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邢英杰

作品数:36 被引量:48H指数:4
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 11篇会议论文
  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇一般工业技术
  • 11篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 3篇理学
  • 2篇化学工程

主题

  • 23篇纳米
  • 20篇纳米线
  • 9篇硅纳米线
  • 8篇分子
  • 7篇电池
  • 7篇有机太阳能电...
  • 7篇太阳能电池
  • 7篇半导体
  • 6篇小分子
  • 5篇固-液
  • 4篇异质结
  • 4篇纳米材料
  • 3篇阴极
  • 3篇直径
  • 3篇纳米管
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体结构
  • 3篇光电
  • 3篇半导体材料
  • 3篇场发射

机构

  • 36篇北京大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇中国科学院金...
  • 1篇北京联合大学

作者

  • 36篇邢英杰
  • 8篇徐洪起
  • 7篇俞大鹏
  • 6篇李侃
  • 3篇王晶云
  • 3篇奚中和
  • 3篇薛增泉
  • 2篇李明
  • 2篇叶恒强
  • 2篇张耿民
  • 2篇李帅
  • 1篇侯士敏
  • 1篇宋洋
  • 1篇朱静
  • 1篇严涵斐
  • 1篇冯孙齐
  • 1篇罗俊
  • 1篇张琦锋
  • 1篇张鹭
  • 1篇宋教花

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇中国真空学会...
  • 2篇2001年纳...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇大学物理
  • 1篇真空
  • 1篇光散射学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2006
  • 3篇2004
  • 2篇2003
  • 4篇2002
  • 4篇2001
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用催化剂控制硅纳米线直径的研究
本文研究了固-液-固(SLS)生长机制中催化剂与硅纳米线直径的关系,发现Si片上沉积的催化剂厚度和种类对硅纳米线的直径都有一定的影响。当使用Ni做催化剂时,硅纳米线的直径与Ni膜厚度有关。其中硅纳米线的最大直径随催化剂厚...
邢英杰奚中和薛增泉俞大鹏
关键词:硅纳米线催化剂
文献传递
双层三元小分子电池器件中界面效果研究
双层三元电池是一种基于光吸收谱互补的三元材料体系的新型有机太阳能电池结构,由给体不同受体相同(或给体相同受体不同)的两个二元BHJ直接堆叠构成。在已有的基于聚合物的双层三元器件中,由于两个二元BHJ之间存在与材料体系无关...
姜琪邢英杰
文献传递
化学气相沉积方法生长单晶砷化镓纳米线
As是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V·s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0)...
李侃王晶云邢英杰徐洪起
关键词:单晶生长化学气相沉积法光学性能电学性能
一种双层三元体异质结太阳能电池及其制备方法
本发明提出一种双层三元体异质结太阳能电池及其制备方法,属于小分子有机太阳能电池器件领域,该电池的结构为:ITO/ZnPc/ZnPc:C60/ClAlPc:C60/C60/ClAlPc/Al或Ag,其中ITO为阳极,ZnP...
姜琪邢英杰
类单晶氧化锌纳米棒的制备与表征被引量:19
2004年
用简单的无催化剂、高温热蒸发方法制备氧化锌纳米棒 ,得到了具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米棒 ,长度为 (1- 5 ) μm ,直径约几十纳米。测量了ZnO纳米棒的光致发光特性。讨论了实验条件对纳米棒生长结果的影响 。
张旭东邢英杰奚中和薛增泉张蔷俞大鹏
关键词:晶体结构光致发光特性半导体
气氛在固-液-固(SLS)机制生长硅纳米线中作用的研究
一维纳米材料因其特殊的物理化学性质已经引起人们极大的研究兴趣。硅材料的低维结构尤其受人关注。因为硅是现代半导体集成电路与信息产业发展的基础材料,有很成熟的加工工艺。近年来对硅材料的一维结构(硅纳米线)的全面研究已经展开。...
邢英杰薛增泉奚中和俞大鹏
文献传递
硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究被引量:11
2003年
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2 5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非舳态,直径为10-40nm,长度可达数十微米.升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用.研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响.
邢英杰奚中和俞大鹏杭青岭严涵斐冯孙齐薛增泉
关键词:硅纳米线一维纳米材料
CuPc作为小分子有机太阳能器件中激子阻挡层的研究
小分子有机太阳能器件是一种新型光电器件,因其优良的光电转换效率而引起人们的重视。这种器件一般由p型有机小分子材料和n型富勒烯构成,利用两种材料在可见光波段互补的光吸收特性和较高的迁移率,实现对太阳光的有效吸收和载流子的传...
王桂伟邢英杰
文献传递
一种双层三元体异质结太阳能电池及其制备方法
本发明提出一种双层三元体异质结太阳能电池及其制备方法,属于小分子有机太阳能电池器件领域,该电池的结构为:ITO/ZnPc/ZnPc:C60/ClAlPc:C60/C60/ClAlPc/Al或Ag,其中ITO为阳极,ZnP...
姜琪邢英杰
一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法
本发明提供一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法,包括如下步骤:1)Si/SiO<Sub>2</Sub>衬底经过净化处理后,在表面滴撒金颗粒水溶液,再使水分完全挥发;2)将步骤1)处理过的Si/SiO<Sub>2</Sub>...
李侃邢英杰徐洪起
文献传递
共4页<1234>
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