您的位置: 专家智库 > >

王文武

作品数:91 被引量:45H指数:4
供职机构:四川大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划四川省科技支撑计划更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 46篇期刊文章
  • 28篇专利
  • 16篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 23篇电气工程
  • 16篇理学
  • 15篇电子电信
  • 14篇一般工业技术
  • 4篇文化科学
  • 3篇化学工程
  • 3篇机械工程
  • 2篇天文地球
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇社会学

主题

  • 58篇电池
  • 53篇太阳电池
  • 23篇碲化镉
  • 19篇CDTE太阳...
  • 14篇薄膜太阳电池
  • 12篇碲化镉太阳电...
  • 11篇电极
  • 11篇CDTE
  • 10篇多晶
  • 8篇多晶薄膜
  • 7篇退火
  • 7篇溅射
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 7篇CD
  • 6篇半导体
  • 6篇背电极
  • 6篇背接触
  • 5篇ZN
  • 4篇叠层

机构

  • 91篇四川大学
  • 1篇中国核工业集...
  • 1篇成都工业学院

作者

  • 91篇王文武
  • 75篇张静全
  • 70篇武莉莉
  • 68篇冯良桓
  • 54篇曾广根
  • 51篇黎兵
  • 47篇李卫
  • 22篇李卫
  • 11篇郑家贵
  • 10篇蔡亚平
  • 9篇郝霞
  • 9篇雷智
  • 8篇刘才
  • 7篇高静静
  • 5篇贺剑雄
  • 4篇蔡亚萍
  • 4篇唐容喆
  • 4篇蔡伟
  • 4篇唐楠
  • 4篇宋慧瑾

传媒

  • 6篇第13届中国...
  • 5篇西南民族大学...
  • 4篇四川大学学报...
  • 4篇功能材料
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 4篇实验科学与技...
  • 3篇太阳能学报
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇实验室研究与...
  • 2篇计量与测试技...
  • 2篇第九届中国太...
  • 1篇太阳能
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇激光技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇压电与声光
  • 1篇郑州大学学报...
  • 1篇实验室科学

