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王文博

作品数：15 被引量：19H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 7篇液晶
  • 6篇硅基液晶
  • 4篇LCOS
  • 3篇电路
  • 3篇微显示
  • 3篇硅基
  • 3篇LDMOS
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇液晶显示
  • 2篇液晶显示器
  • 2篇强光
  • 2篇驱动电路
  • 2篇显示器
  • 2篇相邻像素
  • 2篇像素
  • 2篇金属硅
  • 2篇镜面电极
  • 2篇基板
  • 2篇集成电路

机构

  • 15篇中国科学院微...
  • 3篇中国科学院长...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 15篇王文博
  • 14篇杜寰
  • 12篇王晓慧
  • 10篇韩郑生
  • 6篇宋李梅
  • 5篇黄苒
  • 3篇凌志华
  • 3篇欧毅
  • 3篇冯亚云
  • 3篇夏洋
  • 2篇黄冉
  • 1篇夏洋
  • 1篇陈淑芬
  • 1篇赵毅
  • 1篇孟彦龙

传媒

  • 3篇液晶与显示
  • 2篇半导体技术
  • 2篇电子器件
  • 1篇光电工程
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2009
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2005
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
QVGA硅基液晶微显示被引量：1
2009年
设计了QVGA分辨力硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon)微显示芯片,采用比较器与计数器相结合的D/A转换方式,降低了芯片的功耗和电路的设计难度;设计了QVGA微显示芯片视频驱动系统,以CPLD为核心控制单元搭建了视频显示驱动板,接收计算机输出的VGA显示信号,经过控制单元进行行列变换与时序处理,驱动LCoS微显示芯片显示视频图像,测试结果表明显示芯片像素点灰度响应正确,符合液晶材料要求,能够显示分辨力320×240、帧频60Hz的动态视频,视频显示响应速度快,显示功能符合设计要求。
黄苒王文博王晓慧杜寰欧毅韩郑生冯亚云凌志华
关键词：LCOS微显示视频系统
LCoS平板微显示驱动技术研究被引量：1
2009年
研究了硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路的制备工艺、电路设计、版图绘制以及显示功能测试。采用化学机械抛光(CMP)工艺实现硅片表面平坦化方案,满足了LCoS微显示对表面平整度的要求;合理布设两层金属布线,巧妙实现遮光作用;利用剥离的方法制备Ag反射电极,解决了Ag工艺与标准CMOS集成电路工艺的兼容问题;在硅基片上制作出U形PAD,通过导电胶与公共电极ITO相接。电路设计中采用了对台阶电平计数的办法实现DA转换的功能,既降低了电路设计难度,又方便测试过程中对灰度电平的调整。制备出LCoS微显示驱动面板,实现了QVGA分辨率、16级灰度LCoS、帧频50 Hz的视频显示。
王文博王晓慧黄苒欧毅杜寰夏洋韩郑生冯亚云凌志华
关键词：硅基液晶镜面电极
一种新的有源硅基OLED象素驱动电路(英文)被引量：2
2007年
提出了一种新的有源硅基有机发光二极管(OLED-on-Silicon)象素驱动电路.该电路解决了具有特定象素大小的OLED的极小象素电流(小于1μA)与传统MOS器件大的饱和驱动电流之间的不匹配问题.利用Synopsys公司的仿真软件H-spice,对该电路和传统的两管象素驱动电路进行了模拟,结果表明该电路作为OLED-on-Silicon的象素驱动更容易实现多级灰度.
王晓慧王文博杜寰韩郑生
关键词：灰度等级
一种硅基液晶金属布线加工方法
本发明公开了一种硅基液晶金属布线加工方法，属于显示器制造技术领域。所述方法是：在硅基板的表面采用金属1、金属2和金属3三层金属布线；金属1用于对硅基板内部集成电路的横向布局布线，并覆盖相邻像素镜面反射电极之间的横向沟槽；...
宋李梅王文博黄冉王晓慧杜寰韩郑生
文献传递
N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化被引量：3
2007年
研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量——器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应.
王文博宋李梅王晓慧杜寰孙贵鹏
关键词：LDMOS热载流子注入可靠性
硅基液晶像素电路的研究被引量：2
2007年
分析研究了微显示器件的场缓存技术与现有硅基液晶场缓存像素电路的结构特点,提出了一种新型的像素电路结构,此电路改变了以往电路结构中专门采用一个晶体管对像素电容进行放电的做法,通过同一个晶体管对像素电容进行充放电。电路经过Hspice仿真,对结果进行分析表明,其功能及特性符合设计要求,像素电容电荷保持率达到99%。电路具有结构简单,占用芯片面积小,像素电容电荷保持率高等优点,适合高亮度、高分辨率微显示器件的设计与制造。
黄苒杜寰王文博王晓慧韩郑生
关键词：硅基液晶像素电路
双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进被引量：1
2008年
双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象,降低了栅极和源区之间的击穿电压。改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法,对于70 nm以下的栅氧厚度,采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀方法,同时用一次多晶工艺代替二次多晶工艺,消除了多晶硅残留现象,减少了工艺步骤,提高了成品率;对于厚度大于70 nm或者100 nm的厚栅氧器件,除了以上的改进措施,还增加了一步光刻工艺,分别单独形成高压和低压器件的源漏区域。通过这些方法,解决了多晶残留问题,得到了性能更好的LDMOS器件,大大提高了成品率。
王文博宋李梅王晓慧杜寰韩郑生
关键词：LDMOS
高压n LDMOS漂移区的设计研究被引量：2
2007年
讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响。分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响。运用RESURF技术对于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化。研制出耐压170V的nLDMOSFET。并通过试验结果证明了分析的正确性。
宋李梅王文博杜寰夏洋
关键词：RESURFLDMOS击穿电压
一种用于场致发射平板显示的驱动集成电路和装置
本发明公开了一种用于场致发射平板显示的驱动集成电路和装置，属于显示器制造技术领域。所述电路包括：行扫描驱动电路、数据驱动电路、A/D转换电路和时钟控制电路；A/D转换电路与时钟控制电路相连，时钟控制电路分别与行扫描驱动电...
宋李梅王文博王晓慧杜寰夏洋
文献传递
基于CPLD的Si基液晶芯片显示驱动
2008年
以复杂可编程逻辑器件(CPLD)作为QVGA微显示视频核心控制单元,搭建LCOS微显示芯片驱动系统。通过对CPLD编程产生与微显示芯片相匹配的控制信号与显示数据信号,实现对显示芯片的驱动控制,向微显示芯片输入16帧顺序16级灰度电压测试信号以测试像素的灰度响应。测试结果表明电压灰度响应正确,通过控制行列坐标的方式产生测试图像,驱动微显示芯片显示出测试图像,验证了LCOS微显示芯片显示功能的正确性,显示效果良好,视频刷新频率可达到60 Hz。
黄苒王文博王晓慧杜寰韩郑生
关键词：硅基液晶微显示控制电路
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