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李路
作品数:
36
被引量:14
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘峰奇
中国科学院半导体研究所
刘俊岐
中国科学院半导体研究所
王占国
中国科学院半导体研究所
王利军
中国科学院半导体研究所
陆全勇
中国科学院半导体研究所
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2007
1篇
2006
1篇
2005
共
36
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带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器及其制作方法
一种带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器,包括:一衬底;一下波导层生长在衬底之上,且中间有一凸台,凸台的两侧形成脊型双沟台面结构;一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上;一上波导层生长在量子级联有源区结构之上;一...
尹雯
陆全勇
张伟
刘峰奇
张全德
刘万峰
江宇超
李路
刘俊岐
王利军
王占国
文献传递
量子点级联激光器
本发明公开了一种量子点级联激光器,包括下波导、量子点有源区层以及上波导,所述量子点有源区层是多周期级联的,其每个周期包括:多个量子阱/垒对,用于对其能带结构进行调整,以提供电子的量子输运通道;量子点插层,用于实现量子点参...
刘峰奇
卓宁
李路
邵烨
刘俊岐
张锦川
王利军
王占国
文献传递
短腔长单模量子级联激光器
2006年
报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器.
刘峰奇
郭瑜
李路
邵晔
刘俊岐
路秀真
王占国
斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法
一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法,其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器,包括:一InP衬底;一InP波导限制层制作在InP衬底上;一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上;一应变补偿有...
陆全勇
张伟
王利军
刘俊岐
李路
刘峰奇
王占国
红外量子级联激光器材料和器件
刘峰奇
王占国
郭瑜
路秀真
刘俊岐
常秀兰
金鹏
梁平
胡颖
孙虹
李路
邵晔
李成明
徐波
陈涌海
量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极光源,中科院半导体研究所材料科学重点实验室在量子级联激光器研究中取得突破性进展。研制出了世界上第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/InAl...
关键词:
关键词:
量子级联激光器
红外
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域,特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括:步骤1:在分子束外延系统中,将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温;步骤2:裂解区降温并将红磷区升温;步骤3:关闭...
李路
刘峰奇
周华兵
梁凌燕
吕小晶
文献传递
双声子共振有源区GaAs/AlGaAs量子级联激光器
量子级联激光器的器件性能在很大程度上取决于有源区结构的设计,有源区结构设计的两个关键因素是激光跃迁高能态电子的有效注入和低能态电子的有效抽取。对于后者本文利用四阱耦合结构在GaAs/AlGaAs量子级联激光器有源区形成双...
刘俊岐
李路
刘峰奇
王利军
王占国
关键词:
量子级联激光器
等离子体波导
文献传递
量子级联红外探测器
被引量:2
2011年
半导体基中远红外探测器在成像、传感、国家安全以及国防领域具有广泛的应用背景。目前,在这个领域最主流的技术之一是量子阱红外探测器(QWIPs)。传统的量子阱红外探测器往往存在较大的暗电流和较低的工作温度等限制。量子级联探测器(QCDs)是一种新型的光伏型量子阱红外探测器。其工作原理基于电子吸收光子后在量子阱的子带间跃迁并且激发态电子通过人工设计的势能阶梯形成无需外加偏置电压的定向输运。这种基于新原理的红外探测器一经出现便引起人们高度的关注并经历了快速的发展。文中介绍了中国科学院半导体所在量子级联探测器研究方面的最新成果。
刘俊岐
翟慎强
孔宁
李路
刘峰奇
王利军
王占国
关键词:
红外探测器
量子级联
集成肋片式红外半导体激光器结构
一种集成肋片式红外半导体激光器结构,其特征在于,该结构包括:一脊形区;一集成肋片式结构,该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置;两包覆散热区,该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧;上、下欧姆接触层,该...
刘俊岐
刘峰奇
李路
王利军
王占国
文献传递
锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法
本发明公开了一种近衍射极限光束输出的锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括:衬底,及其在衬底上依次生长的下波导层、有源区、上波导层、上覆盖层、上接触层、欧姆接触层、电绝缘层、正面电极和衬底背面电极。该激光器...
张伟
王利军
刘俊岐
李路
张全德
陆全勇
高瑜
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王占国
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