苏伟
- 作品数：11 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院更多>>
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- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 基于HCPL-316J的IGBT过流保护研究被引量：10
- 2014年
- 针对IGBT模块由于电流超出安全工作区而损坏的问题,设计了一种基于HCPL-316J驱动芯片的低成本高可靠性IGBT驱动电路,详细分析了过流保护时驱动电路的工作过程,之后通过Pspice软件建立了驱动电路的仿真模型,最后通过实验验证了驱动电路过流保护理论分析和仿真模型的正确性。
- 苏伟钟玉林刘钧温旭辉
- 关键词：IGBT驱动电路过流保护
- 一种双面冷却的功率半导体模块
- 一种双面冷却的功率半导体模块。所述的功率半导体模块（100）含有至少两个功率半导体芯片（107、106），其位于第一衬底（115）和第二衬底（103）之间。每个衬底均由三层结构组成：中间一层为高导热的电绝缘层，电绝缘层的...
- 钟玉林苏伟孟金磊温旭辉
- 文献传递
- 母排互感对IGBT模块并联动态均流的影响被引量：3
- 2017年
- 为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块并联中的不均流现象,以IGBT模块并联的典型叠层母排结构为研究对象,基于Ansoft Q3D和Simplorer软件,探究了IGBT模块开关瞬间叠层母排的等效电路,提出了一种新颖的叠层母排端子互感对IGBT模块动态均流的影响理论,并在实验中得到了良好的验证。
- 房雷刘钧苏伟
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管互感
- 一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构
- 一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构，所述的覆铜陶瓷基板的正面覆铜层包括流过主电流的铜箔（120、121、122）以及辅助控制极的铜箔（101、102，110、111）。所述的辅助控制极铜箔包括：辅助栅极控制铜箔（102、...
- 钟玉林苏伟孟金磊温旭辉
- 文献传递
- 一种IGBT驱动电路
- 一种IGBT驱动电路，其驱动输入电源（V2）连接到智能驱动芯片（U1）的输入电源端口（Vc），同时驱动输入电源（V2）也作为稳压源（V1）的输入电源。稳压源（V1）的输出电压经过由电阻（R3）和稳压管（D2）串联组成的分...
- 苏伟钟玉林温旭辉
- 文献传递
- 一种IGBT驱动推挽电路
- 一种IGBT驱动推挽电路，主要包括包括NPN三极管（Q1）、PNP三极管（Q2）、充电电阻（R5）和放电电阻（R6）；充电电阻（R5）的一端连接至输入电源（VDC1）的正极，充电电阻（R5）的另一端连接至NPN三极管（Q...
- 苏伟钟玉林温旭辉
- 文献传递
- 一种IGBT驱动电路
- 一种IGBT驱动电路，其驱动输入电源（V2）连接到智能驱动芯片（U1）的输入电源端口（Vc），同时驱动输入电源（V2）也作为稳压源（V1）的输入电源。稳压源（V1）的输出电压经过由电阻（R3）和稳压管（D2）串联组成的分...
- 苏伟钟玉林温旭辉
- 一种双面冷却的功率半导体模块
- 一种双面冷却的功率半导体模块。所述的功率半导体模块（100）含有至少两个功率半导体芯片（107、106），其位于第一衬底（115）和第二衬底（103）之间。每个衬底均由三层结构组成：中间一层为高导热的电绝缘层，电绝缘层的...
- 钟玉林苏伟孟金磊温旭辉
- 文献传递
- 一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构
- 一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构，所述的覆铜陶瓷基板的正面覆铜层包括流过主电流的铜箔（120、121、122）以及辅助控制极的铜箔（101、102，110、111）。所述的辅助控制极铜箔包括：辅助栅极控制铜箔（102、...
- 钟玉林苏伟孟金磊温旭辉
- 文献传递
- 一种IGBT并联模块用交流母排的设计方法被引量：2
- 2019年
- 将多个IGBT模块并联以提升电流容量的设计方案广泛应用于电力电子设备中,为了保证设备长期安全运行,IGBT并联模块的均流问题是一个设计难点。从电路模型的角度分析了IGBT模块并联支路上交、直流母排杂散电感对均流性能的影响,提出了一种在直流母排结构不对称前提下,通过调整交流母排结构改善均流效果的设计方法。以车用电机控制器W相用IGBT并联模块为研究对象,设计了并联模块的交流母排结构,实验结果验证了该设计方法的有效性。
- 薛燕鹏刘钧刘钧孙薇
- 关键词：杂散电感
