曲钢
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN/Al<,2>O<,3>（0001）大晶格失配异质结的PAMOCVD外延生长
- GaN作为第三代半导体材料,因其优良的特性,日益成为研究的热点,在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发展前景.该论文采用电子回旋共振(ECR)微波等离子体辅助金属有机物化学气相沉积(PAMOCVD)方法,以氮等离...
- 曲钢
- 关键词：GAN异质结实时监控系统
- 文献传递
- GaN薄膜生长实时监控系统的实现被引量：1
- 2004年
- 分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素。在此基础上,设计了一套监控系统,用于GaN外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略。
- 曲钢徐茵
- 关键词：GAN薄膜实时监控
- 蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响被引量：1
- 2005年
- 通过反射高能电子衍射仪(RHEED)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ECR-PEMOCVD 装置中清洗氮化实验表面晶质的RHEED图像,研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底清洗、氮化的实验。结果表明,经常规清洗后的蓝宝石衬底表面晶质差异较大,有些衬底再经通常的30min等离子体清洗是达不到要求的,而要根据情况施行分步清洗才能清洗充分,清洗充分的衬底经20min就可氮化出来,不充分的再长的时间也很难氮化。
- 郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢
- 关键词：蓝宝石氮化RHEEDGAN
- 镓基砷化物、氮化物量子点研究进展
- 2004年
- 综述了半导体低维结构以及镓基砷化物、氮化物材料量子点的发展,涉及了外延生长机理、量子点的形貌结构特征,并着重介绍了镓基氮化物材料量子点的制备方法、研究的现状、面临的困难、应用发展现状,并对其未来研究趋势提出了看法。
- 曲钢徐茵顾彪秦福文郎佳红
- 关键词：量子点砷化物氮化物
- ECR-PEMOCVD生长GaN RHEED图像研究被引量：2
- 2004年
- 通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN生长过程进行原位监测。通过分析研究RHEED图像确定衬底清洗、氮化、缓冲层生长。
- 郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢
- 关键词：ECR-PEMOCVDGAN外延层生长
- GaN/Al2O3(0001)大晶格失配异质结构的PAMOCVD外延生长
- GaN作为第三代半导体材料，因其优良的特性，日益成为研究的热点，在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发展前景。 本论文采用电子回旋共振(ECR)微波等离子体辅助金属有机物化学气相沉积(PAMOCVD)方法...
- 曲钢
- 关键词：GAN异质结实时监控系统
- 文献传递
- 标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究被引量：5
- 2003年
- 在经过校温的ECR PEMOCVD装置上 ,通过分析RHEED(反射高能电子衍射 )图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验 ,结果表明 :经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大 ;按照经验清洗 30min是不能清洗充分的 ,那么根据情况进行多步清洗就显得很重要了 ;结果表明清洗得很充分的衬底经 2 0min的氮化出来 ,而未清洗充分的衬底 2
- 郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢
- 关键词：RHEED反射高能电子衍射蓝宝石GAN
- GaN/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>（0001）大晶格失配异质结构的PAMOCVD外延生长
- GaN作为第三代半导体材料，因其优良的特性，日益成为研究的热点，在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发展前景。 本论文采用电子回旋共振（ECR）微波等离子体辅助金属有机物化学气相沉积（PAMOCVD）方法，...
- 曲钢
- 关键词：GAN异质结实时监控系统
