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赖冬寅

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：西南技术物理研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇电子轰击
  • 2篇真空技术
  • 2篇真空室
  • 2篇射频电源
  • 2篇气体放电
  • 2篇铌酸锂
  • 2篇铌酸锂晶体
  • 2篇吸收谱
  • 2篇橡胶
  • 2篇晶体
  • 2篇辉光
  • 2篇辉光放电
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇固体激光
  • 2篇固体激光器
  • 2篇硅橡胶
  • 2篇合格率
  • 2篇红外吸收
  • 2篇红外吸收谱

机构

  • 8篇西南技术物理...

作者

  • 8篇曾璞
  • 8篇刘从吉
  • 8篇赖冬寅
  • 3篇袁菲
  • 2篇罗辉
  • 2篇张伟
  • 1篇罗成思
  • 1篇苏洁梅
  • 1篇周小燕
  • 1篇柯尊贵
  • 1篇梁松林

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种非晶硅材料电阻率调节方法
本发明涉及一种简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其中，包括：采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅材料，平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上，射频电压加在上下平行板之间；反应腔体内采用热丝控制气体温度...
曾璞陈方军刘从吉公丕华赖冬寅王万祎梁松林周忠燕李刚陈君润
文献传递
一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法
本发明公开了一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法，其包括如下步骤：S1：将GD414C硅橡胶样品放置于真空室中的样品台上，将真空室抽真空；S2：真空室加热至85℃；S3：样品台4底部和上方的电压平板加电压，并通过样品...
曾璞刘从吉罗杰平龚磊陈方军公丕华赖冬寅王万祎周忠燕胡少沛李刚余吉庆陈君润
文献传递
一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法
本发明属于固体激光器技术领域，具体涉及一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法。所述方法首先分别找出常温、高温和低温下铌酸锂晶体的封锁区间，然后找出常温封锁区间、高温封锁区间和低温封锁区间的共同区间，共同区间的最小封锁电压...
曾璞罗杰平温锋张伟周忠燕罗辉刘从吉陈君润袁菲余吉庆胡少沛王杰刘海淞张祎景石磊郑皓予赖冬寅龚磊
一种红外-紫外信号转换装置
本实用新型公开了一种红外‑紫外信号转换装置，其包括：分路器和同轴布置在分路器后方的硅基F‑P薄膜谐振腔，分路器透射红外并反射紫外，红外入射信号通过分路器垂直入射到硅基F‑P薄膜谐振腔上，同时紫外参考信号通过分路器垂直入射...
罗杰平曾璞刘从吉周自希赖冬寅龚磊罗丹李敬石磊牟惠蓉
一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法
本发明公开了一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法，其包括如下步骤：S1：将GD414C硅橡胶样品放置于真空室中的样品台上，将真空室抽真空；S2：真空室加热至85℃；S3：样品台4底部和上方的电压平板加电压，并通过样品...
曾璞刘从吉罗杰平龚磊陈方军公丕华赖冬寅王万祎周忠燕胡少沛李刚余吉庆陈君润
一种光敏芯片钝化结构
本实用新型属于硅基探测器技术领域，旨在提供一种减少干扰，合格率高，易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型光敏芯片钝化结构包括保留原有在芯片表面的氧化硅钝化膜和聚酰亚胺膜，在氧化硅钝化膜同聚酰亚胺膜之间增加一层...
罗杰平曾璞刘从吉周自希赖冬寅龚磊罗丹李敬张志波王兴伦石晨
文献传递
一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法
本发明属于固体激光器技术领域，具体涉及一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法。所述方法首先分别找出常温、高温和低温下铌酸锂晶体的封锁区间，然后找出常温封锁区间、高温封锁区间和低温封锁区间的共同区间，共同区间的最小封锁电压...
曾璞罗杰平温锋张伟周忠燕罗辉刘从吉陈君润袁菲余吉庆胡少沛王杰刘海淞张祎景石磊郑皓予赖冬寅龚磊
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非晶硅光学薄膜折射率调节方法
本发明提出的一个非晶硅薄膜折射率的调节方法，简单可行，折射率可调节范围较大，精度易于控制。本发明可以通过下述技术方案予以实现：在采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅薄膜中，平行板结构装置衬底放在具有温控装置的...
曾璞周小燕苏洁梅刘从吉陈逢彬赖冬寅柯尊贵罗成思袁菲
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