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朱阳军

作品数:7 被引量:21H指数:3
供职机构:山东大学物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家留学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇有效面积
  • 2篇小电流
  • 2篇结温
  • 1篇电子器件
  • 1篇原理图
  • 1篇热谱
  • 1篇热效应
  • 1篇热阻
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇温度分布
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率器件
  • 1篇国际电工委员...
  • 1篇红外热像
  • 1篇红外热像图
  • 1篇分析方法
  • 1篇峰值结温

机构

  • 7篇山东大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 7篇朱阳军
  • 6篇苗庆海
  • 6篇张兴华
  • 5篇卢烁今
  • 1篇张德骏
  • 1篇陈凤霞
  • 1篇宗福建

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇自然科学进展

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
晶体管红外热像图的热谱分析方法被引量:8
2005年
使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温.晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法.
朱阳军苗庆海张兴华卢烁今
关键词:峰值结温红外热像图
基于实际结温分布中小电流过趋热效应的验证被引量:1
2007年
对于从红外热像图得到的实际的晶体管结温分布,通过热谱分析方法获得该温度分布对应的热谱曲线,进而建立了晶体管子管并联模型,并在此基础上,经过实验和理论计算证实了pn结中小电流过趋热效应存在的真实性.当结温分布不均匀时,对于通过pn结的电流,小电流比大电流更具有趋热性.即电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着电流的减小而缩小.利用这一特性可以研究器件热电不稳定性,结温分布的不均匀性及不均匀度,峰值结温的估算等,这对于半导体器件可靠性分析具有重要的意义.
朱阳军苗庆海张兴华卢烁今
关键词:电流密度有效面积
pn结中的小电流过趋热效应及理论模拟计算被引量:4
2006年
晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着测试电流的减小而缩小,这种现象称为小电流过趋热效应.利用这一特性可以研究晶体管结温分布的不均匀性,计算结温分布的不均匀度,对半导体器件可靠性分析具有重要的意义.
苗庆海朱阳军张兴华卢烁今
关键词:PN结电流密度有效面积
关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中ΔV_(BE)与I_E关系的讨论被引量:2
2004年
指出国际电工委员会标准IEC 74 7 7的热阻部分 ,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的 ,从理论上证明了该标准中的I V T曲线与实际情况相矛盾 ,这一矛盾也被实验所证实 ;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I V T特性曲线和波形图 ,可以作为修正标准的参考样本 .还提供了相应的计算和精确的实测结果 .
苗庆海YuanMiao张德骏张兴华LieyongYang陈凤霞ZhiweiYang朱阳军
关键词:热阻原理图IEC
The Convergence Characteristic of the Forward I-V Characteristic Curves of a Semiconductor Silicon Barrier at Different Temperatures被引量:2
2008年
The /-V-(T) characteristic curves of p-n junctions with the forward voltage as the independent variable, the logarithm of forward current as the dependent variable, and the junction temperature as the parameter, almost converge at one point in the first quadrant. The voltage corresponding with the convergence point nearly equals the bandgap of the semiconductor material. This convergence point can be used to obtain the I-V characteristic curve at any temperature.
苗庆海卢烁今张兴华宗福建朱阳军
半导体功率器件结温的实时测量和在线测量被引量:6
2007年
克服了器件在大电流测试时温度系数测不准的难题,帮助国际标准完善了实时测量和在线测量结温的方法,即在加热的同时,不改变加热状况的情况下,直接把加热电流当作测量电流,借助于校准曲线从而测量出晶体管的结温.
朱阳军苗庆海张兴华Yang Lieyong卢烁今
关键词:结温
微电子器件热谱分析方法的研究
研究探索一种方法同时具有电学方法的非破坏性无损伤探测的特点,而又能像红外热像法那样可以探测器件的温度分布而不是单一温度值,便成了非常有意义而又同时具有极大实用价值的研究。但是从上世纪70年代美国国家标准局的D.L Bla...
朱阳军
关键词:热效应温度分布
共1页<1>
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