宋超
- 作品数：36 被引量：15H指数：2
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- 相关领域：文化科学理学经济管理电子电信更多>>
- 下转换发光材料的制造方法
- 本发明公开了一种下转换发光材料的制造方法，形成步骤包括：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、安装多个靶材，靶材根据所要形成的稀土掺杂氧化物进行选取，稀土掺杂氧化物的基质材料为稀土钒酸盐或稀土铌酸盐，靶材包括：基质材料对...
- 宋超郑桦黄锐郭艳青王祥宋捷林圳旭张毅李洪亮
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- 硅基太阳能电池及其制造方法
- 本发明公开了一种硅基太阳能电池，包括：硅基电池本体，设置在入射光路径上的光子转换发光材料层，光子转换发光材料层包括上或下转换发光材料层；上转换发光材料层将光子进行由低到高的能量转换且发射到硅基电池本体中；下转换发光材料层...
- 宋超郑桦黄锐王祥郭艳青宋捷张毅林圳旭李洪亮
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- 一种制备钽钡共掺杂锂镧锆氧固体电解质的方法
- 本发明公开了一种制备钽钡共掺杂锂镧锆氧固体电解质的方法，包括以下步骤：准备以下原料：分析纯LiOH·H<Sub>2</Sub>O、分析纯La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、分析纯ZrO<Sub>2</...
- 董建宏张晨阳林少敏宋超谭娟娟包怡叶婉婷
- 无损伤包覆提高钙钛矿量子点稳定性和发光效率的方法
- 本发明公开了一种无损伤包覆提高钙钛矿量子点稳定性和发光效率的方法。该方法的主要步骤为：利用等离子体增强化学气相沉积技术沉积氢化非晶碳化硅薄膜，然后利用旋涂法在其上涂上无机钙钛矿量子点薄膜；之后，利用等离子体增强化学气相沉...
- 林圳旭黄锐宋捷夏力张毅林泽文李洪亮张文星郭艳青宋超
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- 掺杂纳米硅的制备与电输运特性研究
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)系统制备了一系列不同硼掺杂浓度的氢化非晶硅薄膜。然后对原始样品进行800℃退火处理，使薄膜由非晶结构向晶化结构转变，得到含有纳米晶粒的掺杂纳米硅薄膜。
- 宋超
- 关键词：纳米硅硼掺杂激活能
- 下转换发光材料的制造方法
- 本发明公开了一种下转换发光材料的制造方法，形成步骤包括：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、安装多个靶材，靶材根据所要形成的稀土掺杂氧化物进行选取，稀土掺杂氧化物的基质材料为稀土钒酸盐或稀土铌酸盐，靶材包括：基质材料对...
- 宋超郑桦黄锐郭艳青王祥宋捷林圳旭张毅李洪亮
- 一种在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上直接快速制备单层石墨烯的方法
- 本发明公开了一种在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上直接快速制备单层石墨烯的方法，主要步骤为：先在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上淀积一层晶化金属催化材料薄膜，然后将固态碳源均匀涂于金属催化材料薄膜表面...
- 郭艳青黄锐宋捷宋超王祥李洪亮林圳旭张毅
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- 非晶碳化硅薄膜的结构及其光学特性研究被引量：2
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积系统制备非晶碳化硅薄膜,通过控制反应气体中甲烷和硅烷的流量比R来调节薄膜中的碳/硅比,获得具有不同碳/硅比的薄膜结构。采用Raman、XPS以及FT-IR等技术手段对样品的结构进行表征。通过对样品吸收谱的测量,对样品的光学特性进行了研究。研究结果表明,薄膜中C-H键以及Si-C键含量的增加引起薄膜的光学带隙展宽,在R=10时薄膜的光学带隙达到2.4 eV。
- 宋超孔令德
- 关键词：碳化硅非晶薄膜光学带隙
- 一种氧化锆复合生物陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种氧化锆复合生物陶瓷的制备方法，包括以下步骤：A、准备如下质量份数的原料，100～120份的氧化锆、10～15份的氧化钇、3～5份的氧化镁、1～2份的氧化铝、1～2份的碳酸钙；B、将步骤A准备的原料混合后进...
- 宋超王祥张博栋宋捷黄锐林少敏董建宏刘汉旭
- 基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究被引量：4
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光.在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.
- 林圳旭林泽文张毅宋超郭艳青王祥黄新堂黄锐
- 关键词：纳米硅氮化硅电致发光
