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吴清鑫

作品数：16 被引量：85H指数：5
供职机构：苏州市职业大学电子信息工程系更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金国家留学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 6篇射频MEMS...
  • 6篇开关
  • 5篇氮化硅
  • 4篇氮化硅薄膜
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇氮化
  • 3篇力学性能
  • 3篇PECVD
  • 3篇力学性
  • 2篇射频
  • 2篇射频开关
  • 2篇微机电系统
  • 2篇绝缘强度
  • 2篇机电系统
  • 2篇高职
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇PECVD法
  • 2篇MEMS
  • 2篇残余应力

机构

  • 10篇苏州市职业大...
  • 9篇福州大学
  • 8篇厦门大学
  • 2篇南京邮电大学

作者

  • 16篇吴清鑫
  • 10篇陈光红
  • 10篇于映
  • 10篇罗仲梓
  • 1篇张春权
  • 1篇吴孙桃
  • 1篇陈伟元
  • 1篇吴尘
  • 1篇金小华
  • 1篇钟灿

传媒

  • 3篇科技资讯
  • 2篇中国仪器仪表
  • 2篇功能材料
  • 1篇集美大学学报...
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇苏州市职业大...
  • 1篇职业技术
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 5篇2005
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用被引量：15
2006年
氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响.应用氮化硅薄膜作为悬梁,制作了射频MEMS开关.
于映吴清鑫罗仲梓
关键词：氮化硅薄膜杨氏模量MEMS射频开关
AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用被引量：23
2005年
研究了AZ5214E反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚 2μm的金薄膜。用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面。
陈光红于映罗仲梓吴清鑫
对高职高专《模电》教学的几点思考被引量：4
2008年
描述了高职高专中《模电》教学的现状及存在的问题,就《模电》的理论讲解、实验及考核方式等提出了几点改进措施。
吴清鑫陈光红
关键词：高职高专
PECVD法生长氮化硅工艺的研究被引量：33
2007年
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。
吴清鑫陈光红于映罗仲梓
关键词：PECVD氮化硅射频MEMS开关
PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺
本发明涉及PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其步骤为(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，干后，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，放置到碱性溶液中显影，待显出所需图形后取出，冲洗，干后即可。(2)把带有光刻胶的基片放入PEC...
于映吴孙桃罗仲梓钟灿吴清鑫
文献传递
微机电系统(MEMS)中薄膜力学性能的研究被引量：1
2007年
主要介绍微机电系统(MEMS)中几种测量薄膜力学性能的方法,如纳米压入法、单轴拉伸法、基底弯曲法、微旋转结构法,比较了各种方法的优缺点。这对MEMS器件的设计与研究具有重要意义。
陈光红吴清鑫于映罗仲梓
关键词：力学性能MEMS
浅谈《电路分析基础》中“节点电位法”的教学
2009年
介绍了《电路分析基础》课程中"节点电位法"的适用范围、使用步骤、使用注意事项,举例说明学生在学习中经常出现的几种错误类型,在教学中通过一题多解的方法强化学生对节点电压法、网孔电流法的理解和应用。
吴清鑫陈光红
关键词：节点电位法网孔电流法叠加定理
悬臂梁接触式RF MEMS开关的关键工艺研究被引量：1
2009年
采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导（CPW）、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁，制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关。着重对开关的关键工艺-CPV的Au剥离工艺和悬臂梁制作工艺进行研究，讨论了工艺中存在的问题及其解决方法。通过实验获得较佳的工艺参数，并制作出驱动电压为12-20V的悬臂梁接触式RF MEMS开关。
吴清鑫陈光红于映罗仲梓
关键词：射频MEMS开关悬臂梁
射频MEMS开关的研究
2008年
概述射频MEMS开关的研究背景及意义,介绍国内外射频MEMS开关的研究现状,列举出两种主要的射频MEMS开关:电容耦合并联式开关和金属-金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较。
陈光红吴清鑫于映罗仲梓
关键词：射频MEMS开关
氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用
随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展，越来越多的薄膜材料被应用于MEMS中，制作成MEMS器件的微机械结构。而氮化硅薄膜具有高弹性模量、抗疲劳强度和折断强度等优良的力学性能，是在MEMS中应用最广泛的薄膜材料之一。目...
吴清鑫
关键词：氮化硅力学性能射频开关微机电系统化学气相沉积
文献传递
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