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苏伟

作品数：15 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇LIGBT
  • 7篇导通
  • 7篇关断
  • 6篇自适应控制
  • 5篇导通压降
  • 5篇损耗
  • 5篇关断损耗
  • 5篇饱和电流
  • 4篇短路
  • 4篇闩锁
  • 4篇闩锁效应
  • 4篇抗短路
  • 4篇抗短路能力
  • 4篇空穴
  • 4篇功率器件
  • 4篇发射极
  • 2篇低功耗
  • 2篇电位
  • 2篇阴极
  • 2篇阴极电位

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇苏伟
  • 13篇罗小蓉
  • 11篇魏杰
  • 6篇张森
  • 4篇宋旭
  • 3篇张科
  • 3篇杨洋
  • 3篇邓高强
  • 2篇李聪聪
  • 2篇孙涛
  • 1篇李聪

年份

  • 1篇2023
  • 5篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2006
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高性能SOI LIGBT新结构机理与特性研究
基于SOI(Silicone On Insulator，绝缘体上硅)材料的LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor，横向绝缘栅双极晶体管)具有高输入阻抗，大功率密度的...
苏伟
关键词：横向绝缘栅双极晶体管结构参数关断损耗
一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIG...
罗小蓉苏伟张森马臻杨可萌魏杰樊雕王晨霞
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一种低功耗功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种低功耗IGBT器件。相对于传统结构，本发明将P+发射极、N+发射极以及浮空P区连到不同的电位，从而自适应控制器件的工作状态。正向导通时，小电压下使发射极的PN结开启增强电导调制效...
罗小蓉马臻王俊楠朱鹏臣杨可萌苏伟魏杰
一种具有快速关断特性的SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有快速关断特性的SOI LIGBT。本发明与传统的SOI LIGBT相比，阴极引入连接阴极电位的阴极槽，阴极槽延伸至阴极P阱区以下，且阴极槽在靠近阳极结构一侧与P+体接触区接触...
罗小蓉杨洋孙涛魏杰樊雕欧阳东法王晨霞张科苏伟
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一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成3个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIG...
罗小蓉苏伟马臻张森杨可萌魏杰樊雕王晨霞
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一种集成沟道二极管的碳化硅鳍状栅MOSFET
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成沟道二极管的碳化硅鳍状栅MOSFET。本发明的主要特征在于：具有沟槽结构，且在沟槽区底部集成了沟道二极管，当器件处于反向续流工作模式时，沟道二极管导通实现续流功能，降低了反向...
罗小蓉姜钦峰黄俊岳宋旭苏伟
一种具有折叠槽栅的薄SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有折叠槽栅的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用非等深介质槽及折叠槽栅。正向耐压时，非等深介质槽调制横向电场，使均匀掺杂的漂移区承受高压；正向导通时，介质槽阻碍空穴流...
罗小蓉樊雕李聪苏伟张科杨洋魏杰邓高强欧阳东法王晨霞
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一种高耐压低损耗超结功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高耐压低损耗超结功率器件。本发明的主要特征在于：在P型漂移区上方有夹断结构，夹断结构由夹断槽以及夹断槽之间P型体接触区组成。正向导通时，夹断结构夹断中间的P型漂移区，从而抑制空穴...
罗小蓉张森苏伟邓高强樊雕宋旭李聪聪魏杰
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一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIG...
罗小蓉苏伟张森马臻杨可萌魏杰樊雕王晨霞
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一种低功耗功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种低功耗IGBT器件。相对于传统结构，本发明将P+发射极、N+发射极以及浮空P区连到不同的电位，从而自适应控制器件的工作状态。正向导通时，小电压下使发射极的PN结开启增强电导调制效...
罗小蓉马臻王俊楠朱鹏臣杨可萌苏伟魏杰
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