于晖
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺天文地球更多>>
- 凝固铸造领域再开新花——凝固与铸造成型技术分论坛侧记
- 2021年
- 我国多种金属材料的产量已经稳居世界第一,铸件的年产量接近5000万吨。不论是金属材料铸坯的生产,还是铸件的铸造,都要经过凝固过程。凝固组织及其缺陷的控制水平直接决定着产品的质量和性能。对凝固过程研究的深化,也已经延伸出了多种新的材料加工技术和全新的材料体系。我国材料科学家和工程技术人员已经成为国际上凝固科学研究的主体。
- 于晖
- 关键词：凝固过程工程技术人员材料加工技术凝固组织
- 控制降温对近空间升华法沉积CdZnTe薄膜形貌与结构的影响被引量：1
- 2012年
- 采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速(炉冷,673K以上-8K/min)和慢速(-2K/min)两种降温速率下获得的CdZnTe薄膜的结构与形貌,并考察了降温中是否阻断生长源向薄膜的传质的影响。结果表明,所得到的薄膜均为闪锌矿结构,降温时薄膜的持续生长将抑制晶粒在平面内铺展而使其棱角钝化的趋势,以较慢的速率降温和降温时阻断传质均有利于提高薄膜的致密度,降低粗糙度及薄膜的织构强度。
- 高俊宁袁妍妍何亦辉于晖仝俊利王涛介万奇
- 潜心耕耘液固相变 晶体金属莲开并蒂——凝固与晶体生长分论坛侧记
- 2020年
- 可控的液-固相变是金属材料制备与成型加工的核心技术之一,也是功能晶体生长的重要途径,其内容涉及熔体结构相变及其形核行为、熔体中的晶体生长过程与形态演变、结晶界面的溶质分凝及由此引起的扩散或成分偏析、多相组织的形成过程及其规律、非平衡液固相变及非平衡组织的形成和材料微观及宏观结构缺陷的形成等。上述问题对于不同材料的制备、合成、成型、加工既有共性原理,又存在着复杂的变化。
- 程渊博于晖
- 关键词：晶体生长成分偏析熔体结构
- CdZnTe伽马射线探测器的能谱特性分析被引量：2
- 2021年
- CdZnTe(CZT)探测器目前在国内外天体物理研究中占有重要的地位。本文采用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了CZT伽马射线探测器对伽马射线的能谱响应,研究了电子和空穴的输运特性、外加偏压、探测器厚度等因素对平面型探测器的能谱特性的影响规律。结果表明,在电子收集效率较高时,能量分辨率明显受迁移率寿命积比值((μτ)_(e)/(μτ)_(h))的影响,比值越小,能量分辨率越好。增加工作电压可以提高载流子的收集效率和探测器的能量分辨率。在电子收集效率较高时,增大厚度可以弱化空穴信号贡献,提高能量分辨率。漂移程与晶体厚度之比(μτ)_(e)E/d可以用来估算平面型CZT探测器对低能射线的收集效率,并计算出其对应关系。
- 于晖于晖杜园园杜园园查钢强查钢强
- 关键词：GEANT4CDZNTE晶体能量分辨率能谱
- 群策群力谋发展 继往开来展宏图——功能晶体材料与晶体生长分论坛侧记
- 2019年
- 功能晶体材料是光电功能材料的主体,经历了从天然晶体到人工晶体、从体块晶体到薄膜、从自组装到人工微结构、从大晶体到微纳米晶体化制备的发展历程。通过精确的成分设计和精细的结构控制获得具有特殊的物理、化学、力学,乃至生物学的性能,已成为微电子、光电子等现代科学技术发展的基础材料和核心技术。功能晶体材料通过晶体生长技术获得,20世纪50年代以来,以单晶硅为代表的半导体材料的发展推动了晶体生长理论研究和技术的发展。
- 程渊博于晖
- 关键词：人工晶体光电功能材料半导体材料晶体生长微电子
- 热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级
- 熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe或者CZT)晶体中存在着很多缺陷，这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级，从而严重影响CZT的探测性能.分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TS...
- 于晖查钢强南瑞华介万奇白旭旭王蓓
- 关键词：陷获深能级
- 氩气压对磁控溅射制备CdZnTe薄膜形貌、结构和电学特性的影响
- 2018年
- 采用Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶圆作为溅射靶材,利用射频磁控溅射法在FTO衬底上制备了CdZnTe薄膜。系统研究了溅射氩气压从0.08~1Pa的变化对CdZnTe薄膜的形貌、结构、成分和电学特性的影响。随着氩气压的降低,薄膜晶粒尺寸下降,形貌由柱状结构转化为片状结构、再转化为细小的颗粒状结构。同时,CZT薄膜逐渐呈现(111)择优取向的闪锌矿结构,内应力减少,并且当气压降至0.5和0.3Pa时薄膜出现了ZnTe和Te相。薄膜中的Zn和Cd原子含量大于靶材中的对应原子含量。薄膜的方块电阻随着氩气压的降低先减少,后增大。而薄膜的载流子浓度和迁移率则随着氩气压降低呈现先增大后减小的趋势。
- 席守智席守智介万奇王涛查钢强于晖于晖张昊徐凌燕张昊杨帆周伯儒
- 关键词：磁控溅射平均自由程
- ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文)
- 2012年
- 采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。
- 杜园园介万奇郑昕王涛白旭旭于晖
- 关键词：CDMNTE孪晶
- 热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)
- 2012年
- 熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。
- 南瑞华介万奇查钢强白旭旭王蓓于晖
- 关键词：陷获深能级
- 非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究
- 2013年
- 采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500!eV。通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优。3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3。
- 谢涌介万奇王涛崔岩高俊宁于晖王亚彬
- 关键词：ZNO纳米线光致发光束缚激子X射线衍射
