盛彦斌
- 作品数：26 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学核科学技术金属学及工艺一般工业技术更多>>
- SIMP钢在450℃液态铅铋合金中的腐蚀行为研究
- 液态铅铋合金(LBE)是加速器驱动次临界系统(ADS)以及快中子堆的冷却剂候选材料。但是LBE会对结构材料产生强烈的腐蚀，因此LBE 在先进核能系统中的应用需要优先解决高温下LBE 与材料的相容性问题。针对这一挑战，中国...
- 张宏鹏王志光姚存峰常海龙盛彦斌李炳生孙建荣魏孔芳申铁龙
- 关键词：ADS
- 离子辐照对材料磁性的调控及其应用
- 2024年
- 离子辐照技术具有离子束能量密度高、实验条件可精确控制,且不受化学剂量比影响的特点,利用离子束辐照材料,可实现定向掺杂,或精确引入和调控现缺陷位和密度等优势,因此在多个领域,如材料改性、芯片制造、生物医学、能源及化工领域都得到了广泛应用.尤其在磁性材料改性领域,该技术能够通过细致控制离子束的能量、剂量和辐照方向,实现对磁性材料的定制化性能优化.为进一步提升磁性材料的性能并探索新的磁性器件,本文深入地探讨了离子辐照如何精确调制各种磁相互作用,并分析其对自旋霍尔效应和磁结构动力学的影响.首先着重介绍了离子辐照在调控垂直磁各向异性、交换偏置及RKKY相互作用等磁性特征方面的最新研究成果.这些调控手段对于理解和优化磁性材料的微观结构和性质至关重要.接着,本文详细地探讨了离子辐照在调控自旋轨道力矩器件中的重要作用.这些应用展示了离子辐照技术在设计高性能磁性存储和处理器件方面的潜力.最后,还讨论了辐照离子种类、能量、剂量、辐照面积等参数对磁斯格明子成核位置、密度、尺寸、稳定性以及磁斯格明子霍尔效应的调控作用,阐明了离子辐照改变磁斯格明子生成、湮灭、运动规律等方面的内在机理,为制备基于磁斯格明子运动的低功耗存储器件提供新的途径.此外,本文还就离子辐照技术在未来多功能磁性传感器及信息存储磁介质制备方面的可能应用进行了前瞻性分析.离子辐照技术为磁性材料的性能调控和应用扩展提供了新的可能性.随着研究的深入,这项技术有望在未来的材料科学、电子器件以及信息技术等多个领域发挥更大的作用.
- 郭玺左亚路崔宝山申铁龙盛彦斌席力
- 关键词：离子辐照
- Fe基非晶合金的重离子辐照损伤研究
- 孙建荣王志光申铁龙姚存峰朱亚滨庞立龙崔明焕盛彦斌魏孔芳
- 文献传递
- 250keV He^+离子注入钽酸锂改性研究
- 2013年
- 室温下,将能量为250 keV He+离子注入z切钽酸锂单晶,注量范围为5.0×1014～5.0×1016He+/cm2,应用三维轮廓仪、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光学吸收谱对未注入和注入样品进行了表征和分析。分析结果表明,在注量达到5.0×1016He+/cm2时,样品表面出现大量凸起条纹,同时晶格沿着[001]方向出现明显肿胀,吸收边则表现出明显的注量相关性。注入样品在空气中放置60 d后,最高注量的样品表面原来凸起的条纹变为细长的裂纹,晶格应变及光学吸收边均出现较大的恢复。讨论了样品表面形貌、晶格应变和光学吸收边与He行为的关系。
- 庞立龙王志光姚存峰崔明焕孙建荣申铁龙魏孔芳朱亚滨盛彦斌李远飞李锦钰
- 关键词：钽酸锂表面形貌X射线衍射
- 基于HIRFL的高温应力材料载能离子辐照实验装置
- 2013年
- 针对未来先进核能装置候选结构材料在高温和应力等条件下抗辐照性能的评价与快速筛选的需求,基于兰州重离子研究装置(HIRFL)可提供的离子束流条件,设计制作了国内第一套高温应力材料载能离子辐照装置。该装置由束流扫描及探测系统、高温系统、应力系统、真空冷却系统和远程控制系统等5部分组成,可以同时提供高温和拉/压应力下材料的离子束均匀辐照条件,温区覆盖了室温至1200°C范围,拉/压应力范围为0～1176 N,x-y方向均匀扫描面积可大于40 mm×40 mm。利用该装置,已经成功进行了多次高温和应力条件下载能离子辐照先进核能装置候选材料的实验研究,并取得了初步成果。
- 申铁龙王志光姚存峰孙建荣盛彦斌魏孔芳李炳生朱亚滨庞立龙崔明焕李远飞
- 关键词：辐照装置高温应力
- 离子辐照和液态金属腐蚀协同作用研究实验装置及方法
- 本发明涉及应用于离子辐照和液态金属腐蚀环境中的离子辐照和液态金属腐蚀协同作用研究实验装置及方法。包括离子束流引出真空系统、液态金属回路系统和样品辐照室，所述的离子束流引出真空系统包括离子束传输真空管道，离子束传输真空管道...
