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杨玉超

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇存储器
  • 4篇非易失性
  • 3篇压电
  • 3篇压电常数
  • 3篇压电性
  • 3篇自由电子
  • 3篇俘获
  • 2篇底电极
  • 2篇电介质
  • 2篇电特性
  • 2篇压电特性
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电性
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子技术
  • 2篇介质
  • 2篇硅衬底
  • 2篇衬底
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇电磁性能

机构

  • 10篇清华大学

作者

  • 10篇杨玉超
  • 9篇曾飞
  • 9篇潘峰
  • 4篇宋成
  • 2篇王旭波
  • 1篇陈超
  • 1篇陈光
  • 1篇唐光盛
  • 1篇刘雪敬
  • 1篇王之顺
  • 1篇高双

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氧化锌薄膜微结构与性能调控中的若干基础问题
潘峰曾飞宋成杨玉超刘雪敬
项目成果属于新材料，磁学、微电子交叉领域。通过微结构调控实现材料多功能化是当今材料科学进步的重要途径，掌握氧化物的能带裁剪、自旋操纵与极化控制规律，大幅提升材料性能，实现其多功能化具有重大价值。在国家“863”、“973...
关键词：
关键词：氧化锌薄膜
具有大压电常数和高电阻率的V掺杂ZnO薄膜材料
本发明公开了属于新材料领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜材料。具有压电常数d<Sub>33</Sub>＝55－110pC/N和高的电阻率ρ＞10<Sup>11</Sup>Ω·cm的ZnO薄膜材料。本发明使用...
潘峰杨玉超曾飞宋成
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阻变存储材料与器件若干基础问题研究
潘峰曾飞宋成杨玉超高双陈超李思钊王之顺陈光唐光盛
成果属于新材料、微电子、物理交叉领域。 阻变存储器兼具信息处理和存储的功能，具有非易失性、高速度、高密度、低功耗等特点，已成为下一代存储器的有力竞争者。诠释阻变激活区电操作过程、精确调控器件性能是自上世纪六十年代以来科学...
关键词：
关键词：生长动力学电磁性能
具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜
本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法，由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数变小，并且平均等效原子电...
潘峰王旭波曾飞杨玉超
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一种非易失性阻变存储器的制备方法
本发明公开了新材料与微电子技术交叉领域一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅电介质层、钛粘附层、铂底电极层、第一氧化锌电介质层、钨纳米晶电荷存储层、第二氧化锌电介质层...
潘峰杨玉超曾飞
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具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜
本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法，由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数变小，并且平均等效原子电...
潘峰王旭波曾飞杨玉超
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新型非易失性存储材料与器件研究
杨玉超
关键词：非易失性NONVOLATILEFERROELECTRICITY
新一代超快高密Ag/ZnO:Mn/Pt非易失性阻变存储器及其工作机理
人类进入信息时代,对于信息存储的需求也越来越高。海量的信息不仅要求更高的存储密度,对于存储器的响应速度和可靠性也提出了新的要求。在此背景下,半导体工业一直在寻找一种高速度、高密度、低功耗的新型非易失性存储器。所谓非易失性...
杨玉超曾飞潘峰
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具有铁电性的V掺杂ZnO薄膜及其制备方法
一种具有铁电性的V掺杂ZnO薄膜及其制备方法，属于存储器材料制备领域，特别涉及铁电体薄膜材料的制备。其组成中，V含量为0.2～2.0at.％，Zn和V的总含量为50at.％，其余为O；该薄膜可用反应溅射的方式制备，所用靶...
潘峰杨玉超曾飞宋成
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一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法
本发明公开了新材料与微电子技术交叉领域一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅电介质层、钛粘附层、铂底电极层、第一氧化锌电介质层、钨纳米晶电荷存储层、第二氧化锌电介质层...
潘峰杨玉超曾飞
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