刘俊
- 作品数：15 被引量：24H指数：3
- 供职机构：辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金辽宁省教育厅科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学文化科学更多>>
- Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>半导体薄膜光电器件的制备及特性研究
- 2023年
- 本文利用双靶射频磁控溅射技术,在不同实验条件下,开展了本征β-Ga2O3和Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga2O3半导体薄膜光电器件的制备及特性研究工作。分析了掺杂前后制备的二维β-Ga2O3薄膜的微结构、表面形貌及化学成份。比较了不同条件下制备器件的电导率、IV特性及光电特性。研究发现,Cu、Sn掺杂后,β-Ga2O3半导体薄膜光电器件的电导率、IV特性和光电特性都有一定的改善,而Sn掺杂的Sn/β-Ga2O3薄膜的电导率增加幅度最大。其中,Sn/β-Ga2O3器件呈现了最佳IV特性,说明Sn掺杂比Cu掺杂的效果更好。同时,掺杂并进行退火处理更可使薄膜的电导率呈现数量级的提升。制备的不同二维沟道型器件都具有明显的场效应器件特征,可用外加底栅电压VGS调控器件的源漏电流IGS。在254 nm的紫外光源辐照下,所有器件都出现了明显的光电流。但掺杂后器件的光电流明显高于本征器件的光电流,Sn掺杂Sn/β-Ga2O3器件的光电流最大,响应时间最短,光电流与暗电流之比可达112,器件具有更好的稳定性和可逆性。
- 刘畅刘俊刘源胡馨月李旺柳婕李梦轲
- 关键词：光电特性
- 硅和氧化锌纳米线的制备及光致发光特性
- 本文采用化学气相沉积法(CVD)，在不同的条件下分别制备了一维SiNWs、ZnO纳米线及纳/微米尺度的Si/ZnO异质结。通过透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子电镜(SEM)、X射线衍...
- 刘俊
- 关键词：纳米材料硅纳米线晶体生长气相沉积
- 文献传递
- Ag、Cu掺杂的Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>热电材料的制备及特性研究
- 2021年
- 采用粉末热压烧结工艺制备了纯Bi2Te3及少量Ag、Cu元素掺杂的Bi2Te3片状热电材料。利用XRD、SEM、EDS及热电特性实验分析设备,对不同热电样品的晶体结构、表面形貌、组成成份及热电特性进行了比较分析。研究发现,适量的Ag、Cu元素掺杂确实可提升Bi2Te3材料的热电特性,相比Cu元素掺杂,Ag掺杂的Bi2Te3样品热电特性改善最大。在样品高温端温度为356 K条件下,掺杂Ag为0.1 wt%的样品Seebeck系数最大,约为−193.26 μV/K,ZT值也最大,约为1.04。
- 韩月李梦轲张哲姜珊柳婕刘阳李旺刘俊
- 关键词：掺杂热电
- Bi<sub>2</sub>(Te<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>3</sub>复合热电材料的制备及特性研究被引量：1
- 2022年
- 本文利用模具热压烧结法,通过在Bi2Te3基体中掺杂少量的Bi2Se3,制备出了Bi2(Te1−xSex)3固溶体合金复合热电材料。利用XRD、SEM及热电特性实验分析设备,对不同样品的晶体结构、表面形貌、组成成份及热电特性进行了比较分析。研究发现,将一定量的Se元素引入Bi2Te3中,可在Bi2(Te1−xSex)3复合热电材料中产生大量弥散在晶体中的缺陷和晶界,增加了对声子和低能电子的散射,有效提升了复合材料的电导率,降低了其热导率。实验结果表明,在T = 316 K时,当Se原子比例x = 0.06时,制备的Bi2(Te0.94Se0.06)3复合热电材料样品的开路电压可达到7.87 mV,Seebeck系数为−236.35 µV/K,其ZT值达到最大,为1.24。结果表明,Bi2(Te1−xSex)3复合材料的热电特性可通过调整材料中Se原子的百分比来调控。
- 柳婕李梦轲刘阳李旺刘源刘畅刘俊
- 关键词：热电特性
- 二维单层MoS<sub>2</sub>半导体材料的制备及光电特性研究被引量：3
- 2022年
- 二维半导体材料是一类新兴的新材料,具有广泛的电学性能和潜在的应用价值。本文以S和MoO3粉末为原料,利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD),在SiO2/Si片上制备了高质量、大面积的单层MoS2单晶样品。利用XRD、OM、EDS、TEM、AFM及半导体光电特性分析设备,对不同制备样品的表面形貌、晶体结构、组成成份、样品厚度及光电特性进行了测试分析。结果发现,制备的三角形的单层及少层MoS2单晶主要呈现六角晶系结构,且边界清晰,表面光滑,有较好的透光性,最大尺度可达250 μm,MoS2单晶生长中的硫化反应过程符合VLS生长机制。在不同生长条件中,反应物中的S/MoO3的质量比和反应温度是影响单层MoS2单晶样品生长类型的主要影响因素。分析发现,制备单层MoS2单晶的最佳S/MoO3质量比为1000/30,而最佳沉积温度为900℃。测试发现,由单层MoS2单晶样品制备的光电器件具有很高的光电灵敏度和较好的光电响应特性。
- 刘阳李梦轲李旺柳婕刘源刘畅刘俊胡馨月
- 关键词：CVD光电特性
- 取向ZnO纳米线阵列的生长机理及发光特性被引量：12
- 2006年
- 用化学气相沉积法制备了取向纳米氧化锌(ZnO)阵列;用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察了制备的纳米ZnO的形貌结构;用荧光光谱仪(PL)分析了样品的发光特性;以气-液-固(VLS)生长模型和Ehrlich-Schwoebel势垒理论解释讨论了ZnO纳米线的生长结构与机理.
