周帆
- 作品数：15 被引量：13H指数：2
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氧化物薄膜晶体管有机电致发光有源驱动的技术和基础研究
- 周帆
- 具有缓冲层的顶栅结构氧化物薄膜晶体管
- 本发明涉及一种具有缓冲层的氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件依次由基板（1）、源极（2）、漏极（3）、氧化物有源层（4）、缓冲层（5）、绝缘层（6）、栅极（7）层叠构成顶栅结构。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制...
- 周帆林华平李俊蒋雪茵张志林张晓薇
- 文献传递
- N_2O Plasma表面处理对SiN_x基IGZO-TFT性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2.V-1.s-1增加至8.1 cm2.V-1.s-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。
- 李俊周帆林华平张浩张建华蒋雪茵张志林
- 关键词：INGAZNON2O
- 用反应溅射法沉积SiO_x绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性(英文)
- 2012年
- 制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。
- 李俊周帆张建华蒋雪茵张志林
- 关键词：薄膜晶体管
- 应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层
- 本发明涉及一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的新型阻挡层。本器件依次由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构。各结构层采用真空蒸发方法、磁控溅射方法和旋涂方...
- 周帆林华平张良蒋雪茵张志林张晓薇
- 文献传递
- 具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制造方法
- 本发明涉及一种具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制备方法。本发光器件依次由ITO玻璃基板、ITO修饰层、空穴传输层、发光层、电子传输层、复合阴极构成。各结构层均采用真空蒸发方法制备，其中复合空穴传输层是采用双源共蒸...
- 俞东斌蒋雪茵周帆陈雪王蕊张志林
- 文献传递
- 具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、缓变结发光层(4)、电子传输层(5)、复合阴极(6)构成。各结构层均采用真空蒸发...
- 林华平周帆李俊张丽娟蒋雪茵张志林
- 掺杂对蓝光OLED发光特性的研究
- 林华平周帆李俊蒋雪茵张志林张建华
- 具有复合空穴注入层的蓝光有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种具有复合空穴注入层的蓝光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、复合空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、发光层(4)、电子传输层(5)、复合阴极(6)构成。在本发明中，复合空穴注入层...
- 林华平周帆李俊卢绪玲张良蒋雪茵张志林
- 文献传递
- 具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、缓变结发光层(4)、电子传输层(5)、复合阴极(6)构成。各结构层均采用真空蒸发...
- 林华平周帆李俊张丽娟蒋雪茵张志林
- 文献传递
