廖克俊
- 作品数：157 被引量：400H指数：11
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- 发文基金：国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目重庆市科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 退火处理对CdInO4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究
- 研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdInO薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响。结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光性,退火处理明显提高了膜的透光率...
- 杨丰帆王万录廖克俊付光宗张瑞俭曹春兰
- 关键词：光电特性退火处理
- 文献传递
- 氧浓度和衬底温度对透明导电Cd_2SnO_4薄膜光学性质的影响被引量：2
- 1999年
- 采用射频溅射方法在Ａｒ＋ Ｏ２ 气氛中制备了Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）透明导电薄膜，报道了在不同氧浓度和衬底温度下该膜的透射率、消光系数和折射率随波长变化的情况。研究发现：氧浓度越高，衬底温度越高，则薄膜透射率、折射率越大，而消光系数越低。对这些结果，从ＣＴＯ膜的晶格常数、氧空位等角度进行了理论分析。
- 董玉峰王万录廖克俊吴彬
- 关键词：氧浓度衬底温度导电薄膜光学性质
- 定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究被引量：10
- 1997年
- 本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法，文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因．
- 王万录张振刚廖克俊吴彬张世斌廖梅勇
- 关键词：异质外延生长金刚石膜压阻效应
- P型半导体金刚石膜性质的研究
- 本文研究了P型半导体金刚石膜中硼掺杂对金刚石膜电子性质及力学性质的影响。利用热灯丝CVD和微波等离子体CVD方法制备金刚石膜并采用H气携带[B(CH)]实现硼掺杂。应用SEM,Raman,SIMS和Hall效应测量对掺杂...
- 王蜀霞王万录廖克俊胡陈果孔春阳马勇
- 关键词：金刚石膜CVD电子性质力学性质掺杂
- 文献传递
- 退火处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响被引量：19
- 1997年
- 报道了射频反应溅射制备的CdIn2O4薄膜（简称CIO膜）的光学、电学性质以及能带结构与退火处理的关系，包括透射率、折射率、消光系数和薄膜载流于浓度的讨论．研究发现退火处理能引起CIO薄膜透射率、光隙能的增加以及折射率、消光系数的减小，并且使膜的短波吸收边“蓝移”．另外还能明显地提高膜的电导率．文中根据退火处理引起氧空位增加、电子陷阱减小等效应以及薄膜的能带结构和晶格拓展的理论分析讨论了实验所得结果．
- 吴彬王万录廖克俊张振刚
- 关键词：退火处理半导体薄膜技术
- P型金刚石薄膜压阻效应的理论研究被引量：1
- 2000年
- 结合形变势理论和价带分裂模型，对硼掺杂Ｐ型金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论。结果表明，金刚石中轻、重空穴有效质量的巨大差异是导致其具有显著压阻效应的主要原因之一。并推导出应变诱导轻、重空穴带分裂时压阻因子的近似计算公式，计算结果与实验结果一致。
- 方亮王万录丁培道廖克俊王健
- 关键词：金刚石化学汽相沉积压阻效应P型
- 单晶Ni_(52)Mn_(16.4)Fe_8Ga_(23.6)的磁控形状记忆效应和磁感生应变被引量：2
- 2005年
- 用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为 Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6 的单晶,通过磁增强相变应变和磁感生应变的测量研究了该材料磁控形状记忆效应和磁感生应变的温度稳定性。结果发现该材料不但具有大的自发相变应变、磁增强相变应变和磁感生应变,而且磁感生应变具有很好的温度稳定性,从 265 K 到 100 K,饱和磁感生应变的最大减小量不超过 10%。另外,实验也发现磁感生应变量最大的方向是沿晶体母相的[001]方向(即单晶生长方向)。根据合金形状记忆的特点和磁场诱导应变的机理对实验结果进行了分析和讨论。
- 崔玉亭王万录廖克俊朱亚波
- 关键词：形状记忆效应磁感生应变马氏体相变温度稳定性
- 退火处理对CdIn_2O_4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究
- 2004年
- 研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响。结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光性,退火处理明显提高了膜的透光率和载流子浓度,这一影响对CIO的广泛应用具有重要的意义。
- 杨丰帆王万录廖克俊付光宗张瑞俭曹春兰
- 关键词：光电特性退火处理
- 金刚石膜磁阻效应
- 本文研究了P型金刚石膜磁阻效应。实验研究发现金刚石膜有显著的磁阻效应,并与磁阻器件结构有关.文中对其机制进行了分析.
- 廖克俊王万录孔春阳王蜀霞胡成果许杰
- 关键词：金刚石膜磁阻效应电阻率
- 文献传递
- 直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究被引量：6
- 1992年
- 研究了直流等离子体化学汽相沉积(CVD)法合成的金刚石膜内应力随甲烷浓度、沉积温度的变化关系。实验研究表明,金刚石膜的总内应力随沉积条件变化十分敏感。压缩应力是由非金刚石成份及氢等杂质引起的,而伸张应力可由膜中高密度的微空和内面积导致的晶粒间界弛豫模型来解释。
- 王万录高锦英廖克俊刘爱民
- 关键词：金刚石内应力CVD法
