您的位置： 专家智库 > >

邵烨

作品数：10 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇量子级联
  • 8篇激光
  • 8篇激光器
  • 6篇量子级联激光...
  • 3篇一维光子晶体
  • 3篇晶体
  • 3篇光子
  • 3篇光子晶体
  • 2篇调制
  • 2篇性能指标
  • 2篇英文
  • 2篇输运
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇腔面
  • 2篇阈值电流
  • 2篇阈值电流密度
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇量子点激光器
  • 2篇量子输运

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇邵烨
  • 9篇刘峰奇
  • 9篇李路
  • 7篇刘俊岐
  • 6篇王占国
  • 2篇郭瑜
  • 2篇卓宁
  • 2篇王利军
  • 2篇刘俊歧
  • 2篇张锦川
  • 1篇梁平
  • 1篇胡颖
  • 1篇孙虹

传媒

  • 3篇Journa...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 5篇2007
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
5.36μm InP基一维光子晶体量子级联激光器(英文)被引量：1
2008年
制作了基于InP基量子级联激光器的一维光子晶体.采用普通光学曝光的方法代替电子束曝光,结合反应耦合等离子刻蚀,在激光器的一侧腔面制作出4个周期的空气/半导体对作为Bragg反射器.对于一个22μm宽,2mm长的正焊器件,80K下的光谱测试证实了其准连续激射,激射波长为5.36μm.
李路邵烨刘俊岐刘峰奇王占国
关键词：量子级联激光器光子晶体准连续波
一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法
本发明一种一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；一量子级联激光器谐振腔，该量子级联激光器谐振腔制作在衬底上；一一维光子晶体结构，该一维光子晶体结构由深刻蚀形成的空气介质与激光器材料介质...
邵烨刘峰奇刘俊歧李路
文献传递
GaAs/AlGaAs量子级联激光器自脉动动力学
2007年
利用步进扫描时间分辨傅里叶变换红外光谱,研究了波长9.76μm GaAs/AlGaAs量子级联激光器的准连续波激射谱.在驱动电流周期内,时间上堆叠的发射谱能够观察到明显的光强自脉动现象.有源区中的自加热积累大大影响了电子的驰豫和输运性质.热引起的在注入区较高子能级中占据的载流子由于这些子能级与下一注入区的连续态形成共振条件而泄露,而耦合阱有源区中第四子能级的存在加快了这个过程.周期性破坏和恢复的共振条件所引起的载流子泄露在很大程度上导致了时域堆叠光谱的自脉动.
刘俊岐刘峰奇李路邵烨郭瑜王占国
关键词：量子级联激光器自脉动分子束外延
9.0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化(英文)
2007年
通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9·0μmGaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子,从而对其波导结构进行优化.计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响.给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度.
李路刘峰奇邵烨刘俊岐王占国
关键词：量子级联激光器转移矩阵法有效折射率法
量子点级联激光器
本发明公开了一种量子点级联激光器，包括下波导、量子点有源区层以及上波导，所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；量子点插层，用于实现量子点参...
刘峰奇卓宁李路邵烨刘俊岐张锦川王利军王占国
文献传递
量子点级联激光器
本发明公开了一种量子点级联激光器，包括下波导、量子点有源区层以及上波导，所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；量子点插层，用于实现量子点参...
刘峰奇卓宁李路邵烨刘俊岐张锦川王利军王占国
一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法
本发明一种一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；一量子级联激光器谐振腔，该量子级联激光器谐振腔制作在衬底上；一一维光子晶体结构，该一维光子晶体结构由深刻蚀形成的空气介质与激光器材料介质...
邵烨刘峰奇刘俊歧李路
文献传递
太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法
一种太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：取一半绝缘砷化镓衬底；步骤2：利用分子束外延技术在半绝缘砷化镓衬底上生长N型砷化镓下欧姆接触层，用来制作下欧姆电极；步骤3：在下欧姆接触...
李路刘峰奇刘俊岐邵烨王占国
文献传递
5.5μm应变补偿量子级联激光器研究
量子级联激光器以其丰富的物理内涵、独特的性能成为中远红外乃至太赫兹波段最具应用潜能的光源之一。本文以InP基应变补偿InGaAs/InAlAs材料体系和波长5.5μm有源区设计为基础，研究了大应变补偿材料体系、注入区掺杂...
邵烨
关键词：量子级联
GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆...
刘俊岐刘峰奇李路邵烨郭瑜梁平胡颖孙虹
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0