- 姚存峰王志光常海龙盛彦斌孙建荣
- 文献传递
- Fe/Cu多层膜的辐照与退火研究
- 一些生成热为正的材料体系,在液相和固相都不互溶,难于用传统的熔炼技术制备合金。载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合...
- 魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银姚存峰盛彦斌马艺准
- 文献传递
- 94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究
- 2010年
- 室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析。通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化。结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50eV快速增大至约1.81eV,然后再减小至约1.67eV。对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨。
- 杨成绍王志光孙建荣姚存峰臧航魏孔芳缑洁马艺准申铁龙盛彦斌朱亚斌庞立龙李炳生张洪华付云翀
- 关键词：硅重离子辐照光学带隙
- Fe/Nb多层膜中离子辐照效应研究(英文)
- 2009年
- 采用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Si/[Fe(10 nm)/Nb(4 nm)/Fe(4 nm)/Nb(4 nm)]2/ [Fe(4nm)/Nb(4 nm)]4多层膜。用2 MeV的Xe离子在室温下辐照多层膜。采用俄歇深度剖析、X射线衍射和振动样品磁强计分析辐照引起的多层膜元素分布、结构及磁性变化。AES深度剖析谱显示当辐照注量达到1 .0×1014ions/cm2时,多层膜界面两侧元素开始混合;当辐照注量达到2 .0×1016ions/cm2时,多层膜层状结构消失,Fe层与Nb层几乎完全混合。XRD谱显示,当辐照注量达到1 .0×1014ions/cm2时, Nb的衍射峰和Fe的各衍射峰的峰位相对于标准卡片向小角方向偏移,这说明辐照引起Nb基和Fe基FeNb固溶体相的形成;当辐照注量大于1 .0×1015ions/cm2时,辐照引起非晶相的出现。VSM测试显示,多层膜的磁性随着结构的变化而变化。在此实验基础上,对离子辐照引起界面混合现象的机理进行了探讨。
- 魏孔芳王志光孙建荣臧航姚存峰盛彦斌马艺准缑洁卢子伟申铁龙杨成绍
- 关键词：离子辐照XRDVSM
- SIMP钢中H对He热解吸行为的影响研究
- 2020年
- 为了初步理解核用结构材料中H对He行为的影响,以He离子单独辐照和He和H离子连续辐照作为对比,利用热释放谱(TDS)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了SIMP中H对He的热解吸和滞留行为的影响。TDS结果表明:He释放的主峰主要出现在1198~1222 K之间,对应于气泡的迁移释放机制。相对于He单独辐照,H的附加辐照使得He的释放峰向低温移动,且释放量增大。即H促进了He的热解吸。另外,H对He热解吸的促进作用与H的辐照剂量有关。当H注入的峰值浓度(原子分数)从5%增加到50%时,这种促进作用有所减弱。结合TEM和SEM结果发现:H的存在促进了TDS加热过程中材料表面的起泡行为,从而加速了He以气泡迁移机制释放的过程。
- 金鹏申铁龙申铁龙朱亚滨崔明焕朱亚滨魏孔芳崔明焕王鹏庞立龙康龙魏孔芳李锦玉盛彦斌
- 关键词：热解吸气泡
