焦栋茂
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省普通高等学校重点学科专项资金建设项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响被引量：6
- 2011年
- 基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/Si/…Al/Si/glass周期性结构的薄膜。采用真空退火炉对Al/Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了不同退火时间下Al/Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响机理。研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,在退火过程的初期,晶态硅薄膜的生长主要来源于因Al的存在而形成的硅初始晶核数量增加的贡献。随退火时间的延长,晶态硅薄膜的生长主要是依靠临界浓度线已推进区域中未参与形核的硅原子扩散至初始晶核位置并进行外延生长来实现的。经500℃退火1 h后,Al/Si薄膜的截面形貌中出现了沿Si(111)晶面生长的栾晶组织。
- 焦栋茂王新征李洪涛郭烈萍蒋百灵
- 关键词：退火时间非晶硅薄膜晶化扩散
- 溅射沉积氢化非晶硅中辉光放电等离子体的Langmuir探针诊断被引量：1
- 2011年
- 为揭示磁控溅射辉光放电等离子体参量对Si薄膜沉积过程的本质影响,采用Langmuir探针于不同的靶电流、靶基距和氢分压条件下对直流辉光放电等离子体进行了诊断,分析了直流辉光放电等离子体参量（离子密度、离子流通量、等离子体电势、电子密度、电子温度）的变化规律,并以此为依据探讨了其对Si靶溅射过程和溅射Si粒子输运过程的影响。结果表明：不同靶电流下,距靶面3 cm处等离子体参量中离子密度、离子流通量和电子密度均随靶电流的增大而增大;靶电流为0.5A时,在靶基距从4 cm增大至21 cm过程中,离子密度和离子流通量先增大后减小,均在9 cm处出现峰值;靶基距恒为12 cm时,随氢气流量的增大,离子密度和离子流通量均增大（除氢气流量为45 ml/min（标准状态）时有所下降）。上述各参数下电子温度的变化波动性较大,但电子能量均在15 eV,即高能电子所占比例极小。
- 李洪涛蒋百灵杨波曹政郭维华焦栋茂
- 关键词：LANGMUIR探针等离子体离子密度电子密度
- 铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响被引量：7
- 2011年
- 基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了A l/S i/…A l/S i/glass周期性结构的薄膜。采用真空退火炉对A l/S i多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了退火前、后A l/S i多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的本质影响机理。研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,随退火过程的进行,A l、S i原子会沿A l/S i层间界面进行互扩散运动且在S i层中达到临界浓度Cs的A l原子所在区域整体呈线形平行于A l/S i界面逐渐向铝原子扩散距离增大的方向推进;随着A l层厚度的增加,A l在S i层中达到临界浓度Cs的区域整体向前推进速度加快,已扩散区域产生硅初始晶核的数量也随之增大;随A l/S i层厚比的增大,虽因铝诱导而晶化的硅薄膜均为多晶态,但非晶硅薄膜在晶化过程中的生长晶面数量增多,同时硅晶粒的尺寸有所减小。
- 梁戈郭烈萍李洪涛蒋百灵焦栋茂
- 关键词：非晶硅薄膜晶化过程扩散
