徐洪起
- 作品数：14 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法
- 本发明涉及一种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层，形成In、Sb的核‑壳结构；然后对In、Sb的核‑壳结构进行退火处理，...
- 张秋筠洪艳雪李侃邢英杰徐洪起
- 文献传递
- 基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法
- 本发明涉及一种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层，形成In、Sb的核‑壳结构；然后对In、Sb的核‑壳结构进行退火处理，...
- 张秋筠洪艳雪李侃邢英杰徐洪起
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- 一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法
- 本发明提供一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)Si/SiO<Sub>2</Sub>衬底经过净化处理后，在表面滴撒金颗粒水溶液，再使水分完全挥发；2)将步骤1)处理过的Si/SiO<Sub>2</Sub>...
- 李侃邢英杰徐洪起
- 文献传递
- 三维拓扑绝缘体antidot阵列结构中的磁致输运研究
- 2018年
- 利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反局域化效应.通过对弱反局域化效应的分析,发现器件一(Dev-1,不含有antidot阵列)和器件二(Dev-2,含有周期较大的antidot阵列)是始终由一个导电通道主导的量子输运系统,但在器件三(Dev-3,含有周期较小的antidot阵列)中能明确观察到较低温度下存在两个独立的导电通道,而在较高温度下Dev-3表现为由一个导电通道主导的量子输运系统.
- 敬玉梅黄少云吴金雄彭海琳徐洪起
- 关键词：拓扑绝缘体
- 化学气相沉积方法生长单晶砷化镓纳米线
- As是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V·s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0)...
- 李侃王晶云邢英杰徐洪起
- 关键词：单晶生长化学气相沉积法光学性能电学性能
- 一种基于纳米线的平面环栅晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于纳米线的平面环栅晶体管及其制备方法，其结构为：导电沟道材料是平行于衬底的低阻纳米线；栅介质和栅电极依次沿纳米线径向包围低阻纳米线；源漏电极和栅介质、栅电极在纳米线侧壁处有一定间隙；源漏电极包围低阻纳米...
- 李强黄少云徐洪起
- 一种弯折SnTe单晶纳米线的制备方法
- 本发明公开一种弯折SnTe单晶纳米线的制备方法，步骤包括：在Si/SiO<Sub>2</Sub>片表面镀上一层金膜，作为衬底；将上述衬底和SnTe粉末源放入石英管中，再将该石英管放入管式加热炉中，采用不参与反应的气体作为...
- 洪俐根邢英杰徐洪起
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- 一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，通过调节载气流速，可以有效地控制纳米线的形貌和晶体结构。本发明为实现低成本高有效地生长InAs纳米线提供了参考，为CVD生长纳米线的可控性方面提供了部分指导意...
- 李明王晶云李侃邢英杰徐洪起
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- 一种基于纳米线的立式环栅晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于纳米线的立式环栅晶体管及其制备方法，结构为：导电沟道材料是垂直于衬底的本征或低掺杂纳米线；在本征或低掺杂纳米线之上并无间隙连接的是低阻纳米线；源电极、栅介质和栅电极依次自下而上包围本征或低掺杂纳米线；...
- 史团伟陈清许胜勇徐洪起
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- 一种弯折SnTe单晶纳米线的制备方法
- 本发明公开一种弯折SnTe单晶纳米线的制备方法，步骤包括：在Si/SiO<Sub>2</Sub>片表面镀上一层金膜，作为衬底；将上述衬底和SnTe粉末源放入石英管中，再将该石英管放入管式加热炉中，采用不参与反应的气体作为...
- 洪俐根邢英杰徐洪起
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