林爱清
- 作品数：13 被引量：38H指数：4
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程农业科学更多>>
- 硫化锌薄膜的微结构剖析被引量：1
- 1999年
- 用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术，对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析，获得薄膜表面及粉料的构态信息，讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。
- 柳兆洪陈谋智孙书农刘瑞堂林爱清邓彩玲肖细凤
- 关键词：硫化锌直流电致发光稀土掺杂
- 农膜转光剂CaS∶Cu,Mn的结构分析被引量：3
- 2003年
- 运用X射线光电子能谱技术,证明CaS∶Cu,Mn荧光材料中铜是以一价的形式存在,锰是以二价的形式存在.测得荧光材料的透射光谱,理论分析认为它们分别由不同价态的铜离子和锰离子产生,透射光谱的测试证实这是理想的农膜转光剂.
- 陈谋智王水菊陈松岩蔡加法林爱清邓彩玲
- 关键词：X射线光电子能谱透射光谱铜离子锰离子激活剂
- 硫化锌薄膜的制备和结构分析被引量：5
- 1997年
- 用常规分舟热蒸发法在玻璃衬底上制备硫化锌薄膜，用X射线衍射和透射电子显微镜研究该薄膜的晶体结构，发现硫化锌薄膜与流化锌粉末在晶体结构上存在差异，实验证实硫化锌晶体是具有高于性的共价键晶体。
- 柳兆洪刘瑞堂孙书农陈振湘胡启富邱伟彬纪安妮林爱清
- 关键词：硫化锌薄膜化合物半导体
- 硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制被引量：6
- 2003年
- 用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为Er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容.
- 陈松岩曾明刚王水菊陈谋智蔡加法林爱清邓彩玲
- 关键词：硅衬底硫化锌薄膜发光器件电致发光谱半导体发光材料
- 交流粉末电致发光器件的介质对老化性能的影响被引量：3
- 1996年
- 本文研究了介质对交流粉末电致发光器件的发光老化性的影响，用具有特殊性能的水溶性苯丙乳胶作为介质制备的交流粉末电致发光器件，其发光老化性能得到较大幅度提高；并分析了这种发光器件老化的主要原因和机制，提出防止发光老化应注意的问题。
- 胡启富林秀森邓彩玲林爱清
- 关键词：电致发光器件介质
- 用XPS法研究硅基硫化锌薄膜
- 2005年
- 应用X射线光电子能谱(XPS)研究Si基ZnS:Cu,Er薄膜的化学元素组成、分布和价态, 认为Cu元素只有少数部分进入晶格中替代Zn2+起激活剂的作用,Er元素在ZnS基质中分布不均匀,且会与氧结合。PL测试发现样品发绿光,主要发光峰出现劈裂,对研究薄膜中的杂质中心、实现Si基发光有参考意义。
- 曾明刚陈松岩林爱清邓彩玲蔡贝妮
- 关键词：X射线光电子能谱
- 农膜光转换添加剂微结构的分析
- 2003年
- 农膜中光下转换材料(光转换添加剂CaS∶Cu,Eu)使用高温固相反应法制备,运用X射线光电子能谱(XPS)和光荧光技术,对不同工艺条件下制备的材料进行研究,获得荧光材料工艺与稳定性、转光效率的信息,为光转换添加剂及其相关产业的发展提供参考.
- 陈谋智王水菊陈松岩张棋河林爱清邓彩玲
- 关键词：农膜微结构稳定性X射线光电子能谱光荧光
- 热蒸发制备的硫化锌薄膜的结构分析被引量：4
- 1998年
- 用双舟热蒸发制备了掺稀土硫化锌薄膜，用ｘ射线衍射技术对硫化锌粉末和所制薄膜的晶体相结构进行研究，发现硫化锌薄膜的晶体结构与硫化锌粉末的晶体结构不同。薄膜晶体的生长受诸多因素影响，有择优取向生长趋势，是二维层状结构沿ｃ轴方向的密堆积。这些研究为高新材料的研制提供了参考。
- 柳兆洪陈谋智林爱清刘瑞堂刘向鑫
- 关键词：薄膜晶体相结构硫化锌
- 瞬态记录仪输出信号的微机存储
- 1999年
- TCH-4000S瞬态记录仪,能读取(0.05 μs～0.10 m s)×4096 的瞬间信息, 并保存在寄存器中, 后以不同的速率绘图或经D/A 转换输出,设计并行接口电路,编制软件,把寄存的数据在微机中存盘,为瞬态信息的研究提供捷径.
- 刘舜奎林爱清邓彩玲孙书农李玉莹
- 关键词：瞬态记录仪微机输出信号
- GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究
- 2002年
- 用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了GaAs外延层的晶体质量较好 .以此生长方法制备了金属 半导体场效应晶体管 (MESFET) ,其单位跨导可达 2 0 0ms mm .
- 陈小红陈松岩张玉清林爱清陈丽容邓彩玲
- 关键词：MESFET器件光致发光谱RAMAN谱金属-半导体场效应晶体管
