曾广根
- 作品数：115 被引量：103H指数：7
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- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 一种用于修复碲化镉薄膜砂眼的碳基复合浆料及其应用
- 本发明公开了一种用于修复碲化镉薄膜砂眼的碳基复合浆料及其应用，该复合浆料包含以下质量份数的组分：5～20份碳粉、5～20份碲化镉粉、10～20份有机粘接剂、5～20份表面活性剂、1～5份触变剂、5～10份分散剂；所述的碳...
- 曾广根杨秀涛王嘉艺郑雨洁郝雅宁赵倩俨黎兵张静全李卫冯良桓
- 三层减反射膜的模拟及其在太阳电池中的应用被引量：8
- 2013年
- 使用减反射膜层是提高太阳电池短路电流密度进而提高电池转换效率的有效手段之一。针对CdTe薄膜太阳电池的光谱响应范围,基于AM1.5辐照光谱,优化设计了MgF2/H4/Al2O3结构的减反射薄膜,使用电子束蒸发技术制备了该减反射膜,使用椭圆偏振仪、紫外/可见分光光度计、原子力显微镜分别测量了所制备薄膜的光学性质和表面形貌,对比分析了膜系结构理论模拟与实验测量结果。结果表明,使用该减反射薄膜后,电池的量子效率提高了7.3%;光电转换效率从12.5%提高到13.3%。
- 宫臣张静全冯良桓武莉莉李卫黎兵曾广根王文武
- 关键词：减反射膜CDTEAM1量子效率
- Sb_2Te_3薄膜的性质及光伏应用
- 2012年
- 采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜。将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳电池的背接触层,在不同温度下进行了快速退火处理,获得了效率为12.34%(Voc=805.9mV,Jsc=25.1mA/cm2,FF=0.61)的小面积太阳电池。
- 唐容喆胡松柏高静静李卫冯良桓张静全武莉莉黎兵曾广根王文武
- 关键词：CDTE太阳电池背接触
- 玻璃衬底上CdTe薄膜的制备及其性质被引量：9
- 2005年
- 利用近空间升华法在经过不同打磨处理的玻璃衬底上制备了CdTe薄膜,用X射线衍射仪,扫描电镜表征了CdTe薄膜的微结构。结果表明CdTe薄膜的微观结构依赖于衬底粗糙度,(111)晶面的择优取向随衬底表面粗糙度的增加而降低。
- 曾广根冯良桓黎兵张静全蔡亚平郑家贵蔡伟郑华靖陈茜李卫
- 关键词：太阳电池碲化镉
- 一种可变温度且可调角度的光伏器件电流电压测试平台
- 本发明公开了一种面向光伏器件测试的可变温度且可调角度的电流电压测试平台。通过将一定尺寸的光伏器件放在本发明测试平台的凹槽内，光伏器件正极与测试正极线相连，光伏器件负极与测试负极线相连，将平台升至测试校准光强位置，然后按照...
- 曾广根黎兵张静全
- 文献传递
- 近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能被引量：2
- 2008年
- 在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.
- 曾广根黎兵郑家贵李愿杰张静全李卫雷智武莉莉蔡亚平冯良桓
- 关键词：CDTECDO
- 300×400mm CdTe多晶薄膜研究
- 研究了大面积近空间升华法沉积装置的物理机制,制备出300×400mm CdTe多晶薄膜。利用XRD,SEM,UV/Vis,电导温度曲线等研究了薄膜结构形貌和光学电学性能。结果表明:刚沉积的薄膜为立方结构,具有(111)择...
- 曾广根李愿杰黎兵蔡亚平张静全武莉莉李卫雷智蔡伟郑家贵冯良桓
- 关键词：太阳电池
- 文献传递
- CdTe组件集成结构模拟优化及前、背电极接触电阻测定被引量：1
- 2011年
- 设计特定的测试结构,测量CdTe太阳电池组件的相邻单元电池的前电极与背电极的接触电阻,研究接触电阻与激光刻蚀刻痕的关系;使用module design simulator软件模拟分析相关膜层电子学性质、集成结构、单元电池性能对电池组件性能的影响。对CdTe电池组件接触电阻测量结果表明:随Ni层厚度增加,接触电阻减小,镍电极镀层较厚(410nm)时,接触电阻在10-3Ω.cm2数量级;加宽刻痕宽度使接触电阻略有下降;基频刻蚀CdTe层所得刻痕的接触电阻比倍频刻蚀高1～2个数量级。module design simulator软件模拟分析结果表明:CdTe薄膜太阳电池组件性能除与单元电池性能参数(转换效率、填充因子、短路电流、开路电压)相关外,单元电池宽度、TCO层方块电阻(或透过率)、CdTe层方块电阻、集成接触区接触电阻都对电池组件的性能存在影响。
- 汪灵冯良桓张静全蔡亚平武莉莉李卫黎兵雷智郑家贵曾广根蔡伟
- 关键词：CDTE接触电阻仿真模拟
- CdTe太阳电池中起因于Cu的深能级被引量：1
- 2010年
- 在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心.本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心.研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出Td场和C3v场下Cu2+d轨道的分裂情况.计算结果表明,CdTe太阳电池中的Ev+0.206eV和Ev+0.122eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子.计算结果还表明,掺入Cu可降低CdTe体系能量.
- 郑旭黎兵王钊张东廷冯良桓张静全蔡亚平郑家贵武莉莉李卫雷智曾广根
- 关键词：深能级瞬态谱第一性原理CDTE
- 一种基于磁控溅射对石英谐振器升频调节的技术
- 本发明公开了一种基于磁控溅射对石英谐振器进行升频调节的技术。在磁控溅射条件下，将未封装的石英压电谐振器装载在调频平台，并将石英谐振器与调频平台整体安装在原磁控溅射靶材位置，选择合适的溅射参数，使高能溅射离子作用在石英谐振...
- 曾广根张骏淋杨秀涛
- 文献传递
