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张良: 作品数：17 被引量：21H指数：4; 供职机构：上海大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学交通运输工程更多>>

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薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高被引量：4: 2011年; 制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V。实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。; 张浩张良李俊蒋雪茵张志林张建华; 关键词：薄膜晶体管 ZNO 稳定性退火

应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层: 本发明涉及一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的新型阻挡层。本器件依次由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构。各结构层采用真空蒸发方法、磁控溅射方法和旋涂方...; 周帆林华平张良蒋雪茵张志林张晓薇; 文献传递

有机光电显示设计与制造专业技术服务平台: 张建华张志林朱文清李喜峰曹进张浩路林石继锋李春亚陈龙龙张良李俊王赛陈雪徐峰吴军刘记忠廖英杰张勇靳卫鹏吴晓京李越生黄曜曾伟俞宏坤张昕张兆强黄郁芳; 公共服务资源：大型工艺设备19台，测试设备20台，网上对外服务.其中：19台加入公共服务研发平台，20台在平台网页公开(30万以下).已形成针对纯水与环境中阴离子的检测能力.服务技术水平与能力1)、申请发明专利43项；制...; 关键词：; 关键词：有机发光材料

无人艇智能控制系统关键技术创新与应用: 谢少荣彭艳蒲华燕陈金波李小毛杨毅狄伟陈凡张良赵建国饶进军李恒宇唐智杰龚振邦罗均; 该项目属于机器人控制、机电一体化技术领域。主要内容、特点：近年随着科技和军事能力的大幅度提高，围绕海洋资源争夺、岛礁主权、海域划界和通道安全的争端进一步加剧，中国海域辽阔，海洋权益的维护亦面临十分错综复杂的形势，党的十八...; 关键词：; 关键词：无人艇智能控制海洋测绘

双发光层结构蓝光顶发射OLED的性能改善研究: 报道了具有单模共振发射的高效蓝光顶发射有机电致发光器件(OLED)。用[TBADN：DSA-Ph]/[Alq3：DSA-Ph]双发光层取代单一发光层[TBADN：DSA-Ph]后，器件的发光效率提高了50％，而电致发光光...; 张小文蒋雪茵李俊张良林华平朱文清张志林; 关键词：电致发光器件发光效率; 文献传递

有机薄膜晶体管和氧化锌薄膜晶体管的制备及研究: 场效应晶体管是一种新型电子元件，是利用电场来控制固体材料导电性能的有源器件。薄膜晶体管的低温沉积、溶液工艺以及有机材料的可塑性使得它很自然地与可折叠地塑料衬底相适应，应用于大面积柔性显示，电子纸及传感器等方面。 ...; 张良; 关键词：场效应晶体管载流子迁移率 SIO2 氧化锌; 文献传递

薄膜晶体管器件: 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电...; 张志林张建华李俊张良张小文; 文献传递

氧化物TFT及其驱动的AM-OLED矩阵屏的研究: 氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)和硅基TFT相比具有迁移率高、制备工艺简单、在可见光波段透明等优点,是很有发展潜力的下一代TFT技术。本文不仅对于氧化物TFT的低压驱动、稳定性的提高等基础问题将进行了深入的研究,也...; 张良; 关键词：低压驱动稳定性 AM-OLED; 文献传递

Ta_2O_5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响(英文)被引量：7: 2011年; 报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加,相应器件的场效应迁移率下降,其数值分别是50.5,59.3,63.8,71.2 cm2/V.s,对应100,85,60,40 nm厚度的绝缘层。从原子力显微图像可以看到,Ta2O5薄膜表面粗糙度随着薄膜厚度的减小而降低,这是场效应迁移率得以提高的主要原因。而100,85,60,40 nm不同厚度的绝缘层相应器件的开关电流比分别是1.2×105,4.8×105,3.2×104,7.2×103,其阈值电压分别为1.9,1.5,1.2,0.9 V。从各项性能综合考虑,85 nm厚度的Ta2O5栅绝缘层所制备的薄膜晶体管器件具有最佳性能。; 周帆张良李俊张小文林华平俞东斌蒋雪茵张志林; 关键词：TA2O5 绝缘层磁控溅射表面形貌