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廛宇飞

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：北京化工大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 4篇电阻
  • 4篇纳米线
  • 4篇激光器结构
  • 4篇串联电阻
  • 3篇载流子
  • 3篇载流子浓度
  • 3篇受主
  • 3篇红外
  • 3篇红外辐射
  • 2篇电池
  • 2篇电阻率
  • 2篇液相
  • 2篇液相化学
  • 2篇生物样品
  • 2篇生物样品分析
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池

机构

  • 11篇北京化工大学

作者

  • 11篇廛宇飞
  • 10篇许海军
  • 8篇李德尧
  • 7篇苏雷
  • 5篇张书明
  • 5篇朱建军
  • 4篇孙晓明
  • 3篇杨辉
  • 2篇吴超
  • 2篇韦昭
  • 2篇唐颖
  • 2篇赵德刚
  • 2篇张常兴
  • 1篇陆宏波
  • 1篇陈博婷
  • 1篇陈家华

年份

  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层，并利用该层在激光器工作时产生的红外辐射，实现p型GaN波导层、p型AlGaN光限制层以及p型...
李德尧许海军朱建军张书明苏雷廛宇飞
一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法
一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法，它是以金属辅助化学腐蚀法制备出的多孔硅纳米线阵列(PSNWA)为衬底材料，利用浸渍还原法将金属盐溶液中的金属离子还原成单质，并以纳米颗粒的形式在PSNWA表面均匀沉积后得...
许海军苏雷廛宇飞张常兴孙晓明
文献传递
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层，并利用该层在激光器工作时产生的红外辐射，实现p型GaN波导层、p型AlGaN光限制层以及p型...
李德尧许海军朱建军张书明苏雷廛宇飞
文献传递
半导体纳米线基有机/无机复合太阳能电池的制备方法
半导体纳米线基有机/无机复合太阳能电池的制备方法属于新能源技术领域。其特征是先利用电化学腐蚀或水热腐蚀技术制备出在可见光区域具有良好光吸收性能的纳米硅，在纳米硅衬底上利用高温化学气相沉积法或低温液相化学方法生长出氧化锌或...
许海军廛宇飞苏雷李德尧唐颖韦昭孙晓明
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该氮化镓基半导体激光器不含有电子阻挡层，因而可降低激光器的工作电压，延长激光器的寿命。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层，并利用...
李德尧许海军廛宇飞陈博婷朱建军张书明杨辉
文献传递
贵金属/半导体微纳米阵列的表面增强拉曼散射研究
拉曼散射是一种光和物质发生相互作用导致入射光光子频率发生改变的非线性光学效应。通过观察拉曼光谱可以直接分析并确定物质的分子结构，因此拉曼光谱也常常被称为分子的“指纹谱”。拉曼光谱在发现后相当长的一段时间内仅作为红外光谱的...
廛宇飞
关键词：表面增强拉曼散射时域有限差分法分子结构
用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法
用于测定GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格电阻率的激光器结构和测试方法属于半导体激光器领域。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的激光器为两种具有不同厚度的n型或p型AlGaN/GaN超...
李德尧许海军吴超廛宇飞朱建军赵德刚张书明杨辉
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一种具有强发光性能的纳米硅的蒸汽腐蚀制备方法
本发明属于半导体技术领域。一种具有强发光性能的纳米硅的蒸汽腐蚀制备方法，其特征是将硅片置于蒸汽体积填充度为30％-85％，压强0.1MPa-2.5MPa，温度70℃-250℃高压釜内形成的蒸汽环境中蒸汽反应5分钟-190...
许海军陈家华陆宏波李德尧苏雷廛宇飞
文献传递
一种具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的制备方法
一种具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的制备方法属于光谱检测技术领域，是具有快速、高灵敏度、低痕量检测功能的SERS活性基底的制备技术。其特征是运用水热腐蚀技术制备出一种具有大比表面积的纳米多孔硅柱状阵列，再以化学气相沉...
许海军廛宇飞苏雷张常兴孙晓明
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用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法
用于测定GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格电阻率的激光器结构和测试方法属于半导体激光器领域。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的激光器为两种具有不同厚度的n型或p型AlGaN/GaN超...
李德尧许海军吴超廛宇飞朱建军赵德刚张书明杨辉
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