张太平
- 作品数：16 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划“九五”国家科技攻关计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程航空宇航科学技术电气工程更多>>
- ALsi金属化工艺和Ti/ALsi金属化工艺对大面积PIN光电二极管芯片暗电流的影响
- 在制造PIN光电二极管的过程中,我们选用溅射Ti/ALsi,经湿法腐蚀后,测试芯片暗电流,发现在偏压比较高时暗电流增大,不符合要求.于是对比进行溅射ALsi,同样用湿法腐蚀后,测试芯片暗电流.试验对比表明,在同样偏压下,...
- 王玮张太平宁宝俊王兆江张录
- 关键词：PIN光电二极管溅射金属化工艺
- 文献传递
- PIN光电探测器光学补偿
- 半导体探测器有不同的材料和不同的结构,可以探测不同的粒子及辐射。硅基的PIN光电二极管的光谱特性是380-1100纳米。但是,靠近紫外的波段,硅光电二极管的灵敏度就比较差了。为了提高硅器件紫波段的量子效率,可以在探测器的...
- 张太平张录宁宝俊田大雨张洁天
- 关键词：量子效率增透膜
- 文献传递
- 适用于GSM1800移动通信基站前端的高温超导滤波器和子系统原理样机被引量：3
- 2002年
- 研制成功可用于移动通信基站接收机前端的高温超导子系统原理样机.该子系统以GSM1800移动通信基站系统为应用背景.它由高温超导滤波器、低噪声放大器、脉冲管制冷机和相关电路组成.工作频段 1710～1785 MHz,增益 18 dB,工作温度70K.
- 何豫生黎红何艾生李顺洲李春光张雪强袁鹍阎令文朱文秀周远梁惊涛张太平何艾生张太平洪嘉生
- 关键词：高温超导滤波器原理样机脉冲管制冷机
- 超薄硅基粒子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；...
- 李科佳王金延田大宇张录张太平金玉丰
- 文献传递
- 离子注入PIN辐射探测器性能测试
- 利用先进的微电子、微机械加工技术,我们研制了300μm、450μm、600μm、800μmm和1000μm等五种离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300μm、450μm和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分...
- 陈鸿飞邹积清田大宇张太平宁宝俊张录
- 关键词：半导体探测器噪声分辨率
- 文献传递
- 制备光电探测器的方法
- 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并...
- 张太平宁宝俊田大宇张洁天张录倪学文王玮李静马连荣王兆江袁坚郭昭乔
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- 制备光电探测器的方法
- 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计,宽引线铝覆部分场区,氯离子处理炉管,在有氢气氛的低温炉中退火,慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高,暗电流小,结电容小,响应速度快,光谱响应范围广,参数优异并...
- 张太平宁宝俊田大宇张洁天张录倪学文王玮李静马连荣王兆江袁坚郭昭乔
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- 超薄硅基粒子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；...
- 李科佳王金延田大宇张录张太平金玉丰
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- ｎ－ＧａＮ肖特基结
- ＢＥ和ＭＯＣＶＤ两种方法制备的ｎ－ＧａＮ材料上，通过热蒸发、离子束溅射和光快速退火等工艺，制作了Ａｕ－ＧａＮ肖特基结和Ｔｉ／Ａ１／Ｔｉ／Ａｕ－ＧａＮ欧姆接触，并在室温测定了肖特基结的Ｉ－Ｖ特性。分析表明。ＧａＮ材料的载流...
- 张太平林兆军孙展照张国义武国英阎桂珍
- 关键词：肖特基结势垒高度
- Au-GaN肖特基结的伏安特性被引量：5
- 2000年
- 在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga
- 林兆军张太平武国英王玮阎桂珍孙殿照张建平张国义
- 关键词：MBEMOCVD肖特基结伏安特性氮化镓
