何开全
- 作品数：19 被引量：35H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种新型半绝缘键合SOI结构被引量：2
- 2006年
- 报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si—Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中.
- 谭开洲冯建刘勇徐世六杨谟华李肇基张正璠刘玉奎何开全
- 关键词：硅片键合
- 一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究被引量：2
- 2008年
- 利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.
- 谭开洲胡刚毅杨谟华徐世六张正璠刘玉奎何开全钟怡
- 关键词：亚阈值电流X射线辐射电离辐射
- 金丝球焊中显微织构的研究
- 拉拔后金丝的主要织构是〈111〉和〈100〉织构。随着老化时间的延长,金丝中〈111〉织构减少,〈100〉织构增多。空气自由球中心的主要织构是〈100〉织构,且与劈刀接触出金球表面主要是〈111〉织构。在热超声金丝球焊过...
- 张志红何开全熊化兵
- 关键词：织构超声金丝球焊功率
- 文献传递
- 基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法
- 本发明涉及一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法。本发明方法采用电镀和溅射淀积Sn/Au层，利用金锡合金在加热时的等温凝固和共晶反应，来实现局部真空封装，能使局部真空封装的成品率达到99％。与常规铅锡共晶...
- 张志红熊化兵何开全朱虹娇赵光辉李茂松胡琼
- 一种微调晶振频率的软件实现方法被引量：1
- 2014年
- 提出一种实用的基于软件和硬件相结合的晶振频率微调方法。该方法能够对晶振输出频率进行精确调节,实现对系统晶振频率的在线校准,无需拆卸系统硬件,能够极大地提高频率校准的效率。该方法的频率校准精度较高,由校准软件和硬件带来的误差可低至1.5×10-13,能够满足大部分通信系统的使用要求,可广泛用于通信、雷达、频率合成器等领域。
- 刘虹庞佑兵何开全李科
- 关键词：晶振软件实现
- 高性能模拟集成电路工艺技术被引量：19
- 2004年
- 介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。
- 何开全谭开洲李荣强
- 关键词：模拟集成电路BICMOS互补双极工艺SOI
- 一种16位高速D/A转换器的研究被引量：1
- 2004年
- 介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μmBiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。
- 李荣强石建刚何开全
- 关键词：D/A转换器BICMOS工艺
- 金丝球焊中显微织构的研究
- 拉拔后金丝的主要织构是<111>和<100>织构。随着老化时间的延长,金丝中<111>织构减少,<100>织构增多。空气自由球中心的主要织构是<100>织构,且与劈刀接触出金球表面主要是<111>织构。在热超声金丝球焊过...
- 张志红何开全熊化兵
- 关键词：金丝球焊
- 文献传递
- 平行缝焊工艺抗盐雾腐蚀技术研究被引量：9
- 2011年
- 抗盐雾腐蚀是提高集成电路封装可靠性的重要手段之一。根据金属腐蚀机理,通过优化封焊工艺和AuSn合金焊料平行缝焊封盖工艺,以及在封盖后再次进行电镀修复损伤等措施,提高了平行缝焊集成电路的抗盐雾腐蚀能力。
- 李茂松何开全徐炀张志洪
- 关键词：集成电路封装平行缝焊
- 差分输入信号接收电路
- 本发明涉及一种差分输入信号接收电路，它包括一个基本放大电路单元和一个迟滞电压产生电路单元。本发明电路在常规电路的基础上增加了两个PMOS管MP5、MP6，通过此两个PMOS管引入输入失调的方法来获得迟滞电压，不需要引入局...
- 黄兴发沈晓峰李梁苏晨李儒章何开全
- 文献传递
