成电路工艺
  • 4篇金属
  • 3篇微电子机械
  • 3篇微电子机械系...
  • 3篇离子刻蚀
  • 3篇刻蚀
  • 3篇反应离子
  • 3篇反应离子刻蚀
  • 3篇SOI
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  • 3篇MOSFET
  • 3篇超大规模集成
  • 3篇超大规模集成...
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇全耗尽
  • 2篇自对准

机构

  • 19篇北京大学
  • 2篇香港科技大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 19篇阎桂珍
  • 11篇王阳元
  • 6篇张大成
  • 5篇武国英
  • 4篇张利春
  • 3篇张太平
  • 3篇陈正豪
  • 3篇邢怡铭
  • 3篇孙玉秀
  • 3篇钱钢
  • 3篇魏丽琼
  • 3篇李映雪
  • 3篇程玉华
  • 2篇单建安
  • 2篇王咏梅
  • 2篇张国义
  • 2篇郝一龙
  • 2篇林兆军
  • 1篇张录
  • 1篇朱德忠

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇工程热物理学...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十届全国电...

年份

  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅的深槽刻蚀技术
硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法,采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300至1000)作掩膜,利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽,刻蚀气体选用对设备危害程度很...
张利春钱钢阎桂珍王咏梅王阳元
文献传递
薄膜全耗尽SOI MOSFET单晶体管Latch效应被引量:1
1995年
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽MOSFET单晶体管Latch效应测试结果的基础上,较为详细地讨论了单晶体管Latch效应的物理机理,发现单管Latch效应与MOSFET的寄生双极晶体管有着极其密切的关系,最后还给出了相应的改进措施。
魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词:场效应晶体管SOI
一种新的硅深槽刻蚀技术研究被引量:3
1994年
本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术.实验中采用一种新材料──氮化锆(ZrN)作为反应离子刻蚀的掩模,所需掩模厚度约500.采用氟基气体SF6作为刻蚀气体,并附加Ar和O2,这样刻蚀过程中在槽的侧壁会形成氧化硅作为阻挡刻蚀层,结果得到了深约6μm,侧壁垂直接近90°的硅深槽.
钱钢张利春阎桂珍王咏梅张大成王阳元
关键词:深槽刻蚀反应离子刻蚀
Au-GaN肖特基结的伏安特性被引量:5
2000年
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga
林兆军张太平武国英王玮阎桂珍孙殿照张建平张国义
关键词:MBEMOCVD肖特基结伏安特性氮化镓
射流角速度传感器及其制备方法
本发明提供了一种射流角速度传感器及其制备工艺,属于微电子机械系统设计及加工领域。该传感器包括两个振动腔、四个整流腔和一个检测腔,振动腔内气体被驱动可循环,在每个振动腔两侧分别设有两个整流腔,被驱动的气体经整流腔流入检测腔...
杨楷周健阎桂珍
文献传递
超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制被引量:2
2000年
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 .
奚雪梅张兴倪卫华阎桂珍王阳元
关键词:CMOS/SOI环振电路集成电路
硅的深槽刻蚀方法
硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法,采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜,利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽,刻蚀气体选用对设备危害程度很...
张利春钱钢阎桂珍王咏梅王阳元
文献传递
一种CMOS电路与体硅微机械系统集成的方法
本发明公开了一种将单片CMOS与体硅微机械系统集成的方法,其技术方案为:1)形成隔离槽:采用深槽刻蚀,SiO<Sub>2</Sub>和多晶硅填充,实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘;2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路...
阎桂珍郝一龙朱泳王成伟张大成王阳元
文献传递
硅腐蚀液及其制备方法
本发明涉及一种硅腐蚀液及其制备方法。本发明用5wt.%TMAH腐蚀液,在恒温85℃左右,溶解1.4-2.0wt.%的硅,然后加入0.4-0.7wt.%的过硫酸铵,溶解后得到硅腐蚀液。在微电子机械系统加工中,该腐蚀液既能对...
阎桂珍陈正豪单建安邢怡铭王阳元
文献传递
扭转微镜光学致动器研究被引量:3
2003年
应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术研制了新型扭转微镜光学致动器 ,实现了致动器结构与具有光纤自固定、自对准功能的新型光纤定位保持结构的单片集成。新型扭转微镜光学致动器的机电和光学特性研究表明 ,其工作寿命超过 10 8次动作 ,最小动作时间估计可低于2ms ,存在驱动微镜自然地翻转 90°角的静电阈值电压和维持微镜处于已翻转 90°角状态的静电最低保持电压 ;其微镜的表面粗糙度及其分布基本满足光的波分复用技术等的应用要求。新型扭转微镜光学致动器可在光纤网络中作为光开关或可变光衰减器使用。设计、制作及研究了由新型扭转微镜光学致动器组成的 2×
吴文刚栗大超袁勇孙卫阎桂珍郝一龙靳世久
关键词:致动器光开关光纤通信
共2页<12>
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