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钟灿

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：福州大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇旋涂
  • 1篇酮类
  • 1篇绝缘强度
  • 1篇刻蚀
  • 1篇碱性溶液
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶
  • 1篇干法刻蚀

机构

  • 1篇福州大学

作者

  • 1篇于映
  • 1篇吴清鑫
  • 1篇吴孙桃
  • 1篇罗仲梓
  • 1篇钟灿

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺
本发明涉及PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其步骤为(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，干后，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，放置到碱性溶液中显影，待显出所需图形后取出，冲洗，干后即可。(2)把带有光刻胶的基片放入PEC...
于映吴孙桃罗仲梓钟灿吴清鑫
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