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刘从吉

作品数:24 被引量:1H指数:1
供职机构:西南技术物理研究所更多>>
相关领域:电子电信化学工程机械工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 6篇探测器
  • 6篇芯片
  • 5篇橡胶
  • 5篇光电
  • 5篇光电探测
  • 5篇硅橡胶
  • 4篇真空室
  • 4篇激光
  • 4篇光电探测器
  • 3篇钝化
  • 3篇钝化膜
  • 3篇亚胺
  • 3篇酰亚胺
  • 3篇吸收谱
  • 3篇象限
  • 3篇聚酰亚胺
  • 3篇工装
  • 3篇光敏
  • 3篇红外吸收
  • 3篇红外吸收谱

机构

  • 24篇西南技术物理...
  • 2篇四川航空股份...

作者

  • 24篇刘从吉
  • 15篇曾璞
  • 8篇王鸥
  • 8篇赖冬寅
  • 7篇钱煜
  • 6篇苏洁梅
  • 6篇刘小会
  • 6篇周小燕
  • 6篇胡卫英
  • 5篇柯尊贵
  • 5篇袁菲
  • 4篇罗辉
  • 4篇李潇
  • 4篇周红轮
  • 4篇张伟
  • 2篇余丽波
  • 2篇郭勇
  • 2篇向秋澄
  • 2篇罗成思
  • 2篇何伟

传媒

  • 1篇电子技术(上...
  • 1篇集成电路应用

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2019
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多象限光电探测器高低温测试系统
本发明一种多象限光电探测器高低温测试系统,用于测试多象限光电探测器在高低温条件下的电参数。它包括,一个电连接直流稳压电源的示波器,内置测试夹具的高低温箱,在示波器与所述高低温箱之间,电连接有一个带有选通控制面板的选通电路...
钱煜余永琦周小燕苏洁梅王鸥李潇郭勇周红轮何伟祁祖峰向秋澄柯尊贵刘从吉胡卫英
文献传递
一种提高硅APD制结工艺精度的方法
本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法,其中,包括:活性区p、正面接触层n<Sup>+</Sup>、背面接触层p<Sup>+</Sup>制结工艺温度依次降低,工艺时间依次减少,以减少多步高温工艺对结深造成误差积累;...
邓杰王鸥李潇郝昕余丽波谢修敏刘从吉宋海智
氢退火工艺对非晶硅光学性能的影响
2022年
阐述利用等离子化学气相沉积制备了非晶硅材料,然后在不同浓度的氢气气氛下进行了等离子退火处理,并对其折射率,消光系数和傅立叶红外吸收谱进行了测试分析。结果显示,不同浓度的氢气氛等离子退火处理对非晶硅材料的光学性能有影响。
曾璞罗杰平刘从吉罗丹袁菲罗辉王兴伦王路钱煜关晟
关键词:非晶硅退火折射率消光系数
光敏芯片钝化结构
本实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构,旨在提供一种减少干扰,合格率高,易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现:硅基探测器的光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,氧...
王鸥邱月瓴曾璞刘小会周红轮胡卫英刘从吉罗成思
文献传递
一种改善探测器芯片清洗工艺碎片的工装夹具
本发明涉及一种改善探测器芯片清洗工艺碎片的工装夹具,属于芯片制造领域。本发明的工装夹具的清洗舟高度为65mm,为50mm直径的硅片留有足够的空间;所述清洗舟的顶部设置一个压条,使得硅片在清洗的过程中被限制在了清洗舟内部;...
刘从吉蒲勋胡卫英王鸥周红轮钱煜曾璞
文献传递
一种GD414C硅橡胶电阻率改变方法
本发明公开了一种GD414C硅橡胶电阻率改变方法,其包括如下步骤:S1:加热真空室;S2:将未固化的硅橡胶GD414C放置于真空室内,并通入高纯氮气;S3:保持真空室的温度和压强,等待硅橡胶完全固化后,自然冷却取出。本发...
罗杰平曾璞刘从吉陈君润郑皓予龚磊关晟张伟
一种非晶硅材料电阻率调节方法
本发明涉及一种简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法,其中,包括:采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅材料,平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上,射频电压加在上下平行板之间;反应腔体内采用热丝控制气体温度...
曾璞陈方军刘从吉公丕华赖冬寅王万祎梁松林周忠燕李刚陈君润
文献传递
一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法
本发明公开了一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法,其包括如下步骤:S1:将GD414C硅橡胶样品放置于真空室中的样品台上,将真空室抽真空;S2:真空室加热至85℃;S3:样品台4底部和上方的电压平板加电压,并通过样品...
曾璞刘从吉罗杰平龚磊陈方军公丕华赖冬寅王万祎周忠燕胡少沛李刚余吉庆陈君润
文献传递
一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法
本发明属于固体激光器技术领域,具体涉及一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法。所述方法首先分别找出常温、高温和低温下铌酸锂晶体的封锁区间,然后找出常温封锁区间、高温封锁区间和低温封锁区间的共同区间,共同区间的最小封锁电压...
曾璞罗杰平温锋张伟周忠燕罗辉刘从吉陈君润袁菲余吉庆胡少沛王杰刘海淞张祎景石磊郑皓予赖冬寅龚磊
一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置
本发明公开了一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置,包括:高温炉体(1)、程序温控系统(2)、高纯石英腔体(3)、气流稳压系统(4)和排风系统(5),高纯石英腔体(3)布置在高温炉体(1)上,待成膜固化半导体芯片布置在高纯石...
邱月瓴刘期斌苏洁梅刘小会林鹏姜滔何永攀郑皓予刘从吉胡卫英
共3页<123>
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