高双
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术更多>>
- 在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法
- 本发明涉及一种在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法，包括以下步骤：依次用化学试剂和等离子体对柔性衬底进行清洗，并将清洗后的柔性衬底置于磁控溅射镀膜机的基片台上，抽真空，充入工作气体，反应溅射制备得到氮化铝薄膜。该方...
- 李起曾飞潘峰高双
- 文献传递
- 阻变存储材料与器件若干基础问题研究
- 潘峰曾飞宋成杨玉超高双陈超李思钊王之顺陈光唐光盛
- 成果属于新材料、微电子、物理交叉领域。 阻变存储器兼具信息处理和存储的功能，具有非易失性、高速度、高密度、低功耗等特点，已成为下一代存储器的有力竞争者。诠释阻变激活区电操作过程、精确调控器件性能是自上世纪六十年代以来科学...
- 关键词：
- 关键词：生长动力学电磁性能
- 在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法
- 本发明涉及一种在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法，包括以下步骤：依次用化学试剂和等离子体对柔性衬底进行清洗，并将清洗后的柔性衬底置于磁控溅射镀膜机的基片台上，抽真空，充入工作气体，反应溅射制备得到氮化铝薄膜。该方...
- 李起曾飞潘峰高双
- 文献传递
- 在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法
- 本发明涉及一种在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法，其特征在于，包括以下内容：1)定义对磁阻器件所施加磁场的大小和方向，使得磁阻器件满足双驼峰形磁阻特性，并定义磁阻器件的低电阻态激发磁场强度绝对值为H<Su...
- 曾飞高双潘峰宋成崔彬李起
- 文献传递
- 封面图片说明
- 2016年
- 封面图片出自论文＂阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展＂.是清华大学材料学院潘峰教授研究团队提供的阳离子迁移型阻变存储器的器件结构及选材和阻变特性及机理示意图.阳离子迁移型阻变存储器的存储单元为＂活性电极/存储介质/惰性电极＂三层膜结构,通过外加电压作用下活性电极原子发生氧化还原反应和定向迁移过程而实现信息存储,其中逻辑＂1＂对应于低阻态，此时金属导电细丝在存储介质中形成并连通上下电极；逻辑“0”对应于高阻态，此时金属导电细丝在局部断开．它具有选材丰富、结构简单、易于集成、擦写速度快、擦写功耗低、循环耐受性好、数据保持特性稳定等优点，是当前硅基闪存的有力替代者，受到了科学界和工业界的广泛关注．
- 高双曾飞宋成潘峰
- 关键词：惰性电极图片说明信息存储低阻膜结构
- 阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展
- 2016年
- 硅基闪存是当前半导体市场的主流非易失性存储器,但其小型化日益接近物理极限.阳离子迁移型阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者之一,近些年受到科学界和工业界的广泛关注.本文从材料、阻变机理和器件性能3个方面综述了阳离子迁移型阻变存储器的研究进展,其中材料部分包括电极材料和存储介质,阻变机理部分包括金属导电细丝的存在、生长模式和生长动力学,而器件性能部分包括开关比、擦写速度、擦写功耗、循环耐受性、数据保持特性以及器件小型化潜力.最后,对本领域的未来研究重点进行了展望.
- 高双曾飞宋成潘峰
- 关键词：氧化还原反应非易失性存储器
- 氧化还原类阻变存储器的机理探讨和性能调控及逻辑应用
- 氧化还原类阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者,对其机理的探讨、性能的优化和应用的拓展一直以来都倍受科学界和工业界关注。本文采用旋涂法制备了P3HT:PCBM和PEDOT:PSS薄膜,采用射频...
- 高双
- 关键词：氧化还原反应逻辑运算
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- 在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法
- 本发明涉及一种在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法，其特征在于，包括以下内容：1)定义对磁阻器件所施加磁场的大小和方向，使得磁阻器件满足双驼峰形磁阻特性，并定义磁阻器件的低电阻态激发磁场强度绝对值为H<Su...
- 曾飞高双潘峰宋成崔彬李起
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