- 丁圣李梦轲王雪红刘俊金红
- 关键词：ZNO纳米线化学气相沉积光致发光
- SnO/AlN压电门控二维复合薄膜场效应晶体管的制备及电学特性
- 2021年
- 采用磁控溅射掩膜沉积技术,在n型Si衬底上制备了底栅型SnO/AlN压电门控二维复合薄膜场效应晶体管,利用XRD、SEM和EDX分析设备,对复合薄膜的晶体结构、形貌和成分进行了分析研究。实验发现,溅射沉积工艺可制备出表面光滑,质量较好的SnO和AlN单晶薄膜。利用AlN薄膜的压电特性,可将施加在AlN薄膜上的外应力转化为门控电压,并作用在SnO/AlN复合膜的SnO沟道上,使器件IDS电流随外部应力变化而改变。测试发现,器件对外应力表现出了较好的响应特性,并具有较高的响应灵敏度,灵敏度约为1.564 ×103 μA/N∙cm2,响应时间约为0.9 s。本文提出的新型底栅型SnO/AlN压电门控二维复合薄膜场效应晶体管,有望应用在柔性电子器件和可穿戴电子产品等领域。
- 张哲李梦轲韩月姜珊刘俊柳婕刘阳李旺
- 关键词：SNOALN压电特性场效应晶体管
- MWCNTs<sub>X</sub>/Bi<sub>2</sub>(Te<sub>0.95</sub>Se<sub>0.05</sub>)<sub>3</sub>复合热电材料的制备及特性研究
- 2023年
- 本文采用热压烧结法,通过在N型Bi2(Te0.95Se0.05)3热电材料中掺杂少量的多壁碳纳米管(MWCNTs),制备出了不同掺杂比例的MWCNTsX/Bi2(Te0.95Se0.05)3复合热电材料。利用X射线衍射仪、扫描电镜及热电特性分析装置等设备,对制备样品的微结构、形貌及热电特性等进行了分析。结果发现,少量MWNCTs的掺杂并未改变MWCNTsX/Bi2(Te0.95Se0.05)3复合热电材料的晶格结构,同时,少量掺杂还可在复合热电材料微结构中产生适量的晶界和生长缺陷。并且,均匀分散的MWNCTs还形成了三维导电通道,可显著增强晶格对声子和低能电子的散射,提升了材料的电导率,降低了其热导率。但对比研究也发现,过多MWNCTs的掺杂反而不利于MWCNTsX/Bi2(Te0.95Se0.05)3复合热电材料热电特性的提升。测试表明,在温度为T = 316 K时,掺杂MWNCTs质量比为x = 0.003的复合材料样品具有最大的ZT值,约为1.39,这比未掺杂的Bi2(Te0.95Se0.05)3样品的最大ZT值0.93提高了近50%。论文研究结果对进一步提升Bi2Te3类热电材料的热电优值,拓展其商业化应用范围提供了新的思路。
- 刘源刘俊刘畅胡馨月柳婕李梦轲
- 关键词：MWCNTS热电特性
- Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>半导体薄膜光电器件的制备及特性研究
- 2022年
- 本文利用双靶射频磁控溅射技术,在不同实验条件下,开展了本征β-Ga2O3和Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga2O3半导体薄膜光电器件的制备及特性研究工作。分析了掺杂前后制备的二维β-Ga2O3薄膜的微结构、表面形貌及化学成份。比较了不同条件下制备器件的电导率、IV特性及光电特性。研究发现,Cu、Sn掺杂后,β-Ga2O3半导体薄膜光电器件的电导率、IV特性和光电特性都有一定的改善,而Sn掺杂的Sn/β-Ga2O3薄膜的电导率增加幅度最大。其中,Sn/β-Ga2O3器件呈现了最佳IV特性,说明Sn掺杂比Cu掺杂的效果更好。同时,掺杂并进行退火处理更可使薄膜的电导率呈现数量级的提升。制备的不同二维沟道型器件都具有明显的场效应器件特征,可用外加底栅电压VGS调控器件的源漏电流IGS。在254 nm的紫外光源辐照下,所有器件都出现了明显的光电流。但掺杂后器件的光电流明显高于本征器件的光电流,Sn掺杂Sn/β-Ga2O3器件的光电流最大,响应时间最短,光电流与暗电流之比可达112,器件具有更好的稳定性和可逆性。
- 刘畅刘俊刘源胡馨月李旺柳婕李梦轲
- 关键词：光电特性
- Sn、Cu掺杂的β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>能带的理论计算
- 2021年
- 本文基于MS 2018软件,采用密度泛函第一性原理方法,利用平面波超软赝势计算了β-Ga2O3超胞掺杂不同含量Sn、Cu元素后的能带结构、态密度和分波态密度变化特性。研究发现,在本征半导体β-Ga2O3超胞中进行少量的Sn、Cu元素掺杂均可减小β-Ga2O3的禁带宽度,增强其导电特性。少量Sn掺杂后,β-Ga2O3的费米能级更接近导带,表现出更明显的n型导电特性,且其费米面附近的态密度明显增加。而少量Cu掺杂后,价带上部还出现了浅受主能级,导致β-Ga2O3的费米能级更接近其价带,具有明显的p型导电特性。对比研究发现,掺杂浓度越高,费米面附近的态密度增加效果就越强,这更有利于β-Ga2O3半导体用于制备各类异质结晶体管和光电器件领域中。
- 李梦轲李旺柳婕刘阳刘俊刘畅刘源
- 关键词：第一性原理掺杂
