姚存峰
- 作品数：96 被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术化学工程一般工业技术更多>>
- 一种高温高压水气流体效应模拟装置的使用方法
- 本发明属于反应堆模拟技术领域，公开了一种高温高压水气流体效应模拟装置的使用方法，包括：打开数据采集与控制系统依实验方案设定温度、流速、功率、氧含量；打开去离子水制备及氧控系统，制备实验所需的去离子水并对去离子水进行溶解氧...
- 王志光马志伟姚存峰刘超
- 基于OpenMC的离岸固定式铅堆的物理设计分析
- 2023年
- 海上核能平台具有运行成本低、能源供给可靠和环境友好等特点,可以为海洋油气资源开发、工作人员生活保障等提供稳定可靠的能源。离岸固定式铅堆平台针对我国海洋稳定供能的需求,旨在提出一种电功率达到20 MW,寿期40年且全寿期不换料的反应堆概念设计方案。使用CAR-3600基准题,对开源蒙特卡罗程序OpenMC的燃耗模块在铅基快堆中的适用性进行了验证。对比了OpenMC程序和MCNP程序关于离岸固定式铅堆堆芯的计算结果,分析了使用不同核数据库的OpenMC程序计算结果差异,并探讨了可能原因。研究结果表明:OpenMC程序的燃耗模块在快堆中是适用的的。OpenMC和MCNP程序计算结果接近,通过不同计算软件对离岸固定式铅堆的设计方案进行了对比验证。模拟同时发现,由于^(235)U和^(238)U俘获截面的差异,ENDF/B-Ⅷ.0库和JEFF-3.3库得到的全寿期反应性波动偏大,全寿期反应性差异超过了1$的设计目标,后续还需对方案进行进一步的优化,缩小燃耗反应性波动。
- 陶渝杰姜韦姚存峰顾龙张璐
- 关键词：燃耗核数据库
- 离子辐照和液态金属腐蚀协同作用研究实验装置及方法
- 本发明涉及应用于离子辐照和液态金属腐蚀环境中的离子辐照和液态金属腐蚀协同作用研究实验装置及方法。包括离子束流引出真空系统、液态金属回路系统和样品辐照室，所述的离子束流引出真空系统包括离子束传输真空管道，离子束传输真空管道...
- 姚存峰王志光常海龙盛彦斌孙建荣
- 文献传递
- 1.23GeV Fe离子在C_(60)薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析被引量：1
- 2005年
- 用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在髙电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径Re,及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。
- 金运范姚存峰王志光谢二庆宋银孙友梅张崇宏刘杰段敬来赵志明
- 关键词：C60薄膜RAMAN谱
- 电导法研究紫外光预辐照对核孔膜径迹蚀刻的影响被引量：11
- 2005年
- 利用紫外光辐照聚碳酸酯(PC)离子径迹膜,研究光辐照对于核孔膜蚀刻过程的影响。实验结果显示,紫外光照射对核孔膜的蚀刻有着重要的作用,它可以有效地增加径迹的蚀刻速率,并且径迹蚀刻速率随紫外光照时间的增加呈线性增长关系,此现象是由于光降解作用引起的。本文还介绍了用于监测核孔膜蚀刻过程的电导测量方法,利用此方法可以得出核孔膜径迹蚀刻速率、孔径随蚀刻时间变化等关系。
- 段敬来刘杰朱智勇王志光孙友梅侯明东金运范姚会军宋银赵志明姚存峰
- 关键词：聚碳酸酯紫外辐照电导法
- 高温-应力载能离子辐照装置
- 本发明涉及一种高温-应力载能离子辐照装置，其特征是在离子束传输真空管道的前端外围设有电磁扫描设备，后端连接真空腔室；半拦截式离子束流探测器和离子束斑探测器位于真空管道内部，拦截式离子束流绝对测量探测器置于真空腔室内，离子...
- 王志光姚存峰
- 文献传递
- 荷电离子束流强度测量系统
- 本公开提供了一种荷电离子束流强度测量系统，该测量系统包括离子束传输真空管道、电磁扫描设备、离子束斑探测器、半拦截式束流探测器、拦截式束流探测器和辐照材料；电磁扫描设备，设置在所述离子束传输真空管道前端的外部；离子束斑探测...
- 姚存峰
- 文献传递
- Fe/Cu多层膜的辐照与退火研究
- 一些生成热为正的材料体系,在液相和固相都不互溶,难于用传统的熔炼技术制备合金。载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合...
- 魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银姚存峰盛彦斌马艺准
- 文献传递
- 80keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响被引量：1
- 2010年
- 室温下用80keVN离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.01014,5.01015和5.01016ions/cm2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0×1015ions/cm2时,观测到缺陷生成和局域无序化现象,但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向;随着注量的增大,晶格常数c和压应力呈增大趋势。对注入N离子对ZnO薄膜结构特性的影响机理进行了简单的讨论。
- 臧航王志光魏孔芳孙建荣姚存峰申铁龙马艺准杨成绍庞立龙朱亚斌
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射透射电镜
- 94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究
- 2010年
- 室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析。通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化。结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50eV快速增大至约1.81eV,然后再减小至约1.67eV。对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨。
- 杨成绍王志光孙建荣姚存峰臧航魏孔芳缑洁马艺准申铁龙盛彦斌朱亚斌庞立龙李炳生张洪华付云翀
- 关键词：硅重离子辐照光学带隙
