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宋捷

作品数：48 被引量：15H指数：2
供职机构：韩山师范学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇学位论文

领域

  • 12篇理学
  • 5篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 2篇经济管理
  • 2篇化学工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 22篇发光
  • 10篇量子
  • 8篇量子点
  • 7篇掺杂
  • 6篇光效
  • 6篇光效率
  • 6篇硅薄膜
  • 6篇发光效率
  • 5篇氮化
  • 5篇稀土
  • 5篇稀土掺杂
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米硅
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 5篇发光特性
  • 4篇微电子
  • 4篇微电子工艺
  • 4篇纳米硅薄膜
  • 4篇钙钛矿

机构

  • 39篇韩山师范学院
  • 10篇南京大学
  • 2篇华中师范大学
  • 2篇太原理工大学

作者

  • 47篇宋捷
  • 36篇黄锐
  • 30篇郭艳青
  • 24篇宋超
  • 20篇王祥
  • 14篇张毅
  • 12篇李洪亮
  • 9篇林泽文
  • 7篇陈坤基
  • 7篇李伟
  • 5篇黄信凡
  • 5篇余林蔚
  • 4篇马忠元
  • 4篇丁宏林
  • 3篇王久敏
  • 3篇徐骏
  • 3篇王岩
  • 2篇徐岭
  • 2篇张文星
  • 2篇李雪飞

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇发光学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇韩山师范学院...
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇广东化工
  • 1篇科技信息
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第四届全国掺...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇1995
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高无机钙钛矿量子点发光效率的方法
本发明公开了一种提高无机钙钛矿量子点发光效率的方法。该方法的主要步骤为：利用等离子体化学气相沉积技术制备非晶氮化硅层，利用旋涂法在非晶氮化硅层上涂上一层无机钙钛矿量子点，再进一步利用离子体化学气相沉积技术在无机钙钛矿量子...
黄锐林圳旭宋捷张文星
文献传递
一种实现低温构筑高密度纳米硅结构的方法
本发明公开了一种在低温下实现构筑高密度纳米硅结构的方法，属于纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括以下步骤：在平行板电容型射频等离子体增强化学气相沉积系统中，将衬底固定在电容极板的下极板的上表面；调节电容极板的上、下极板...
黄锐王祥宋捷郭艳青宋超张奕雄
文献传递
硼掺杂纳米硅薄膜的热退火效应研究
2011年
采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜,然后经过不同温度的热退火处理,获得硼掺杂纳米硅薄膜.结果表明,退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,在1 000℃时,薄膜的晶化率达到77%,晶粒大小为3.9 nm.退火温度低于600℃时,光学带隙随着退火温度的升高而变窄,高于600℃时,带隙随着退火温度的升高而展宽,对此讨论了缺陷态和晶化度对样品光学带隙的影响.
林泽文宋超王祥黄锐郭艳青宋捷
关键词：硼掺杂纳米硅热退火光学带隙
有序纳米阵列结构的制备方法
本发明公开了一种有序纳米阵列结构的制备方法，包括以下步骤：提供基底材料；在基底材料表面铺陈第一层PS小球自组装单层薄膜；进行第一次等离子刻蚀形成前一级有序纳米阵列结构；去除第一层PS小球自组装单层薄膜；在基底材料表面铺陈...
宋超黄锐王祥宋捷郭艳青林圳旭张毅
文献传递
快速热退火增强非晶SiC_xO_y薄膜蓝绿光发射特性研究被引量：2
2017年
采用甚高频等离子增强化学气相沉积技术,以SiH_4,CH_4和O_2作为反应气源,在150℃下制备非晶碳氧化硅薄膜,并对薄膜进行不同条件下快速热退火处理,研究快速热退火处理对其结构和发光特性的影响.实验表明,原始沉积薄膜在可见光全波段展现较强的光致发光特性,经过快速热退火处理后,其发光强度显著增强.薄膜在700℃经过快速热退火10s后,相比于原始沉积薄膜,其发光强度增强6倍,肉眼可见强的蓝绿光光发射.光荧光谱(PL)分析表明,薄膜的发光峰位不随激发波长的改变而发生明显变化.通过结合拉曼(Raman)光谱及傅里叶红外吸收(FTIR)光谱对薄膜的微结构及键合结构分析,分析了不同退火温度和退火时间对其蓝绿光发射增强机制的影响.
林圳旭宋捷黄锐王岩王怀佩郭艳青宋超
关键词：等离子增强化学气相沉积光致发光快速热退火
基于Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜结构的量子点构筑及发光特性被引量：3
2010年
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.
黄锐王旦清宋捷丁宏林王祥郭艳青陈坤基徐骏李伟马忠元
关键词：多层膜
不对称双势垒结构的共振隧穿现象被引量：1
2010年
在PECVD系统中,用layer by layer的方法原位制备了a-SiNx/nc-Si/a-SiNx双势垒结构样品。AFM测量结果显示nc-Si晶粒密度约为1.2×1011cm-2,通过Raman散射谱计算出薄膜中的平均晶粒尺寸为6nm,nc-Si层的晶化比约46%。在低频时的电容-电压(C-V)测试过程中,观察到了与共振隧穿效应有关的电容峰,由于样品中的nc-Si颗粒尺寸均匀性不高,没有观察到分立的隧穿电容峰结构,只得到扩展的电容峰。
宋捷
关键词：共振隧穿
Eu掺杂SiC_xO_y薄膜的Eu^(3+)发光机制被引量：1
2017年
利用磁控溅射技术在低温250℃下制备Eu掺杂SiC_xO_y薄膜,研究薄膜的Eu^(3+) 发光激发机制。实验结果表明,薄膜的发光谱由来自基体材料的蓝光和来自Eu^(3+) 的红光组成;随着薄膜中Eu含量由0.19%增加到2.27%,其红光强度增加3倍左右,而蓝光逐渐减弱。Raman光谱及荧光瞬态谱分析表明,其蓝光由中立氧空位缺陷发光中心引起。结合薄膜的Eu^(3+) 激发光谱分析,SiC_xO_y∶Eu薄膜的红光增强源于薄膜中Eu^(3+) 离子浓度的增加和/或基体材料的中立氧空位缺陷发光中心与Eu^(3+) 离子的能量转移。
王岩林圳旭宋捷张文星王怀佩郭艳青李洪亮宋超黄锐
关键词：光致发光铕掺杂
对A=11同质异位素核的奇异性质研究
2011年
在单粒子势模型的框架下,通过在核中心势中引入l2修正项(l表示核子的轨道角动量),计算了A=11同质异位素核的均方根半径值、能级值和密度分布.理论计算得到的半径值和能级结构与实验结果一致.特别是,理论计算能够同时实现镜像核11Be和11N中2s1/2-1p1/2能级间的反转,从而解释了11Be和11N的反常的自旋宇称值.此外,理论结果表明11Li基态为双中子晕态,11Be基态和第一激发态为单中子晕态.
郭艳青宋捷
关键词：中子晕
具有荧光加密防伪特性的长余辉纳米粒子及其制备方法
本发明提供一种具有荧光加密防伪特性的长余辉纳米粒子及其制备方法。该长余辉纳米粒子由两种纳米粒子构成：作为干扰信息的ZnAl<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>(2+3x+4y)/2</Sub>...
张毅黄锐李洪亮林圳旭宋捷郭艳青杨庆姚婧张珊
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