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张书明

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:北京化工大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 4篇电阻
  • 4篇激光器结构
  • 4篇串联电阻
  • 3篇载流子
  • 3篇载流子浓度
  • 3篇受主
  • 3篇红外
  • 3篇红外辐射
  • 2篇电阻率
  • 2篇晶格
  • 2篇GAN基激光...
  • 2篇超晶格
  • 1篇电子阻挡层
  • 1篇阻挡层
  • 1篇阈值电流

机构

  • 5篇北京化工大学

作者

  • 5篇张书明
  • 5篇李德尧
  • 5篇朱建军
  • 5篇许海军
  • 5篇廛宇飞
  • 3篇杨辉
  • 2篇吴超
  • 2篇苏雷
  • 2篇赵德刚
  • 1篇陈博婷

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法
用于测定GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格电阻率的激光器结构和测试方法属于半导体激光器领域。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的激光器为两种具有不同厚度的n型或p型AlGaN/GaN超...
李德尧许海军吴超廛宇飞朱建军赵德刚张书明杨辉
文献传递
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层,并利用该层在激光器工作时产生的红外辐射,实现p型GaN波导层、p型AlGaN光限制层以及p型...
李德尧许海军朱建军张书明苏雷廛宇飞
文献传递
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层,并利用该层在激光器工作时产生的红外辐射,实现p型GaN波导层、p型AlGaN光限制层以及p型...
李德尧许海军朱建军张书明苏雷廛宇飞
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该氮化镓基半导体激光器不含有电子阻挡层,因而可降低激光器的工作电压,延长激光器的寿命。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层,并利用...
李德尧许海军廛宇飞陈博婷朱建军张书明杨辉
文献传递
用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法
用于测定GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格电阻率的激光器结构和测试方法属于半导体激光器领域。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的激光器为两种具有不同厚度的n型或p型AlGaN/GaN超...
李德尧许海军吴超廛宇飞朱建军赵德刚张书明杨辉
共1页<1>
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