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李彬

作品数:2 被引量:12H指数:2
供职机构:河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇透射
  • 1篇透射谱
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇膜厚
  • 1篇晶化率
  • 1篇光谱
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇薄膜厚度

机构

  • 2篇河北大学

作者

  • 2篇傅广生
  • 2篇于威
  • 2篇李彬
  • 1篇丁文革
  • 1篇李晓苇
  • 1篇李文博
  • 1篇詹小舟
  • 1篇徐艳梅
  • 1篇苑静

传媒

  • 2篇光子学报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
氢稀释对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响及薄膜生长机理被引量:3
2012年
以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢稀释比过高时,薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明,纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加,薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明显减少,而在高氢稀释比条件下,氢稀释比增加导致薄膜中SiH2键合密度和整体氢含量增加.
于威詹小舟李彬徐艳梅李晓苇傅广生
关键词:晶化率
基于反射和透射光谱的氢化非晶硅薄膜厚度及光学常量计算被引量:9
2011年
采用紫外-可见透射光谱仪测量了对靶磁控溅射沉积法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的透射光谱和反射光谱.利用T/(1-R)方法来确定薄膜的吸收系数,进而得到薄膜的消光系数;通过拟合薄膜透射光谱干涉极大值和极小值的包络线来确定薄膜折射率和厚度的初始值,并利用干涉极值公式进一步优化薄膜的厚度值和折射率;利用柯西公式对得到的薄膜折射率进行拟合,给出了a-Si:H薄膜的色散关系曲线.为了验证该方法确定的薄膜厚度和光学常量的可靠性,将理论计算得到的透射光谱与实验数据进行了比较,结果显示两条曲线基本重合,可见这是确定a-Si:H薄膜厚度及光学常量的一种有效方法.
丁文革苑静李文博李彬于威傅广生
关键词:氢化非晶硅透射谱薄膜厚度
共1页<1>
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