邓彩玲
- 作品数：11 被引量：30H指数：3
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程农业科学更多>>
- 硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制被引量：6
- 2003年
- 用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为Er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容.
- 陈松岩曾明刚王水菊陈谋智蔡加法林爱清邓彩玲
- 关键词：硅衬底硫化锌薄膜发光器件电致发光谱半导体发光材料
- 硫化锌薄膜的微结构剖析被引量：1
- 1999年
- 用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术，对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析，获得薄膜表面及粉料的构态信息，讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。
- 柳兆洪陈谋智孙书农刘瑞堂林爱清邓彩玲肖细凤
- 关键词：硫化锌直流电致发光稀土掺杂
- 溅射制备ZnS:Er^(3+)薄膜的光电子发射结构
- 1998年
- 利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌直流电致发光薄膜，用ＸＰＳ（ｘ射线光电子能谱）技术进行剖析，获得薄膜内部构态与发光性能关系的信息，讨论了微晶薄膜中稀土掺杂状态对激发机制的影响。
- 柳兆王余姜陈谋智纪安妮邓彩玲
- 关键词：电致发光薄膜射频磁控溅射X射线光电子能谱
- 用XPS法研究硅基硫化锌薄膜
- 2005年
- 应用X射线光电子能谱(XPS)研究Si基ZnS:Cu,Er薄膜的化学元素组成、分布和价态, 认为Cu元素只有少数部分进入晶格中替代Zn2+起激活剂的作用,Er元素在ZnS基质中分布不均匀,且会与氧结合。PL测试发现样品发绿光,主要发光峰出现劈裂,对研究薄膜中的杂质中心、实现Si基发光有参考意义。
- 曾明刚陈松岩林爱清邓彩玲蔡贝妮
- 关键词：X射线光电子能谱
- GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制
- 2007年
- 用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W.
- 陈小红蔡加法程翔邓彩玲陈松岩
- 关键词：GAN紫外探测器
- 交流粉末电致发光器件的介质对老化性能的影响被引量：3
- 1996年
- 本文研究了介质对交流粉末电致发光器件的发光老化性的影响，用具有特殊性能的水溶性苯丙乳胶作为介质制备的交流粉末电致发光器件，其发光老化性能得到较大幅度提高；并分析了这种发光器件老化的主要原因和机制，提出防止发光老化应注意的问题。
- 胡启富林秀森邓彩玲林爱清
- 关键词：电致发光器件介质
- 农膜转光剂CaS∶Cu,Mn的结构分析被引量：3
- 2003年
- 运用X射线光电子能谱技术,证明CaS∶Cu,Mn荧光材料中铜是以一价的形式存在,锰是以二价的形式存在.测得荧光材料的透射光谱,理论分析认为它们分别由不同价态的铜离子和锰离子产生,透射光谱的测试证实这是理想的农膜转光剂.
- 陈谋智王水菊陈松岩蔡加法林爱清邓彩玲
- 关键词：X射线光电子能谱透射光谱铜离子锰离子激活剂
- 农膜光转换添加剂微结构的分析
- 2003年
- 农膜中光下转换材料(光转换添加剂CaS∶Cu,Eu)使用高温固相反应法制备,运用X射线光电子能谱(XPS)和光荧光技术,对不同工艺条件下制备的材料进行研究,获得荧光材料工艺与稳定性、转光效率的信息,为光转换添加剂及其相关产业的发展提供参考.
- 陈谋智王水菊陈松岩张棋河林爱清邓彩玲
- 关键词：农膜微结构稳定性X射线光电子能谱光荧光
- 瞬态记录仪输出信号的微机存储
- 1999年
- TCH-4000S瞬态记录仪,能读取(0.05 μs～0.10 m s)×4096 的瞬间信息, 并保存在寄存器中, 后以不同的速率绘图或经D/A 转换输出,设计并行接口电路,编制软件,把寄存的数据在微机中存盘,为瞬态信息的研究提供捷径.
- 刘舜奎林爱清邓彩玲孙书农李玉莹
- 关键词：瞬态记录仪微机输出信号
- GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究
- 2002年
- 用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了GaAs外延层的晶体质量较好 .以此生长方法制备了金属 半导体场效应晶体管 (MESFET) ,其单位跨导可达 2 0 0ms mm .
- 陈小红陈松岩张玉清林爱清陈丽容邓彩玲
- 关键词：MESFET器件光致发光谱RAMAN谱金属-半导体场效应晶体管