年份

  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 5篇2018
  • 7篇2017
  • 5篇2016
  • 7篇2015
  • 8篇2014
  • 16篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
91 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法
本发明公开了一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法,包括将两种前驱体溶液混合,加热搅拌直至混合溶液中有固体物质产生;将籽晶杆插入装有混合溶液的容器中,在一定温度下加热直至有小晶粒在籽晶杆上生成,取出籽晶杆,选取合适的小晶粒作...
张静全张建宇李岸峰王文武武莉莉赵德威
P型Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜的制备及性质研究
2013年
采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnxTe薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnxTe薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺Cu 10%的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级;掺铜20%的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整;掺铜30%的薄膜透过率显著下降到10%以下,退火前后均为P型薄膜。
赵宇江洪超武莉莉冯良桓曾广根王文武张静全李卫
关键词:P型掺杂退火
Cd_xTe薄膜的共蒸发法制备及其表征
2015年
采用Cd Te和Te双源共蒸发的方法,调控Cd Te和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99~1.46 e V之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明,x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相;随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿Cd Te(111)方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明,CdxTe薄膜将有望用于Cd Te薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。
束青武莉莉冯良桓王文武曹五星张静全李卫黎兵
关键词:CDTE太阳电池
含氯气氛退火对CdTe薄膜性质影响的交流阻抗研究被引量:2
2011年
对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件(CPE)等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。
付文博刘庭良何绪林张静全冯良桓武莉莉李卫黎兵曾广根王文武
关键词:CDTE多晶薄膜交流阻抗晶界
一种太阳电池电解水制氢的系统
本发明公开了一种通过太阳电池直接电解水制取氢气的系统。太阳电池电解水制氢的系统主要包括透明电解池、太阳电池、反射镜、隔膜等组成。进入系统的太阳光直接照射在太阳电池上或者经过电解池底部的反射镜反射到太阳电池上,产生电子‑空...
王文武冯良桓曾广根张静全武莉莉李卫赵德威黎兵郝霞
文献传递
CuxTe背接触层对CdTe光伏器件性能的影响
2009年
研究了由共蒸发制备出的CuTe多晶薄膜的性能及其对CdTe光伏器件性能的影响。研究表明,刚沉积的CuTe薄膜为非晶相,退火后,随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变,其中Cu/Te为1:1.44的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高。以CuTe结构为主相的CuxTe薄膜作为背接触层电池,性能改善不显著,转换效率随膜厚的增加呈递减趋势;以Cu1.44Te结构为主相的CuxTe薄膜作为背接触电池,转换效率有极大提升,在膜厚40nm处电池呈现最高转换效率;Cu2Te为背接触主相的电池相对于Cu1.44Te为背接触主相的电池,器件性能略有下降,但优于CuTe为背接触主相的电池。
宋慧瑾郑家贵冯良桓夏庚培王文武贺剑雄李愿杰鄢强
关键词:太阳电池材料
碲化镉薄膜太阳电池的制造技术
冯良桓蔡亚平张静全黎兵蔡伟武莉莉李卫郑家贵雷智曾广根夏庚培王文武贺剑雄宋慧瑾李愿杰
①课题来源与背景  主要来自国家“十五”863计划能源技术领域的两个重点课题,一是“碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线”(编号:2001AA513010);二是“碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线”(编号:2...
关键词:
关键词:碲化镉太阳电池
蒸汽输运法制备碲化镉多晶薄膜及太阳电池的研究
在诸多制备碲化镉薄膜的方法中,能同时在小面积电池和大面积组件上都取得高转换效率的的方法目前只有两种:近空间升华法和蒸汽输运法.美国First Solar公司于2014年用蒸汽输运方法制备的小面积CdTe薄膜太阳电池的转换...
武莉莉冯良桓张静全曹胜王文武李卫黎兵曾广根刘才
N离子注入改性SnO_2缓冲层及其CdTe太阳电池应用
2017年
使用等离子注入技术对SnO_2薄膜进行N离子注入改性,进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱(XPS)表征,并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果发现,对于30nm厚的SnO_2缓冲层,经过30s、10min不同时间N离子注入以后,其300~800nm波长范围透过率有所降低,而体电阻率则明显增加,特别是N离子注入10min的SnO_2缓冲层,表面出现很多凹孔,呈蜂窝状结构,且对后续沉积的CdS层表面形貌产生了明显影响。Kelvin探针表征结果显示,随着N离子注入时间的延长,SnO_2缓冲层功函数逐渐增加,最高达到约5.075eV,比本征SnO_2缓冲层的功函数高出0.15eV。XPS测试结果显示,N离子注入10min后,SnO_2缓冲层N1s结合能峰位向低结合能方向发生了明显移动,而O1s结合能峰位则向高结合能方向移动了,且表面区非晶格氧所占比例增大。对比电池结果,有N离子注入改性SnO_2缓冲层的电池与无缓冲层的电池相比,效率从10%左右增加到12%以上,最高达到12.47%,其中开路电压提高最为显著,从约750mV提高到790mV以上,提升了约5%,电池的整体均匀性也明显改善。
刘源唐鹏张静全武莉莉李卫王文武冯良桓
关键词:原子力显微镜X射线光电子能谱CDTE太阳电池
Te/Cu/Ni热处理对CdTe太阳电池的影响
2009年
在CdTe太阳电池的制备中,采用工艺简单的Te/Cu/Ni结构作为接触来改善CdTe太阳电池的接触特性.采用不同的温度组合对这种结构的CdTe太阳电池进行退火处理.通过热处理前后电池的性能参数变化和暗态I^V、C^V曲线分析了Te/Cu/Ni接触对器件性能的影响.通过分析可以认为Te/Cu/Ni接触的热处理对CdTe太阳电池的性能有重要影响.当Cu退火温度较低时(130℃,160℃),Te/Cu/Ni的再处理能够显著提高电池效率,使电池最终效率高于Cu高温退火的电池.而Cu退火温度较高时(190℃),Te/Cu/Ni的再处理使器件性能变差,且Te/Cu/Ni热处理温度越高,电池性能下降越厉害.实验证明Te/Cu/Ni结构作为CdTe太阳电池的背接触经过合适热处理可能改善电池性能,而且工艺比较简单.
王文武郑家贵冯良桓蔡亚平雷智张静全黎兵武莉莉李卫
关键词:CDTE
共10页<12345678910>
聚类工具0