王万录
- 作品数：213 被引量：643H指数：14
- 供职机构：重庆大学数理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 反应溅射法Cd_2SnO_4膜光学性质的研究被引量：1
- 1992年
- 本文研究了Cd_2SnO_4薄膜某些光学的性质。Cd_2SnO_4薄膜具有许多优异的光电特性,例如它有很低的电阻率,同时又有十分高的光透射率。实验研究表明,Cd_2SnO_4膜的光隙能随着氧浓度降低以及在真空中退火处理后而增加。这是由于简并化的半导体材料中有较大的Burstien-Moss效应所致。
- 王万录廖克俊刘爱民胡成生
- 关键词：光学性
- 热灯丝CVD金刚石膜的微结构和形貌对其电子性质的影响(英文)被引量：6
- 2001年
- 利用热灯丝 CVD法在硅衬底上合成出了金刚石膜。金刚石膜的质量和电子性质由扫描电 子显微镜、拉曼谱、阴极发光及霍尔系数测量来表征。实验结果表明，沉积条件对金刚石膜电子性 质和质量有重要影响。载流子迁移率随甲烷浓度增加而减少，但场发射随其增加而增强。压阻效 应随微缺陷增多而降低。异质外延金刚石膜压阻因子在室温下 100微形变时为 1200，但含有大量 缺陷的多晶金刚石膜压阻因子低于 200。这是由于薄膜中缺陷态密度增加，并依赖于膜结构的变 化。
- 王万录廖克俊孔春阳方亮王蜀霞
- 关键词：金刚石膜热灯丝场发射迁移率微结构电子性质
- 热灯丝CVD金刚石膜硼掺杂效应研究被引量：20
- 1996年
- 利用Ｒａｍａｎ谱和Ｘ射线衍射微分析研究了金刚石膜硼掺杂效应．研究发现，在硼浓度较低时，金刚石膜中非晶碳（Ｓｐ２键合）含量减少，而随着硼浓度增加，金刚石膜的Ｒａｍａｎ特征峰（Ｓｐ３）向低频方向漂移，并且展宽和出现不对称．
- 廖克俊王万录张振刚吴彬
- 关键词：硼掺杂CVD金刚石薄膜
- 单壁碳纳米管的超导电性被引量：7
- 2002年
- 阐述了电弧法制备单壁碳纳米管以及在单壁碳纳米管内实现超导态的实验方法。对用电弧法制备碳纳米管的实验条件、实验过程和实验产物进行了讨论。此外 ,分析了用“接近诱导法”实现碳纳米管的超导电态的具体条件 ,即将单壁碳纳米管束或单个碳纳米管嵌放在两个超导电极之间 ,在一定的条件下 ,有可能在碳纳米管内诱导出超导电流。已有的实验显示碳纳米管内的超导电流的临界值较大 ,并表现出特殊的对温度和磁场的依赖性。“接近诱导法”
- 朱亚波王万录
- 关键词：单壁碳纳米管超导电性超导态
- TiO_2-WO_3复合薄膜型气敏传感器性质研究被引量：4
- 2007年
- 二氧化钛和三氧化钨是具有重要功能的无机n型半导体材料,常用来制备气敏传感器。本文利用电子束蒸发制备了TiO2-WO3复合氧化物薄膜,在500℃下退火2 h。通过SEM和XRD观察了该薄膜的形貌特性并进行了气敏测试。实验表明,该薄膜对酒精、丙酮和二氧化硫气体具有较强的敏感性。本文还研究了温度、复合浓度和气体浓度对薄膜气体传感能力的影响。
- 冯庆王新强刘高斌王万录
- 关键词：气敏传感器WO3
- 镍粒子在单壁碳纳米管生成中的催化机制被引量：2
- 2002年
- 用CVD法制备单壁碳纳米管 ,一般加入镍金属颗粒作为催化剂。由于镍金属颗粒不同晶体表面对碳原子的吸附具有不同的活性 ,在制备单壁碳纳米管时 ,导致镍颗粒 (液态 )吸附的碳原子在其表面由活性小的晶面活性大的晶面扩散并沉积 ,结果围绕镍金属颗粒形成空腔 ,单壁碳纳米管得以生成。在单壁碳纳米管生长过程中 ,镍原子作为替位式原子 ,总是处在碳纳米管六角网络的最外端 ,起着缺陷稳定剂的并促进其生成。笔者阐述了镍金属颗粒催化剂的催化机制 ,并对单壁碳纳米管产物的形貌作了合理解释。
- 崔玉亭王万录廖克俊刘高斌赵作峰
- 关键词：CVD单壁碳纳米管
- Ni_(52)Mn_(24)Ga_(24)单晶中取向内应力的热动力学计算被引量：8
- 2003年
- 测量了Ni52 Mn2 4 Ga2 4 单晶样品在磁场加载和未加载情况下马氏体相变时的相变应变 .分析结果表明 :用提拉法生长单晶时在晶体内部引入了单一取向的内应力 ,该取向内应力可诱导马氏体变体择优取向 ,从而导致马氏体相变时产生大的相变应变 .从理论上计算了该内应力的大小 .另外 ,对样品在马氏体态单纯磁诱导应变的热动力学研究 ,表明取向内应力在马氏体态依然存在 .
- 崔玉亭柳祝红王文洪张铭陈京兰王万录吴光恒孟凡斌曲静萍李养贤
- 关键词：马氏体相变磁感生应变内应力提拉法单晶生长
- 金刚石薄膜内应力研究现状被引量：14
- 1999年
- 主要从内应力的测定方法、内应力与沉积工艺参数之间的关系两方面对国内外金刚石薄膜内应力的研究现状进行了综述。
- 方亮王万录王健廖克俊丁培道
- 关键词：金刚石内应力CVD
- 磁控溅射法制备WO3薄膜及其光学性质研究
- 采用DC磁控溅射的方法在玻璃基片上制备WO2薄膜,在不同温度条件下对薄膜进行退火处理;测量了不同氧分压下制备的薄膜在紫外到可见光范围内的透过率。实验表明,氧分压在75%左右条件下制备的薄膜具有较好的光学性能,退火温度在3...
- 杨晓红王万录康庆
- 关键词：磁控溅射WO3薄膜退火光学性质
- 文献传递
- 退火处理对纳米ZnO膜结构及气敏特性的影响被引量：1
- 2003年
- 用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等。研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏性质和微结构的影响。结果表明低温退火可以改善ZnO膜的微结构和气敏效应的稳定性。
- 马勇王万录廖克俊葛芳芳
- 关键词：气敏特性退火沉淀法微结构
