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丁圣

作品数：3 被引量：15H指数：2
供职机构：辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
发文基金：中国博士后科学基金辽宁省教育厅科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇气相沉积
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米线
  • 2篇ZNO纳米线...
  • 1篇阵列
  • 1篇制备及特性
  • 1篇温度
  • 1篇硅纳米线
  • 1篇发光特性
  • 1篇ZNO

机构

  • 3篇辽宁师范大学

作者

  • 3篇丁圣
  • 2篇金红
  • 2篇刘俊
  • 2篇李梦轲
  • 1篇王雪红

传媒

  • 2篇辽宁师范大学...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
取向ZnO纳米线阵列的生长机理及发光特性被引量：12
2006年
用化学气相沉积法制备了取向纳米氧化锌(ZnO)阵列;用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察了制备的纳米ZnO的形貌结构;用荧光光谱仪(PL)分析了样品的发光特性;以气-液-固(VLS)生长模型和Ehrlich-Schwoebel势垒理论解释讨论了ZnO纳米线的生长结构与机理.
丁圣李梦轲王雪红刘俊金红
关键词：ZNO纳米线化学气相沉积光致发光
温度对硅纳米线生长结构的影响被引量：3
2007年
以硅烷为反应气体，温度为850～1100℃，在（100）取向的单晶硅片上，采用化学气相沉积法生长了一维硅纳米线．用扫描电子显微镜观察了硅纳米线的表面形貌，用X射线衍射仪研究了硅纳米线生长结构与反应温度的关系．分析了不同实验条件对硅纳米线生长结构的影响，并对一维硅纳米线与块体硅的光致发光（PL）特性进行了分析比较．
李梦轲刘俊金红丁圣
关键词：硅纳米线化学气相沉积温度光致发光
取向ZnO纳米线阵列的制备及特性研究
本论文在调研总结国内外各种纳米ZnO研究文献的基础上,采用化学气相沉积/(CVD/)法,制备了高取向的纳米ZnO阵列。并发现了一些新形貌的纳米ZnO。研究分析了取向ZnO纳米线阵列的制备工艺、生长机理及其相关特性,获得了...
丁圣
关键词：ZNO化学气相沉积阵列
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